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离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究
被引量：
2
1
作者
蒋军
江炳尧
+5 位作者
郑志宏
任琮欣
冯涛
王曦
柳襄怀
邹世昌
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期1673-1675,共3页
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电...
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理。
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关键词
抑制电子发射
铪
离子束辅助沉积
钼栅极
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职称材料
纳米级ta-C薄膜对二次电子发射抑制的研究
被引量：
2
2
作者
张娜
陈仙
康永锋
《现代电子技术》
2013年第1期144-146,共3页
二次电子倍增引起的微放电效应已经成为制约空间通信技术发展的重要因素。提出采用纳米级四面体非晶碳(ta-C)薄膜抑制二次电子发射的新方法,研究了在镀银铝基材料上制备ta-C薄膜的工艺,以及薄膜中sp2键的含量以及薄膜的厚度对二次电子...
二次电子倍增引起的微放电效应已经成为制约空间通信技术发展的重要因素。提出采用纳米级四面体非晶碳(ta-C)薄膜抑制二次电子发射的新方法,研究了在镀银铝基材料上制备ta-C薄膜的工艺,以及薄膜中sp2键的含量以及薄膜的厚度对二次电子发射系数的影响。研究结果表明,涂层后的二次电子发射系数减小了35%;且当薄膜厚度超过5 nm,二次电子发射系数显著降低,当厚度大于10 nm,二次电子发射系数会增加,分析主要原因是薄膜厚度在5-10 nm时,sp2键的含量较大,呈现出石墨的弱二次电子发射特性,研究结果表明,ta-C薄膜可以较好地起到抑制二次电子作用。
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关键词
ta-C薄膜
二次
电子
倍增放电
抑制
二次
电子
发射
过滤阴极真空电弧
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职称材料
题名
离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究
被引量：
2
1
作者
蒋军
江炳尧
郑志宏
任琮欣
冯涛
王曦
柳襄怀
邹世昌
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期1673-1675,共3页
基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G2000067207-2)
文摘
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理。
关键词
抑制电子发射
铪
离子束辅助沉积
钼栅极
Keywords
anti-emission
hafnium
ion beam assisted deposition
molybdenum grid
分类号
TG146.4 [金属学及工艺—金属材料]
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职称材料
题名
纳米级ta-C薄膜对二次电子发射抑制的研究
被引量：
2
2
作者
张娜
陈仙
康永锋
机构
空间微波技术重点实验室
西安交通大学
出处
《现代电子技术》
2013年第1期144-146,共3页
基金
空间微波技术重点实验室资助项目(914C5304011003)
文摘
二次电子倍增引起的微放电效应已经成为制约空间通信技术发展的重要因素。提出采用纳米级四面体非晶碳(ta-C)薄膜抑制二次电子发射的新方法,研究了在镀银铝基材料上制备ta-C薄膜的工艺,以及薄膜中sp2键的含量以及薄膜的厚度对二次电子发射系数的影响。研究结果表明,涂层后的二次电子发射系数减小了35%;且当薄膜厚度超过5 nm,二次电子发射系数显著降低,当厚度大于10 nm,二次电子发射系数会增加,分析主要原因是薄膜厚度在5-10 nm时,sp2键的含量较大,呈现出石墨的弱二次电子发射特性,研究结果表明,ta-C薄膜可以较好地起到抑制二次电子作用。
关键词
ta-C薄膜
二次
电子
倍增放电
抑制
二次
电子
发射
过滤阴极真空电弧
Keywords
ta-C film
multipactor discharge
secondary electron emission suppression
filtered cathodic vacuum arc
分类号
TN12-34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究
蒋军
江炳尧
郑志宏
任琮欣
冯涛
王曦
柳襄怀
邹世昌
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
在线阅读
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职称材料
2
纳米级ta-C薄膜对二次电子发射抑制的研究
张娜
陈仙
康永锋
《现代电子技术》
2013
2
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职称材料
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