扩散硅压力传感器在水力模型实验装置液位测控中的应用 被引量：4

1

作者 刘照红 王留芳 吴娟 《郑州轻工业学院学报（自然科学版）》 CAS 2004年第4期77-79,共3页

基于扩散硅压力传感器良好线性标准输出,结合方便的校验、标定方法,通过接口电路,将扩散硅压力传感器作为压力测量元件,应用于水力模型实验装置过程控制系统.该设计不仅使测量精度得到提高,克服了量程迁移误差,而且由于它采用标准输出,... 基于扩散硅压力传感器良好线性标准输出,结合方便的校验、标定方法,通过接口电路,将扩散硅压力传感器作为压力测量元件,应用于水力模型实验装置过程控制系统.该设计不仅使测量精度得到提高,克服了量程迁移误差,而且由于它采用标准输出,易于实现多点集成化、数字化网络测量与控制. 展开更多

关键词 扩散硅压力传感器 过程控制系统 接口电路 输出 液位 多点 测控 实验装置 克服 量程

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扩散硅压力变送器温度补偿研究 被引量：1

2

作者 张立新 刘娜 赵楠 《北京石油化工学院学报》 2008年第2期19-22,共4页

扩散硅压力变送器测量精度高、动态响应快。当把它应用于温度变化范围较大的环境时,虽然变送器内部进行了硬件温度补偿,它的零点迁移还会随温度变化较大。通过实验测得一组扩散硅压力变送器随温度变化的零点迁移数据,然后采用分段线性... 扩散硅压力变送器测量精度高、动态响应快。当把它应用于温度变化范围较大的环境时,虽然变送器内部进行了硬件温度补偿,它的零点迁移还会随温度变化较大。通过实验测得一组扩散硅压力变送器随温度变化的零点迁移数据,然后采用分段线性插值法得到一个随温度变化的零点迁移补偿函数。在实际应用中利用零点迁移函数对各个温度点进行软件零点迁移补偿,从而可以大大提高信号检测精度。 展开更多

关键词 扩散硅压力变送器 零点迁移 温度补偿 测量精度

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一种扩散硅压力式密度静态测量系统

3

作者 党选举 陈辉 李平 《电子技术应用》 北大核心 2001年第7期38-40,共3页

全面实现轻化工过程的自动控制，溶液的密度（或浓度）等成分的测量是一个关键问题。通过多个扩散硅压力式传感器，结合单片机系统，实现了溶液密度的静态测量，并取得了较好的实验测量效果。

关键词 扩散硅压力传感器 静态测量系统 密度 单片机 自动控制

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扩散硅压力传感器及变送器参数测试系统 被引量：5

4

作者 刘继勇 刘星 《西安工业学院学报》 2002年第3期225-229,共5页

采用具有自校验和信号调理功能的 2 4位ADC ,开发设计了一种高精度数据采集系统 .该系统能对扩散硅压阻传感器和变送器的特性参数进行高精度的检测 ;同时 ,亦可对热电偶等具有毫伏信号输出的传感器进行检测和标定 .作者阐述了该测试系... 采用具有自校验和信号调理功能的 2 4位ADC ,开发设计了一种高精度数据采集系统 .该系统能对扩散硅压阻传感器和变送器的特性参数进行高精度的检测 ;同时 ,亦可对热电偶等具有毫伏信号输出的传感器进行检测和标定 .作者阐述了该测试系统的原理和构成 ,介绍了软硬件设计 . 展开更多

关键词 测试系统 扩散硅压阻传感器 压力变送器 高精度检测 特性参数 数据采集系统

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扩散硅压阻式压力传感器非线性误差纠正方法 被引量：7

5

作者 杨秋菊 王彤 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期466-472,共7页

针对扩散硅压阻式压力传感器非线性误差纠正易受到误差传递算法的影响,导致纠正后最大相对波动较高的问题,本文提出基于恢复函数的压力传感器非线性误差纠正方法。采集扩散硅压阻式压力传感器信号数据,去除噪音信号,以恢复函数为基础,... 针对扩散硅压阻式压力传感器非线性误差纠正易受到误差传递算法的影响,导致纠正后最大相对波动较高的问题,本文提出基于恢复函数的压力传感器非线性误差纠正方法。采集扩散硅压阻式压力传感器信号数据,去除噪音信号,以恢复函数为基础,设计传感器的非线性误差传递算法;利用支持向量机算法构建非线性误差校正模型,再通过遗传算法优化模型参数,实现误差的良好补偿。实验结果表明:本文所提出的纠正方法应用效果与文献相比,传感器的最大相对波动分别降低了13.53%与7.08%,具有更优的应用性能,值得推广。 展开更多

