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基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路
被引量：
1
1
作者
郭清
朱大中
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期2391-2394,2398,共5页
研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁...
研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62V/T.
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关键词
扇形分裂漏磁敏晶体管
同步取样
互补金属氧化物半导体
磁
敏
传感器
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职称材料
三漏CMOS磁敏器件
2
作者
汪东旭
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1990年第4期51-54,共4页
采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用...
采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用MOS表面的反型导电层做MOS霍尔元件,曾达到10~3V/AT的灵敏度.而后由Fry和Hoey提出用双漏MOS场效应晶体管做成灵敏度达10~4V/AT的磁敏元件.由于负载电阻大,稳定性较差,Popovic和Baltes又进一步用这种晶体管做成CMOS差分放大器结构形式,得到了有同样灵敏度且较稳定的磁敏器件.
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关键词
磁
敏
器件
三
漏
霍尔元件
场效应
晶体管
差分放大器
矩形结构
沟道长度
导电层
负载电阻
单端输出
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职称材料
三漏CMOS磁敏开关的设计
3
作者
樊大伟
严利民
+1 位作者
汪东旭
丛锋
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2005年第1期53-54,57,共3页
介绍了一种新型的磁敏开关。它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成,将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上。该磁敏开关具有稳定性能好、灵敏度高、功耗低、抗干扰等优点,单端输出灵敏度可达4V/T...
介绍了一种新型的磁敏开关。它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成,将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上。该磁敏开关具有稳定性能好、灵敏度高、功耗低、抗干扰等优点,单端输出灵敏度可达4V/T。由于采用了现有的硅栅CMOS工艺,实现起来更加容易。
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关键词
磁
敏
开关
三
漏
MOS
晶体管
高灵
敏
度
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职称材料
题名
基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路
被引量：
1
1
作者
郭清
朱大中
机构
浙江大学信息学院微电子技术与系统设计研究所
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期2391-2394,2398,共5页
基金
国家自然科学基金(NSFC)资助(90307009)
文摘
研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62V/T.
关键词
扇形分裂漏磁敏晶体管
同步取样
互补金属氧化物半导体
磁
敏
传感器
Keywords
sector split-drain MAGFET
synchronized sampling
CMOS
magnetic sensor
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP212.13 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
三漏CMOS磁敏器件
2
作者
汪东旭
机构
上海科技大学分部
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1990年第4期51-54,共4页
文摘
采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用MOS表面的反型导电层做MOS霍尔元件,曾达到10~3V/AT的灵敏度.而后由Fry和Hoey提出用双漏MOS场效应晶体管做成灵敏度达10~4V/AT的磁敏元件.由于负载电阻大,稳定性较差,Popovic和Baltes又进一步用这种晶体管做成CMOS差分放大器结构形式,得到了有同样灵敏度且较稳定的磁敏器件.
关键词
磁
敏
器件
三
漏
霍尔元件
场效应
晶体管
差分放大器
矩形结构
沟道长度
导电层
负载电阻
单端输出
分类号
TP212-55 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
三漏CMOS磁敏开关的设计
3
作者
樊大伟
严利民
汪东旭
丛锋
机构
上海大学微电子研究与开发中心
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2005年第1期53-54,57,共3页
文摘
介绍了一种新型的磁敏开关。它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成,将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上。该磁敏开关具有稳定性能好、灵敏度高、功耗低、抗干扰等优点,单端输出灵敏度可达4V/T。由于采用了现有的硅栅CMOS工艺,实现起来更加容易。
关键词
磁
敏
开关
三
漏
MOS
晶体管
高灵
敏
度
Keywords
magnetic-field sensitive switch
triple-drain MOS transistor
high sensitivity
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路
郭清
朱大中
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
在线阅读
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职称材料
2
三漏CMOS磁敏器件
汪东旭
《传感技术学报》
CAS
CSCD
1990
0
在线阅读
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职称材料
3
三漏CMOS磁敏开关的设计
樊大伟
严利民
汪东旭
丛锋
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2005
0
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职称材料
已选择
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