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银基体上铜等离子体基离子注入层的成分分布
被引量：
3
1
作者
于伟东
夏立芳
+2 位作者
马欣新
孙跃
孙明仁
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期155-159,共5页
研究了银基体上铜等离子体基离子注入 (CuPBII)层成分深度分布与试验工艺参数的关系。选择影响注入离子能量的脉冲偏压和注入剂量的不平衡磁控靶放电电流和靶基距作为试验参数 ,用X射线光电子谱 (XPS)进行注入层成分深度分析。结果表明 ...
研究了银基体上铜等离子体基离子注入 (CuPBII)层成分深度分布与试验工艺参数的关系。选择影响注入离子能量的脉冲偏压和注入剂量的不平衡磁控靶放电电流和靶基距作为试验参数 ,用X射线光电子谱 (XPS)进行注入层成分深度分析。结果表明 ,对较高的脉冲偏压 (80kV)、中等的磁控靶电流 (75mA)和近的靶基距 (2 0 0mm) ,容易形成厚的银铜过渡层 (7.6μm) ,且铜离子注入、铜原子的反冲注入与铜的沉积很好地匹配。与气体等离子体基离子注入不同 ,铜的沉积速率成为影响银铜过渡层的又一决定因素。
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关键词
金属等离子体
等离子体基离子注入
成分深度分布
铜离子
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职称材料
等离子体基离子注入制备TiN膜的成分结构
被引量：
2
2
作者
李金龙
孙明仁
+2 位作者
马欣新
唐光泽
金银玉
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期40-43,共4页
采用Ti、N等离子体基离子注入和先在基体表面沉积纯钛层然后离子注氮混合两种方法在铝合金基体上制备了TiN膜.利用XPS分析了两种方法制备TiN薄膜的成分深度分布和元素化学价态,并用力学性能显微探针测试对比了TiN膜的纳米硬度.研究表明...
采用Ti、N等离子体基离子注入和先在基体表面沉积纯钛层然后离子注氮混合两种方法在铝合金基体上制备了TiN膜.利用XPS分析了两种方法制备TiN薄膜的成分深度分布和元素化学价态,并用力学性能显微探针测试对比了TiN膜的纳米硬度.研究表明:两种方法制备的薄膜均由TiN组成,Ti、N等离子体基离子注入薄膜中Ti/N≈1.1,而离子注入混合薄膜中Ti/N≈1.3,Ti、N等离子体基离子注入薄膜表面区域为TiN和TiO2的混合组织,TiN含量多于TiO2,离子注入混合薄膜表面主要是TiO2;Ti、N等离子体基离子注入所制备的薄膜的纳米硬度峰值为12.26 GPa,高于离子注入混合的7.98 GPa.
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关键词
等离子体基离子注入
TIN膜
XPS
成分深度分布
元素化学价态
纳米硬度
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职称材料
题名
银基体上铜等离子体基离子注入层的成分分布
被引量：
3
1
作者
于伟东
夏立芳
马欣新
孙跃
孙明仁
机构
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期155-159,共5页
文摘
研究了银基体上铜等离子体基离子注入 (CuPBII)层成分深度分布与试验工艺参数的关系。选择影响注入离子能量的脉冲偏压和注入剂量的不平衡磁控靶放电电流和靶基距作为试验参数 ,用X射线光电子谱 (XPS)进行注入层成分深度分析。结果表明 ,对较高的脉冲偏压 (80kV)、中等的磁控靶电流 (75mA)和近的靶基距 (2 0 0mm) ,容易形成厚的银铜过渡层 (7.6μm) ,且铜离子注入、铜原子的反冲注入与铜的沉积很好地匹配。与气体等离子体基离子注入不同 ,铜的沉积速率成为影响银铜过渡层的又一决定因素。
关键词
金属等离子体
等离子体基离子注入
成分深度分布
铜离子
Keywords
metal plasma
plasma based ion implantation
depth profile
copper ion
分类号
O614 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
等离子体基离子注入制备TiN膜的成分结构
被引量：
2
2
作者
李金龙
孙明仁
马欣新
唐光泽
金银玉
机构
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期40-43,共4页
基金
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20040213048)
文摘
采用Ti、N等离子体基离子注入和先在基体表面沉积纯钛层然后离子注氮混合两种方法在铝合金基体上制备了TiN膜.利用XPS分析了两种方法制备TiN薄膜的成分深度分布和元素化学价态,并用力学性能显微探针测试对比了TiN膜的纳米硬度.研究表明:两种方法制备的薄膜均由TiN组成,Ti、N等离子体基离子注入薄膜中Ti/N≈1.1,而离子注入混合薄膜中Ti/N≈1.3,Ti、N等离子体基离子注入薄膜表面区域为TiN和TiO2的混合组织,TiN含量多于TiO2,离子注入混合薄膜表面主要是TiO2;Ti、N等离子体基离子注入所制备的薄膜的纳米硬度峰值为12.26 GPa,高于离子注入混合的7.98 GPa.
关键词
等离子体基离子注入
TIN膜
XPS
成分深度分布
元素化学价态
纳米硬度
Keywords
plasma-based ion implantation
TiN film
XPS
coposition depth profiles
element chemical state
nano-hardness
分类号
TG174.4 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
银基体上铜等离子体基离子注入层的成分分布
于伟东
夏立芳
马欣新
孙跃
孙明仁
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
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职称材料
2
等离子体基离子注入制备TiN膜的成分结构
李金龙
孙明仁
马欣新
唐光泽
金银玉
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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