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基于肖特基电流输运模型和扫描分布电阻显微术的窄量子阱载流子浓度表征(英文)
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作者 黄文超 王晓芳 +2 位作者 陈效双 薛玉雄 杨生胜 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期668-672,共5页
目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模... 目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模型。通过小于10nm分辨的截面扫描分布电阻显微术,测得了GaAs/AlGaAs量子阱(110)截面的局域电导分布。基于实验设置,提出了只含有掺杂浓度参量的实验描述模型。通过模型,由测得的量子阱(掺杂浓度从10^(16)/cm^3到10^(18)/cm^3)局域电导分布,推导出了其载流子分布。相对误差在30%之内。 展开更多
关键词 载流子浓度 量子阱 扫描分布电阻显微术 肖特基
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