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双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响
1
作者
刘博
王磊
+3 位作者
冯志刚
王俊
李文军
程秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期247-250,共4页
基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分...
基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分析表明,这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层,进而改变了器件不同区域内部电场分布所致。同时模拟研究还表明,在Isub第一极大值条件下应力所致的器件退化,主要是由器件漏/沟道耗尽区域的电场强度增加引起的;而在Isub第二极值条件下的应力诱发器件退化,则主要是由漏端欧姆接触附近的电场加强所致。
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关键词
高压器件
扩展漏端mos
衬底电流
热载流子注入
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职称材料
题名
双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响
1
作者
刘博
王磊
冯志刚
王俊
李文军
程秀兰
机构
上海交通大学微电子学院
上海宏力半导体制造有限公司
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期247-250,共4页
文摘
基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分析表明,这主要是由于持续电压负载引起器件内部界面态的变化和电子注入场氧层,进而改变了器件不同区域内部电场分布所致。同时模拟研究还表明,在Isub第一极大值条件下应力所致的器件退化,主要是由器件漏/沟道耗尽区域的电场强度增加引起的;而在Isub第二极值条件下的应力诱发器件退化,则主要是由漏端欧姆接触附近的电场加强所致。
关键词
高压器件
扩展漏端mos
衬底电流
热载流子注入
Keywords
high voltage device
drain extended
mos
substrate current
hot carrier injection
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响
刘博
王磊
冯志刚
王俊
李文军
程秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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