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扇出型晶圆级封装翘曲控制的研究进展
1
作者
张需
张志模
+1 位作者
李奇哲
王刚
《半导体技术》
北大核心
2025年第7期666-675,共10页
扇出型晶圆级封装(FOWLP)凭借其体积小、I/O端口密度高、成本低等优势受到科研人员的广泛关注与研究,但晶圆在封装过程中的翘曲却严重影响了产品良率与可靠性。从材料改进创新、工艺流程优化、设计结构改进、仿真精确化四个角度,系统综...
扇出型晶圆级封装(FOWLP)凭借其体积小、I/O端口密度高、成本低等优势受到科研人员的广泛关注与研究,但晶圆在封装过程中的翘曲却严重影响了产品良率与可靠性。从材料改进创新、工艺流程优化、设计结构改进、仿真精确化四个角度,系统综述了现有FOWLP翘曲的优化方法,分析了各方法的优势与不足,并总结了其发展趋势。研究结果表明,低热膨胀系数(CTE)和高模量材料开发以及工艺流程优化对改善FOWLP翘曲具有关键作用,可为后续研究提供重要参考。
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关键词
扇
出
型晶
圆
级
封装
(
fowlp
)
翘曲
重构晶
圆
环氧塑封料(EMC)
有限元分析(FEA)
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职称材料
电-热-力耦合下扇出型晶圆级封装RDL导电层热-力可靠性分析
2
作者
武瑞康
臧柯
+2 位作者
范超
王蒙军
吴建飞
《半导体技术》
2025年第9期955-964,共10页
为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-...
为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-力分布中,导电层起主导作用。与材料和厚度相比,导电层结构的过渡角度对RDL可靠性的影响相对较小。过渡角度在130°~160°范围内时,温度与应力极值波动小于1%;0.8~15 GHz频段内,RDL的温度与应力极值会随频率升高而递增且上升速率逐渐减缓。正交试验结果表明,导电层材料对温度和应力极值的影响最为显著。经优化后,导电层最佳参数为:银材料,厚度10μm,过渡角度140°。该研究成果可为先进封装领域中RDL的结构设计与优化提供参考。
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关键词
扇
出
型晶
圆
级
封装
(
fowlp
)
导电层
重分布层(RDL)
多物理场
正交试验
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职称材料
题名
扇出型晶圆级封装翘曲控制的研究进展
1
作者
张需
张志模
李奇哲
王刚
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第7期666-675,共10页
基金
国家重点研发计划(2023YFB4404200)。
文摘
扇出型晶圆级封装(FOWLP)凭借其体积小、I/O端口密度高、成本低等优势受到科研人员的广泛关注与研究,但晶圆在封装过程中的翘曲却严重影响了产品良率与可靠性。从材料改进创新、工艺流程优化、设计结构改进、仿真精确化四个角度,系统综述了现有FOWLP翘曲的优化方法,分析了各方法的优势与不足,并总结了其发展趋势。研究结果表明,低热膨胀系数(CTE)和高模量材料开发以及工艺流程优化对改善FOWLP翘曲具有关键作用,可为后续研究提供重要参考。
关键词
扇
出
型晶
圆
级
封装
(
fowlp
)
翘曲
重构晶
圆
环氧塑封料(EMC)
有限元分析(FEA)
Keywords
fan-out wafer level packaging(
fowlp
)
warpage
reconstructed wafer
epoxy molding compound(EMC)
finite element analysis(FEA)
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
电-热-力耦合下扇出型晶圆级封装RDL导电层热-力可靠性分析
2
作者
武瑞康
臧柯
范超
王蒙军
吴建飞
机构
河北工业大学电子信息工程学院
出处
《半导体技术》
2025年第9期955-964,共10页
基金
国防科技大学ATR全国重点实验室滨海创新项目(BHCX-2023060101)。
文摘
为研究导电层对重分布层(RDL)可靠性的影响,基于电-热-力多物理场耦合建立扇出型晶圆级封装(FOWLP)互连结构多尺度三维模型。采用有限元分析法研究了导电层材料、厚度及过渡角度对RDL温度场和应力场分布的影响。研究结果显示,在RDL热-力分布中,导电层起主导作用。与材料和厚度相比,导电层结构的过渡角度对RDL可靠性的影响相对较小。过渡角度在130°~160°范围内时,温度与应力极值波动小于1%;0.8~15 GHz频段内,RDL的温度与应力极值会随频率升高而递增且上升速率逐渐减缓。正交试验结果表明,导电层材料对温度和应力极值的影响最为显著。经优化后,导电层最佳参数为:银材料,厚度10μm,过渡角度140°。该研究成果可为先进封装领域中RDL的结构设计与优化提供参考。
关键词
扇
出
型晶
圆
级
封装
(
fowlp
)
导电层
重分布层(RDL)
多物理场
正交试验
Keywords
fan-out wafer level packaging(
fowlp
)
conductive layer
redistribution layer(RDL)
multi-physic field
orthogonal experiment
分类号
TN405.97 [电子电信]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
扇出型晶圆级封装翘曲控制的研究进展
张需
张志模
李奇哲
王刚
《半导体技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
电-热-力耦合下扇出型晶圆级封装RDL导电层热-力可靠性分析
武瑞康
臧柯
范超
王蒙军
吴建飞
《半导体技术》
2025
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职称材料
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