电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定稀土镁合金中锆 被引量：8

1

作者 鲍叶琳 刘鹏宇 《中国无机分析化学》 CAS 2013年第B10期83-85,共3页

以硝酸和硫酸溶解样品,通过选择元素间无干扰的光谱线343.823nm作为Zr的分析线,采用镁基体匹配,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定了稀土镁合金中锆,检出限为0.002μg/mL,方法用于稀土镁合金中锆的测定,加标回收率为103.5%... 以硝酸和硫酸溶解样品,通过选择元素间无干扰的光谱线343.823nm作为Zr的分析线,采用镁基体匹配,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定了稀土镁合金中锆,检出限为0.002μg/mL,方法用于稀土镁合金中锆的测定,加标回收率为103.5%,11次平行测定的相对标准偏差为0.8%。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体原子发射光谱法 icp—aes 稀土镁合金 锆

在线阅读 下载PDF 职称材料

感应耦合等离子体刻蚀在聚合物光波导制作中的应用 被引量：9

2

作者 张琨 岳远斌 +2 位作者 李彤 孙小强 张大明 《中国光学》 EI CAS 2012年第1期64-70,共7页

提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的... 提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的影响。介绍了倒脊形光波导的制备过程,采用改变单一工艺参数的方法,分析了刻蚀效果随时间、功率、压强、气体流量等参数的变化,对参数优化后刻蚀得到的凹槽和平板结构进行了表征。实验结果表明:在天线射频功率为300 W,偏置射频功率为30 W,气体压强为0.5 Pa,氧气流速为50 cm3/min的条件下,可获得侧壁陡直、底面平整的P(MMA-GMA)凹槽结构。 展开更多

关键词 聚合物光波导 倒脊形光波导 感应耦合等离子体(icp)刻蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于 CFDRC 的感应耦合等离子体离子数密度空间分布仿真 被引量：4

3

作者 赵文锋 杨洲 +2 位作者 王卫星 吴伟斌 肖诺骏 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期206-211,共6页

为研究感应耦合等离子体(ICP)沉积装置放电腔与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布的影响,基于商业软件CFDRC中等离子体与电磁场模块建立了ICP沉积装置2维放电模型。在典型的ICP反应器中,等离子体反应主要由电子、重粒子间的碰撞来决... 为研究感应耦合等离子体(ICP)沉积装置放电腔与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布的影响,基于商业软件CFDRC中等离子体与电磁场模块建立了ICP沉积装置2维放电模型。在典型的ICP反应器中,等离子体反应主要由电子、重粒子间的碰撞来决定。利用不带电的流体模型求解分子、原子和基团等中性粒子的动量和质量守恒方程,而对离子带电粒子,考虑电场力的作用来求解动量方程;电子通量密度的计算是通过求解漂移扩散近似方程而获得的。通过此方法仿真研究了典型工艺条件下(气压0.25 Pa,功率90 W,体积流量120 L/s)等离子体离子数密度的空间分布,对比了不同功率(20、60、90、150 W)、不同抽气体积流量(60、100、140、160 L/s)条件下放电腔内ICP等离子体参数的变化规律。模拟结果表明:离子数密度随体积流量的增加而大幅度增加,随功率的增加而缓慢增加;空间离子数密度峰值出现在放电腔中心区域,随体积流量的增大而逐渐下移。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 icp 离子数密度 空间分布 CFD仿真 流体模型 CFDRC

在线阅读 下载PDF 职称材料

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定食品中硼的方法研究 被引量：12

4

作者 魏玉芝 周伟 +1 位作者 李文婧 刘立 《食品与发酵工业》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期130-133,共4页

研究了HNO3-H2O2消化体系在高压釜中消解样品，电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP—AES）测定食品中硼的方法，对该方法的样品处理、干扰因素、测试条件和方法学指标进行了重点研究和检定，并测定了食品中硼含量。其线性范围0～5μg... 研究了HNO3-H2O2消化体系在高压釜中消解样品，电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP—AES）测定食品中硼的方法，对该方法的样品处理、干扰因素、测试条件和方法学指标进行了重点研究和检定，并测定了食品中硼含量。其线性范围0～5μg/mL，回收率97．3％～100．0％，精密度（RSD）〈3％，样品最低检出浓度0．25mg／kg，灵敏度、精密度和准确度均符合要求，方法简便、快速。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体原子发射光谱仪(icp—aes) 硼 食品 高压釜

