用扫描电容显微镜(SCM)研究金基底上的铝纳米粒子 被引量：1

1

作者 刘赛锦 侯士敏 +3 位作者 申自勇 张琦锋 郭等柱 薛增泉 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期364-368,共5页

对升高模式扫描电容显微镜 (LM SCM)进行了理论分析 ,发现在小振幅近似下针尖的振幅直接正比于样品表面电容的梯度分布。利用升高模式扫描电容显微镜 (LM SCM)研究了金基底上铝纳米粒子的形貌和表面电容 ,分析了电容像的衬度与针尖的提... 对升高模式扫描电容显微镜 (LM SCM)进行了理论分析 ,发现在小振幅近似下针尖的振幅直接正比于样品表面电容的梯度分布。利用升高模式扫描电容显微镜 (LM SCM)研究了金基底上铝纳米粒子的形貌和表面电容 ,分析了电容像的衬度与针尖的提升高度之间关系 ,并在实验中得到了验证。 展开更多

关键词 扫描电容显微镜 铝纳米粒子 金基底

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使用扫描力显微镜测量表面电容 被引量：1

2

作者 张兆祥 赵兴钰 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第A10期244-248,共5页

叙述了两种类型（接触模式和非接触模式）扫描电容显微镜的工作原理，并叙述了不同类型扫描电容显微镜的应用领域。接触模式扫描电容显微镜可以得到样品形貌像、电容像和载流子密度像，非接触模式扫描电容显微镜可以得到样品形貌像、电... 叙述了两种类型（接触模式和非接触模式）扫描电容显微镜的工作原理，并叙述了不同类型扫描电容显微镜的应用领域。接触模式扫描电容显微镜可以得到样品形貌像、电容像和载流子密度像，非接触模式扫描电容显微镜可以得到样品形貌像、电容梯义像和分布像。 展开更多

关键词 扫描力显微镜 表面电容 测量 半导体器件

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扫描探针显微镜针尖电容的测量与应用 被引量：2

3

作者 孙浩明 王志红 +1 位作者 曾慧中 古曦 《电子测量技术》 2009年第2期163-165,169,共4页

本文基于扫描探针显微镜(SPM)建立了微区电容的低频测量系统,最小测量电容为30aF,工作频率为20～100kHz。试验测量了SPM导电针尖与金属样品之间的电容Ctip与它们之间的距离z关系曲线,并同时通过光学系统测量了针尖的关于频率的一次受力... 本文基于扫描探针显微镜(SPM)建立了微区电容的低频测量系统,最小测量电容为30aF,工作频率为20～100kHz。试验测量了SPM导电针尖与金属样品之间的电容Ctip与它们之间的距离z关系曲线,并同时通过光学系统测量了针尖的关于频率的一次受力信号Fw与z的关系曲线。推导了两种测量方法所获曲线的内在关系,并获得了针尖与样品的表面势之差。并且,利用此系统测量了Al0.3Ga0.7N/GaN薄膜的微区C-V曲线,获得和宏观C-V曲线趋势一致的结果。 展开更多

关键词 扫描探针显微镜 微区电容 锁相放大 C-z曲线 C-V曲线

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微波近场扫描显微镜无损介质层透视探测成像 被引量：1

4

作者 马慧瑾 白明 +1 位作者 邵一鹏 苗俊刚 《现代电子技术》 2012年第10期68-72,共5页

在分析新型微波近场扫描显微镜同轴谐振腔工作模式的基础上,采用了S参量测量谐振腔多谐振频点S21幅值和相位的工作方式。为满足探测非透明物体内部隐藏结构的需求,利用谐振腔微扰理论和隐失场探测原理,实验测得介质层下金属隐藏结构的... 在分析新型微波近场扫描显微镜同轴谐振腔工作模式的基础上,采用了S参量测量谐振腔多谐振频点S21幅值和相位的工作方式。为满足探测非透明物体内部隐藏结构的需求,利用谐振腔微扰理论和隐失场探测原理,实验测得介质层下金属隐藏结构的扫描微波图像,实现约0.01λ超分辨率的清晰图像。讨论了采用微波近场扫描显微镜方法进行的非透明物体内部无损探测技术,为进一步应用于物体内部无损探测和检验提供了重要的研究基础。 展开更多

关键词 无损透视探测 微波近场扫描显微镜 隐失场 电容加载同轴谐振腔 探针

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AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文) 被引量：2

5

作者 李永富 唐恒敬 +5 位作者 朱耀明 李淘 殷豪 李天信 李雪 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期401-405,共5页

为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM）获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束... 为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM）获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流（LBIC）技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间. 展开更多

关键词 扫描电容显微镜(scm) 激光束诱导电流(LBIC) 光生载流子扩散 保护环 INP/INGAAS

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晶界对低压电解电容器铝箔腐蚀结构的影响 被引量：9

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作者 毛卫民 陈垒 +2 位作者 萨丽曼 余永宁 李云峰 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-5,共5页

采用扫描电子显微镜和背散射电子取向成像技术分析研究了低压电解电容器用阳极铝箔的腐蚀结构、晶粒尺寸和晶界分布对比电容的影响及相关机理。结果表明,在铝箔的晶界附近,尤其是大角度晶界附近容易出现尺寸较大的腐蚀孔坑或沟道,造成... 采用扫描电子显微镜和背散射电子取向成像技术分析研究了低压电解电容器用阳极铝箔的腐蚀结构、晶粒尺寸和晶界分布对比电容的影响及相关机理。结果表明,在铝箔的晶界附近,尤其是大角度晶界附近容易出现尺寸较大的腐蚀孔坑或沟道,造成腐蚀结构的不均匀性并降低比电容。该晶界优先腐蚀的现象起因于晶界的高缺陷密度和与之相应的腐蚀电流密度的局部集中。增加晶界密度可以降低杂质原子偏聚程度和电流密度分布的不均匀性,因此在一些特定的电化学腐蚀条件下可以借助减小晶粒尺寸的方式提高比电容。 展开更多