关键词 恢复函数 扩散硅压阻式压力传感器 非线性误差 校正模型 支持向量机 遗传算法 测量误差分布 补偿

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扩散硅液位变送器测量系统的可靠性设计 被引量：1

6

作者 孙钊 刘继勇 刘星 《西安工业学院学报》 2005年第3期232-234,238,共4页

以系统的可靠性为目标对扩散硅液位变送器测量系统进行综合设计和技术改进.通过对系统的软、硬件功能的合理分配和对关键技术难点解决方案的选择,以及兼容设计、降额设计、抗干扰设计等可靠性保障技术的应用提高了扩散硅液位变送器测量... 以系统的可靠性为目标对扩散硅液位变送器测量系统进行综合设计和技术改进.通过对系统的软、硬件功能的合理分配和对关键技术难点解决方案的选择,以及兼容设计、降额设计、抗干扰设计等可靠性保障技术的应用提高了扩散硅液位变送器测量系统的测量精度和可靠性指标.这种方法成本低,仪器安装方便.同时,本文也为其他小型智能化仪表的可靠性保障设计提供了一种思路和方法. 展开更多

关键词 扩散硅 液位变送器 兼容设计 可靠性设计 智能化仪表

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扩散硅压力传感器失效研究 被引量：1

7

作者 刘炳 林杰锋 《电子产品可靠性与环境试验》 2023年第3期48-55,共8页

扩散硅压力传感器具有精度高、利于小型化和智能化等特点而被广泛使用。针对该类传感器出现的不同失效模式,合理采用X射线检测系统、OBIRCH定位、荧光定位和SEM&EDS等技术,可以快速准确地定位失效位置。列举了芯片破裂、过电击穿、... 扩散硅压力传感器具有精度高、利于小型化和智能化等特点而被广泛使用。针对该类传感器出现的不同失效模式,合理采用X射线检测系统、OBIRCH定位、荧光定位和SEM&EDS等技术,可以快速准确地定位失效位置。列举了芯片破裂、过电击穿、腐蚀迁移和连接不良等典型的失效案例,并介绍了在实际分析过程中如何应用上述定位分析手段,对分析类似失效案例起到了一定的参考作用。 展开更多

关键词 扩散硅压力传感器 失效分析 荧光定位 光诱导电阻变化 X射线

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扩散硅全桥应变计的研制

8

作者 马萍 陈丽娟 吕萍英 《黑龙江电子技术》 1999年第2期6-7,共2页

对扩散硅全桥应变计的设计、工艺进行了全面的分析和介绍。提出了一套适合批量生产的工艺技术。在研制中对工艺中的关键技术进行了特殊的处理。

关键词 扩散硅 平面工艺 硅 应变计

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利用计算机进行扩散硅压阻器件零点的温度补偿

9

作者 岑永祚 《天津成人高等学校联合学报》 2004年第2期73-75,共3页

　通过建立数学模型,对扩散硅力一电转换装置进行了温度补偿实验,达到了很好的效果,理论和实验有很高的实用价值。

关键词 扩散硅压阻器件 零点 温度补偿 数学模型 集成电路 压力传感器

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扩散硅压力传感器在水文中的应用

10

作者 刘伯林 《世界电子元器件》 1996年第9期46-47,共2页

本文仅以L18系列为例,简介固态压阻传感器及其在测量水文一些要素中的应用。 各种进口扩散硅系列固态压阻传感器均以单晶硅为基体,按特定晶体面,根据不同的受力形式分别加工成杯、梁、柱、膜等形状作为弹性应变元件,在弹性应变元件的适... 本文仅以L18系列为例,简介固态压阻传感器及其在测量水文一些要素中的应用。 各种进口扩散硅系列固态压阻传感器均以单晶硅为基体,按特定晶体面,根据不同的受力形式分别加工成杯、梁、柱、膜等形状作为弹性应变元件,在弹性应变元件的适当位置。 展开更多

关键词 水文 压力传感器 扩散硅系列 应用

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汽车用扩散硅压力传感器的设计

11

作者 黄赓才 《教师》 2012年第20期124-125,共2页

本文介绍汽车用扩散硅压力传感器的工作原理，根据惠斯通电桥原理，进行其传感器接口电路设计、系统的软件设计，分析压力传感器的输出随温度变化的原因，并通过实验验证其效果。

关键词 扩散硅 惠斯通电桥 传感器

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DLH2系列扩散硅液位变送器

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作者 于吉才 李杰 《国外电子元器件》 1996年第3期27-28,共2页

ＤＬＨ２系列扩散硅液位变送器大连仪表元件厂于吉才李杰１、概述ＤＬＨ２系列液位变送器采用了大连仪表元件厂引进美国生产线生产的力敏元件做为液位检测的核心元件。变送器主要包括：投入部、导气电缆和中继箱。投入部采用不锈钢或耐... ＤＬＨ２系列扩散硅液位变送器大连仪表元件厂于吉才李杰１、概述ＤＬＨ２系列液位变送器采用了大连仪表元件厂引进美国生产线生产的力敏元件做为液位检测的核心元件。变送器主要包括：投入部、导气电缆和中继箱。投入部采用不锈钢或耐腐蚀壳体，因此可以检测腐蚀性和非腐... 展开更多

