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D_(4)等离子体聚合制备超薄抗磨损膜
1
作者
马於光
杨梅林
+2 位作者
王凌春
毛坤元
沈家骢
《功能高分子学报》
CAS
CSCD
1992年第1期65-70,共6页
在本工作中,利用射频等离子体成功地制备了具有致密、耐腐、绝缘性能的超薄抗磨损膜。用耐磨仪测其硬度,磨损转数已达10000转以上。膜的面电阻率达10^(12)Ω数量级。PPD_4膜耐强酸和几乎所有的有机溶剂。聚合过程主要是由D_4单体的开环...
在本工作中,利用射频等离子体成功地制备了具有致密、耐腐、绝缘性能的超薄抗磨损膜。用耐磨仪测其硬度,磨损转数已达10000转以上。膜的面电阻率达10^(12)Ω数量级。PPD_4膜耐强酸和几乎所有的有机溶剂。聚合过程主要是由D_4单体的开环和消除甲基基团产生自由基活性点进行的。开环反应对线性聚合物的生成有贡献,甲基消除反应对支化交联聚合物的生成有贡献。PPD_4膜的交联度可由放电功率来调节。
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关键词
等离子体
八甲基环四硅氧烷
抗磨损膜
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职称材料
题名
D_(4)等离子体聚合制备超薄抗磨损膜
1
作者
马於光
杨梅林
王凌春
毛坤元
沈家骢
机构
吉林大学
出处
《功能高分子学报》
CAS
CSCD
1992年第1期65-70,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
在本工作中,利用射频等离子体成功地制备了具有致密、耐腐、绝缘性能的超薄抗磨损膜。用耐磨仪测其硬度,磨损转数已达10000转以上。膜的面电阻率达10^(12)Ω数量级。PPD_4膜耐强酸和几乎所有的有机溶剂。聚合过程主要是由D_4单体的开环和消除甲基基团产生自由基活性点进行的。开环反应对线性聚合物的生成有贡献,甲基消除反应对支化交联聚合物的生成有贡献。PPD_4膜的交联度可由放电功率来调节。
关键词
等离子体
八甲基环四硅氧烷
抗磨损膜
Keywords
plasma
octamethylcyclotetrasiloxanc
wear-resistant fi1m
分类号
O634.41 [理学—高分子化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
D_(4)等离子体聚合制备超薄抗磨损膜
马於光
杨梅林
王凌春
毛坤元
沈家骢
《功能高分子学报》
CAS
CSCD
1992
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