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题名纳米级ta-C薄膜对二次电子发射抑制的研究
被引量：2
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作者
张娜
陈仙
康永锋
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机构
空间微波技术重点实验室
西安交通大学
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出处
《现代电子技术》
2013年第1期144-146,共3页
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基金
空间微波技术重点实验室资助项目(914C5304011003)
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文摘
二次电子倍增引起的微放电效应已经成为制约空间通信技术发展的重要因素。提出采用纳米级四面体非晶碳(ta-C)薄膜抑制二次电子发射的新方法,研究了在镀银铝基材料上制备ta-C薄膜的工艺,以及薄膜中sp2键的含量以及薄膜的厚度对二次电子发射系数的影响。研究结果表明,涂层后的二次电子发射系数减小了35%;且当薄膜厚度超过5 nm,二次电子发射系数显著降低,当厚度大于10 nm,二次电子发射系数会增加,分析主要原因是薄膜厚度在5-10 nm时,sp2键的含量较大,呈现出石墨的弱二次电子发射特性,研究结果表明,ta-C薄膜可以较好地起到抑制二次电子作用。
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关键词
ta-C薄膜
二次电子倍增放电
抑制二次电子发射
过滤阴极真空电弧
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Keywords
ta-C film
multipactor discharge
secondary electron emission suppression
filtered cathodic vacuum arc
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分类号
TN12-34
[电子电信—物理电子学]
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