关键词 液位变送器 扩散硅变送器 变送器

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硅烷CVD法在钢基体表面生成硅扩散涂层 被引量：2

13

作者 杜平凡 沃银花 +2 位作者 姚奎鸿 王勇 李晔 《浙江理工大学学报（自然科学版）》 2005年第3期266-268,共3页

采用硅烷(SiH4)直接分解的化学气相沉积技术(CVD),在钢基体表面生成硅扩散涂层。X射线衍射(XRD)分析表明硅扩散涂层的主要成分是铁的硅化物FeSi。用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,发现涂层颗粒之间相互紧密粘结。金相照片显示,... 采用硅烷(SiH4)直接分解的化学气相沉积技术(CVD),在钢基体表面生成硅扩散涂层。X射线衍射(XRD)分析表明硅扩散涂层的主要成分是铁的硅化物FeSi。用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,发现涂层颗粒之间相互紧密粘结。金相照片显示,涂层与基体之间没有明显的界面,形成良好的扩散结合。 展开更多

关键词 硅烷 钢基体 硅扩散涂层 气相沉积法

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硅扩散型半导体传感器光刻掩模设计

14

作者 曹洪倩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期34-40,共7页

本文从单晶硅材料的某些性质和压阻原理出发,对硅扩散型半导体压力传感器的光刻掩模版设计进行了较为全面地探讨,从而提出五种方案。文中还指明了某些使用条件下的最佳方案。

关键词 半导体 传感器 硅扩散型 掩模

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1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制 被引量：4

15

作者 应贤炜 王建浩 +3 位作者 王佃利 刘洪军 严德圣 顾晓春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期207-212,共6页

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%... 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管

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2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管 被引量：3

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作者 应贤炜 王佃利 +5 位作者 李相光 梅海 吕勇 刘洪军 严德圣 杨立杰 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-405,共5页

针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率... 针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比、18W输入功率的测试条件下,输出功率大于2 000 W,增益大于20.4dB,漏极效率大于66.2%,抗失配通过10∶1。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 千瓦 微波功率晶体管

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S波段200 W硅LDMOS功率管研制 被引量：1

17

作者 刘洪军 赵杨杨 +3 位作者 鞠久贵 杨兴 王佃利 杨勇 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第5期333-338,共6页

研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个... 研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个LDMOS芯片合成实现大功率输出。最终实现的S波段大功率硅LDMOS器件性能为:在32 V工作电压,3.1~3.5 GHz频带内,300μs脉宽,15%占空比的工作条件下,输出功率大于200 W,增益大于9 dB,效率大于42%。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 S波段 功率管

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太阳电池生产用管式扩散炉的数值模拟——匀流板对流场的影响

18

作者 侯立宏 刘祖明 +3 位作者 申兰先 张卫东 朱勋梦 王文仪 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期161-165,共5页

以晶硅电池生产用管式扩散炉的内部流体状况为研究对象,用计算流体力学方法对管式扩散炉进行数学建模及流体力学数值模拟计算;对扩散炉内放置与未放置匀流板的流场状况进行对比研究;分析匀流板对扩散炉内部温度场、速度场、密度梯度场... 以晶硅电池生产用管式扩散炉的内部流体状况为研究对象,用计算流体力学方法对管式扩散炉进行数学建模及流体力学数值模拟计算;对扩散炉内放置与未放置匀流板的流场状况进行对比研究;分析匀流板对扩散炉内部温度场、速度场、密度梯度场的影响及成因;认为装有匀流板的扩散炉内流体的速度场可给予硅片更为充足的磷源;发现匀流板附近存在着复杂的涡流区,认为该涡流区是决定扩散炉内温度场分布均匀程度的根本原因与关键因素。 展开更多

关键词 晶硅太阳电池管式扩散炉 计算流体力学 数值模拟 流场状况 匀流板

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千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究

19

作者 黄乐旭 应贤炜 +3 位作者 梅海 丁晓明 杨建 王佃利 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2019年第9期76-82,共7页

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并... 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W。在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100μs、占空比为20%、输入功率为6 W的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23.5 dB,漏极效率74.4%,电压驻波比10∶1。该晶体管已实现工程应用。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管

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基于CAN总线与ZigBee的矿井下锚杆应力监测系统设计

20

作者 孔德鸿 《无线互联科技》 2024年第5期19-23,共5页

早期矿井下,用于顶板工作面的锚杆应力采集装置,多采用电缆线将检测结果传送至井下基站,使得网络布线繁杂、移动不便、维护困难。为此,文章设计了一套基于ZigBee无线技术与CAN总线的应力监测系统。该系统采用扩散硅压力传感器对分布在... 早期矿井下,用于顶板工作面的锚杆应力采集装置,多采用电缆线将检测结果传送至井下基站,使得网络布线繁杂、移动不便、维护困难。为此,文章设计了一套基于ZigBee无线技术与CAN总线的应力监测系统。该系统采用扩散硅压力传感器对分布在顶板上的锚杆应力进行检测,通过ZigBee无线技术传送至通信分站,然后采用CAN总线技术将接收到的压力值传送至地面监控中心,便于对历史数据进行分析,达到预防顶板塌方的目的。通过大量的实验,文章验证了该套系统的可行性。 展开更多

关键词 锚杆应力 扩散硅 ZigBee无线技术 CAN总线 监测系统

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