在线阅读 下载PDF 职称材料

电感耦合等离子体发射光谱法定量测试明胶中的微量金属元素Hg和Rh——应用MSF模型改进Hg结果的精密度和检测限 被引量：11

5

作者 杜保安 杨玉华 李正平 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期140-143,共4页

应用电感耦合等离子体发射光谱技术,建立了定量测试明胶中微量金属元素Hg和Rh的方法。采用湿法消解对明胶样品进行前处理。讨论了ICPAES同时测定明胶中微量金属元素Hg和Rh时,应用MSF模型校正对汞的光谱干扰和背景干扰,改善了检测结果的... 应用电感耦合等离子体发射光谱技术,建立了定量测试明胶中微量金属元素Hg和Rh的方法。采用湿法消解对明胶样品进行前处理。讨论了ICPAES同时测定明胶中微量金属元素Hg和Rh时,应用MSF模型校正对汞的光谱干扰和背景干扰,改善了检测结果的精密度和检测限。实验结果表明,建立的方法准确、快速、高效、线性范围宽,得到的分析结果令人满意。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体发射光谱法(icp—aes) 明胶 微量金属元素 MSF模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

ICP等离子体源天线设计 被引量：6

6

作者 吴振宇 杨银堂 汪家友 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期37-39,共3页

感应耦合等离子体技术以其低气压下产生高密度等离子体的能力及良好的可扩展性成为微细加工中的重要的加工技术之一。本文提出了一种新型的三段式线圈的设计方法 ,对激发电场进行了数值计算。结果表明设计的天线能够在径向和方向角方向... 感应耦合等离子体技术以其低气压下产生高密度等离子体的能力及良好的可扩展性成为微细加工中的重要的加工技术之一。本文提出了一种新型的三段式线圈的设计方法 ,对激发电场进行了数值计算。结果表明设计的天线能够在径向和方向角方向上产生均匀性良好的电场 ,耦合效率较高。 展开更多

关键词 icp等离子体源 天线设计 感应耦合等离子体 电场强度

在线阅读 下载PDF 职称材料

工作气压对氩射频电感耦合等离子体模式转换的影响

7

作者 熊文文 陈俊芳 +1 位作者 王燕 王勇 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第1期16-21,共6页

采用朗格缪尔探针诊断装置测量电子能量和等离子体密度,利用发射光谱诊断装置测量发光强度,以判断实验腔室内的放电模式.结果表明:等离子体放电可以在E模式和H模式间相互转换,并且等离子体密度和发光强度随着射频功率的变化而出现反向... 采用朗格缪尔探针诊断装置测量电子能量和等离子体密度,利用发射光谱诊断装置测量发光强度,以判断实验腔室内的放电模式.结果表明:等离子体放电可以在E模式和H模式间相互转换,并且等离子体密度和发光强度随着射频功率的变化而出现反向滞后现象.当工作气压在0.36～0.42 Pa区间时,滞后现象不再发生.此外,随着工作气压的增大,E-H模转换的跳跃功率先减小而后增大,在工作气压为0.39 Pa时跳跃功率最低.射频功率越大,气体保持H模式放电所需气压的范围越大.研究结果可为实际工业生产中的气压控制提供参考依据. 展开更多

关键词 射频感应耦合等离子体 工作气压 icp放电 发射光谱 LANGMUIR探针 E-H模式转换

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用CH_4/H_2/Ar及Cl_2高密度等离子体对InSb的高速率刻蚀研究(英文) 被引量：3

8

作者 张国栋 司俊杰 王理文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期843-846,共4页

利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大... 利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大于900 W时,刻蚀表面变得粗糙,而易引起刻蚀损伤的直流偏压随ICP功率的升高而降低。此现象归因于刻蚀副产物InCl3在样品表面的聚集进而妨碍均匀刻蚀反应所致。当样品温度从20℃提高到120℃,刻蚀速率及表面粗糙度无明显变化。通过试验研究,实现了对InSb的高速率、高垂直度刻蚀,刻蚀速率大于500 nm/min,对SiO2掩模刻蚀选择比大于6,刻蚀表面光洁,刻蚀垂直度可达80°。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体(icp) INSB 刻蚀速率 粗糙度 侧壁倾角

在线阅读 下载PDF 职称材料

六钛酸钾晶须预分离/富集ICP-AES法测定工业废水中Co(Ⅱ),Ni(Ⅱ)和Cr(Ⅲ) 被引量：1

9

作者 徐婉珍 王玲玲 +2 位作者 李春香 荆俊杰 闫永胜 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期346-351,共6页

