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基于100 nm砷化镓pHEMT工艺的C波段宽带低噪声放大器芯片
被引量：
2
1
作者
田洪亮
何美林
刘海文
《天文学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期34-42,共9页
作为射电天文接收机系统的关键器件,低噪声放大器的噪声和增益性能对接收机系统的灵敏度有重要影响.采用100 nm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pHEMT)工艺,研制了一款可覆盖C波段(4–8...
作为射电天文接收机系统的关键器件,低噪声放大器的噪声和增益性能对接收机系统的灵敏度有重要影响.采用100 nm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pHEMT)工艺,研制了一款可覆盖C波段(4–8 GHz)的低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA).所设计的LNA采用3级共源级联放大拓扑结构,栅极、漏极双电源供电.常温下测试表明,该LNA在4–8 GHz频段内平均噪声温度为60 K,在5 GHz处获得最低噪声温度50 K,通带内增益(31±1.5) dB,输入输出回波损耗均优于10 dB,芯片面积为2.1×1.1 mm^(2),可以应用于C波段射电天文接收机以及卫星通信系统等.
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关键词
仪器
望远镜
技术
:射电天文
技术
:
低
噪声
放大器
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职称材料
题名
基于100 nm砷化镓pHEMT工艺的C波段宽带低噪声放大器芯片
被引量：
2
1
作者
田洪亮
何美林
刘海文
机构
西安交通大学信息与通信工程学院
河北雄安太芯电子科技有限公司
出处
《天文学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期34-42,共9页
基金
国家自然科学基金项目(U1831201、62171363)
国家重点研发计划项目(2017YFE0128200)
+1 种基金
陕西省重点研发计划国际科技合作计划重点项目(2022KWZ-15)
陕西省深空探测智能信息技术重点实验室项目(2021SYS-04)资助。
文摘
作为射电天文接收机系统的关键器件,低噪声放大器的噪声和增益性能对接收机系统的灵敏度有重要影响.采用100 nm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pHEMT)工艺,研制了一款可覆盖C波段(4–8 GHz)的低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA).所设计的LNA采用3级共源级联放大拓扑结构,栅极、漏极双电源供电.常温下测试表明,该LNA在4–8 GHz频段内平均噪声温度为60 K,在5 GHz处获得最低噪声温度50 K,通带内增益(31±1.5) dB,输入输出回波损耗均优于10 dB,芯片面积为2.1×1.1 mm^(2),可以应用于C波段射电天文接收机以及卫星通信系统等.
关键词
仪器
望远镜
技术
:射电天文
技术
:
低
噪声
放大器
Keywords
instrumentation
telescopes
techniques:radio astronomy
techniques:low noise amplifier(LNA)
分类号
P111 [天文地球—天文学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于100 nm砷化镓pHEMT工艺的C波段宽带低噪声放大器芯片
田洪亮
何美林
刘海文
《天文学报》
CAS
CSCD
北大核心
2023
2
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