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应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺
1
作者
洪慧
韩雁
叶晓伟
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期1715-1718,共4页
介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺...
介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力.
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关键词
等离子平板显示屏
扫描驱动集成电路
场氧栅
高压
驱动
电路
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职称材料
题名
应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺
1
作者
洪慧
韩雁
叶晓伟
机构
浙江大学微电子与光电子研究所
杭州电子科技大学微电子CAD研究所
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期1715-1718,共4页
基金
浙江省科技计划资助项目(2004C31094)
文摘
介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力.
关键词
等离子平板显示屏
扫描驱动集成电路
场氧栅
高压
驱动
电路
Keywords
plasma display panel（PDP）
scan driver intergrated circuit
field-oxide gate
high voltage driver circuit
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺
洪慧
韩雁
叶晓伟
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
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