以电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)为检测手段,系统研究新型吸附剂六钛酸钾晶须对Co(Ⅱ),Ni(Ⅱ)和Cr(Ⅲ)的吸附行为以及解吸的主要因素,并考察共存离子的干扰情况。研究结果表明:在pH值为7.0,振荡时间为5min,静置时间为30min时... 以电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)为检测手段,系统研究新型吸附剂六钛酸钾晶须对Co(Ⅱ),Ni(Ⅱ)和Cr(Ⅲ)的吸附行为以及解吸的主要因素,并考察共存离子的干扰情况。研究结果表明:在pH值为7.0,振荡时间为5min,静置时间为30min时,吸附率可达到95%以上;以10mL3mol/LHCl作为解脱剂,振荡5min,静置40min,可将吸附在六钛酸钾晶须上的Co(Ⅱ),Ni(Ⅱ)和Cr(Ⅲ)定量洗脱。本法测定Co(Ⅱ),Ni(Ⅱ)和Cr(Ⅲ)的检出限分别为:0.0092,0.0053和0.0089mg/L,相对标准偏差(RSD)为0.98%,0.75%和0.87%。在优化的实验条件下,将其用于磷化废水中Co(Ⅱ),Ni(Ⅱ)和Cr(Ⅲ)含量的测定,加标回收率为90%～102%。 展开更多

关键词 六钛酸钾晶须 预分离/富集 电感耦合等离子体原子发射光谱法(icp—aes) Co(Ⅱ) Ni(Ⅱ) Cr(Ⅲ)

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧弹分解ICP-AES法测定煤中砷的应用研究 被引量：4

10

作者 李东 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期979-981,共3页

应用电感耦合等离子体原子发射光谱法,对煤样在氧弹燃烧后获得的试液进行砷的分析测定。系统地研究了基体元素对被测元素分析线的光谱干扰,选择了氧弹分解ICP-AES法测定的最佳条件。方法检出限为0.013μg·mL-1,相对标准偏差<6... 应用电感耦合等离子体原子发射光谱法,对煤样在氧弹燃烧后获得的试液进行砷的分析测定。系统地研究了基体元素对被测元素分析线的光谱干扰,选择了氧弹分解ICP-AES法测定的最佳条件。方法检出限为0.013μg·mL-1,相对标准偏差<6％。经国家一级标准物质分析验证,结果与推荐值相符。 展开更多

关键词 氧弹分解icp—aes法 测定 煤 砷 电感耦合等离子体原子发射光谱法 标准物质

在线阅读 下载PDF 职称材料

射频ICP离子源设计研究 被引量：11

11

作者 许沭华 任兆杏 +1 位作者 沈克明 翁坚 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期310-312,共3页

本文介绍了射频 (RF)感应耦合等离子体 (ICP)离子源的设计研究。对RFICP的结构、离子流的引出以及离子流的均匀性、中性化和射频匹配网络进行了研究。

关键词 射频icp 离子源 设计 射频匹配网络 感应耦合等离子体 离子流 均匀性 中性化

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制 被引量：1

12

作者 李燕 曹亮 +5 位作者 李晖 唐代华 Wonsik YOO 梁栋 杨正兵 李昕 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第6期879-882,共4页

该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究。在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图形结构的图... 该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究。在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图形结构的图形化蓝宝石基底。借助扫描电子显微镜,对该图形化蓝宝石基底进行了测量和分析。测量结果显示,基底表面上的单粒圆锥状图形结构的底部直径为(3.45±0.25)μm,刻蚀高度/深度为(1.75±0.25)μm,整个图形化蓝宝石基底成品片的均匀性控制在3%以内。 展开更多

关键词 蓝宝石 基底 刻蚀 感应耦合等离子体(icp) 图形化蓝宝石基底 发光二极管 刻蚀设备

在线阅读 下载PDF 职称材料

电镀液中铑含量的不同分析方法 被引量：4

13

作者 肖耀坤 张峰 +3 位作者 刘振华 陈宗璋 王旭辉 余刚 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期66-70,共5页