关键词 电解电容器 铝箔 晶界 腐蚀结构 扫描电子显微镜 背散射电子取向成像技术

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韩国科学家研发出新型石墨烯超级电容器 被引量：2

7

作者 刘兰兰 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1351-1352,共2页

近日,《经济学人》杂志发表文章重点报道了韩国光州科学技术院Lu Wu的研究工作,Lu博士和其同事们已经研发出新型石墨烯的制备方法,并且用此石墨烯能够制备出更高性能的超级电容器。《经济学人》杂志上刊登的文章报道了一些令人难以置信... 近日,《经济学人》杂志发表文章重点报道了韩国光州科学技术院Lu Wu的研究工作,Lu博士和其同事们已经研发出新型石墨烯的制备方法,并且用此石墨烯能够制备出更高性能的超级电容器。《经济学人》杂志上刊登的文章报道了一些令人难以置信的声明,如韩国研究人员制备的石墨烯超级电容器的比能量比锂离子（Li—ion）电池更高，而且，发表在《Journal of Power Sciences》上的研究论文提供了一份没有广泛宣传但仍然令人印象深刻的研究成果清单。 展开更多

关键词 超级电容器 石墨烯 文章报道 经济学人 比电容 恒流充放电 扫描电子显微镜 比能 化学性能 纳米片

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微量Mg对高压电子铝箔腐蚀结构的影响 被引量：27

8

作者 毛卫民 杨宏 +2 位作者 余永宁 冯惠平 徐进 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1057-1060,共4页

采用立方织构定量检测以及扫描电子显微镜下观察腐蚀结构等手段 ,对比了不同微量Mg元素含量的高压电解电容器阳极铝箔在织构和腐蚀结构上的差别 ,研究了Mg含量对高压电解电容器阳极铝箔比电容的影响。分析表明 :Mg含量从 0 .0 0 0 1%提... 采用立方织构定量检测以及扫描电子显微镜下观察腐蚀结构等手段 ,对比了不同微量Mg元素含量的高压电解电容器阳极铝箔在织构和腐蚀结构上的差别 ,研究了Mg含量对高压电解电容器阳极铝箔比电容的影响。分析表明 :Mg含量从 0 .0 0 0 1%提高到 0 .0 0 14 %时 ,Mg会更多富集于铝箔表面 ,促使腐蚀形成的氧化膜中出现含Mg的复合氧化物微小颗粒 ,进而引起腐蚀隧道的侧向发展 ;频繁的侧向发展可导致表层腐蚀组织剥落 ,进而使铝箔在 5 0 0V的比电容从 7.3× 10 -3 F/m2 降低到 4 .3× 10 -3 F/m2 。 展开更多

关键词 电解电容器 铝箔 腐蚀 镁 扫描电子显微镜 立方织构 比电容

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高温退火对阴极铝箔腐蚀性能的影响 被引量：10

9

作者 靳丽 张新明 +2 位作者 唐建国 游江海 周卓平 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期423-427,共5页

采用扫描电子显微镜、透射电镜分析和腐蚀量试验,研究了高温退火对铝箔第二相形貌及分布和对阴极箔腐蚀性能的影响。结果表明:3003合金中第二相粒子呈条状时,其周围基体中的位错密度分布不均,尖角部位位错密度高,成为优先腐蚀的区域,导... 采用扫描电子显微镜、透射电镜分析和腐蚀量试验,研究了高温退火对铝箔第二相形貌及分布和对阴极箔腐蚀性能的影响。结果表明:3003合金中第二相粒子呈条状时,其周围基体中的位错密度分布不均,尖角部位位错密度高,成为优先腐蚀的区域,导致阴极箔腐蚀形貌不均,易发生剥落腐蚀;第二相粒子呈球状且弥散分布时,阴极箔的腐蚀均匀性好,无剥落腐蚀;在630℃高温下退火,第二相发生溶解,并在空冷时重新析出,重新析出的第二相数目减少,形状细小且弥散分布在基体中,从而提高了铝箔的抗腐蚀性能和腐蚀均匀性。630℃退火4h为最佳工艺。 展开更多

关键词 阴极铝箔 腐蚀性能 高温退火 扫描电子显微镜 透射电镜 腐蚀量试验 铝电解电容器

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碲基复合薄膜在纳米尺度下的电学特性研究

10

作者 甘平 辜敏 +1 位作者 卿胜兰 鲜晓东 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1455-1458,共4页

分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜(AFM/SPM)在纳米尺度下对碲基复合(Te/TeO2-SiO2)薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8V,反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV,相对... 分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜(AFM/SPM)在纳米尺度下对碲基复合(Te/TeO2-SiO2)薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8V,反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV,相对介电常数小于以硅为主要成分的衬底相对介电常数。利用光谱分析,碲基复合薄膜的禁带宽度约为3.14eV。 展开更多

关键词 碲基复合薄膜 原子力/扫描探针显微镜 表面电势 电容梯度

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平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究

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作者 张帅君 李天信 +6 位作者 王文静 李菊柱 邵秀梅 李雪 郑时有 庞越鹏 夏辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期262-268,共7页

在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电... 在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。 展开更多

关键词 扫描电容显微(scm) InGaAs平面型探测器 扩散行为 光电流响应

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