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InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制
被引量：
2
1
作者
李永富
唐恒敬
+7 位作者
李淘
朱耀明
汪洋
殷豪
李天信
缪国庆
李雪
龚海梅
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009年第6期951-956,共6页
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素...
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义。
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关键词
二次离子质谱
扫描
电容
显
微
技术
ZN扩散
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职称材料
平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究
2
作者
张帅君
李天信
+6 位作者
王文静
李菊柱
邵秀梅
李雪
郑时有
庞越鹏
夏辉
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期262-268,共7页
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电...
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。
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关键词
扫描
电容
显
微
(
scm
)
InGaAs平面型探测器
扩散行为
光电流响应
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职称材料
题名
InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制
被引量：
2
1
作者
李永富
唐恒敬
李淘
朱耀明
汪洋
殷豪
李天信
缪国庆
李雪
龚海梅
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院研究生院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009年第6期951-956,共6页
基金
国家自然科学基金重点资助项目(50632060)
中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿资助项目(C2-32
C2-50)
文摘
采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义。
关键词
二次离子质谱
扫描
电容
显
微
技术
ZN扩散
Keywords
Secondary ion mass spectroscopy （SIMS）
Scanning capacitance microscopy （
scm
）
Zn diffusion
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究
2
作者
张帅君
李天信
王文静
李菊柱
邵秀梅
李雪
郑时有
庞越鹏
夏辉
机构
上海理工大学材料科学与工程学院
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
上海师范大学数理学院
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期262-268,共7页
基金
国家自然科学基金(11574336,11991063)
中国科学院战略性先导科技专项(XDB43010200)
上海市自然科学基金(18JC1420401,19ZR1465700,14ZR1446200)。
文摘
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。
关键词
扫描
电容
显
微
(
scm
)
InGaAs平面型探测器
扩散行为
光电流响应
Keywords
Scanning Capacitance Microscopy(
scm
)
planar InGaAs detector
diffusion behavior
photocurrent response
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制
李永富
唐恒敬
李淘
朱耀明
汪洋
殷豪
李天信
缪国庆
李雪
龚海梅
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2009
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
平面型InGaAs探测结构中p型杂质的二维扩散行为研究
张帅君
李天信
王文静
李菊柱
邵秀梅
李雪
郑时有
庞越鹏
夏辉
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
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