对标准浓度的铑溶液进行了重量法、等离子发射光谱法(ICP)、火焰原子吸收光谱法(FAAS)、改进后的FAAS(引入一个校正因子,对FAAS测定方法进行了优化、校正)等不同方法的测定,比较了不同测定方法的精密度和准确度.结果表明对于杂质少的铑... 对标准浓度的铑溶液进行了重量法、等离子发射光谱法(ICP)、火焰原子吸收光谱法(FAAS)、改进后的FAAS(引入一个校正因子,对FAAS测定方法进行了优化、校正)等不同方法的测定,比较了不同测定方法的精密度和准确度.结果表明对于杂质少的铑电镀液,宜采用重量法测定,其测定偏差在4%以内,而硼氢化钠作为还原剂的重量法的测定偏差可控制在0.2%以内;对于杂质多的铑电镀液,用ICP和改进的FAAS法均能获得满意结果,相对偏差都小于1%. 展开更多

关键词 铑 重量法 光谱分析 火焰原子吸收光谱法(FAAS) 感应耦合等离子体(icp—aes)

在线阅读 下载PDF 职称材料

北京市大气颗粒物化学元素组成的聚类分析 被引量：11

14

作者 刘咸德 李玉武 +2 位作者 董树屏 李冰 赵越 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2010年第3期156-164,191,共10页

2005年9月—2006年9月期间,在北京的北郊昌平区、城区和南郊房山区3个采样点位共采集总悬浮颗粒物(TSP)样品166个。用ICP-AES和ICP-MS方法测量了Pb等29个无机元素。基于无机多元素数据的聚类分析,把166个样品分组为清洁样品和4种污染样... 2005年9月—2006年9月期间,在北京的北郊昌平区、城区和南郊房山区3个采样点位共采集总悬浮颗粒物(TSP)样品166个。用ICP-AES和ICP-MS方法测量了Pb等29个无机元素。基于无机多元素数据的聚类分析,把166个样品分组为清洁样品和4种污染样品。清洁样品占总数的49%,以北郊清洁背景点位的样品为主;污染样品占总数的51%,主要是城区和南郊点位的样品。根据化学组成,4种污染样品分别是铝、铁、稀土等地壳元素所代表的土壤来源主导的沙尘类样品;钙、镁等元素所代表的建筑工业排放和建筑工地排放突出的建筑尘样品;硫元素所代表的燃煤等燃烧过程排放贡献突出的样品;以及铅、锌等重金属元素所代表的有色冶金工业排放突出的样品。聚类分析的结果和前期来源解析的结果是兼容一致的。如果北京市的空气质量管理和大气颗粒物污染治理工作的规划和实施综合考虑和兼顾这4类典型情况,有利于提高治理的效率和投资的效果。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体质谱(icp-MS) 电感耦合等离子体发射光谱(icp/aes) 大气颗粒物 化学组成 聚类分析 北京

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究 被引量：6

15

作者 商庆杰 王敬松 +2 位作者 高渊 么锦强 张力江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期527-531,共5页

通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对... 通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件,可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导体场效应管(MESFET)等大功率微波器件及其微波单片集成电路(MMIC)研制与生产的背面通孔刻蚀,并可缩短工艺时间降低生产成本。 展开更多

关键词 碳化硅 背面通孔刻蚀 感应耦合等离子体(icp) 刻蚀速率 选择比

在线阅读 下载PDF 职称材料

侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究 被引量：1

16

作者 李晓莹 朱丽虹 +4 位作者 邓彪 张玲 刘维翠 曾凡明 刘宝林 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期384-389,共6页

采用工艺成熟且成本低廉的芯片技术实现侧壁粗化以提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率是备受关注的研究课题.通过普通光刻技术和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术在器件内部引入侧壁粗化结构,有效提高了LED芯片的出光效率.由于侧壁几何... 采用工艺成熟且成本低廉的芯片技术实现侧壁粗化以提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率是备受关注的研究课题.通过普通光刻技术和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术在器件内部引入侧壁粗化结构,有效提高了LED芯片的出光效率.由于侧壁几何微元结构的改变,光线到达该界面位置处的全反射作用得到抑制而使芯片的出光总量增加.结果表明,注入电流为350 mA时,具有三角状侧壁粗化结构的LED芯片比传统LED芯片的输出光功率增加20.6%,出光效率提升20.5%,并且侧壁粗化后不会影响LED芯片的电学性能和发光稳定性.光强空间分布特性显示,发光强度的增加主要位于-35°^-20°和+20°^+35°的斜角范围内. 展开更多

关键词 GAN 发光二极管 感应耦合等离子体(icp)刻蚀 侧壁粗化 出光效率

在线阅读 下载PDF 职称材料

覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片

17

作者 李书明 史文琪 +2 位作者 齐萨仁 杨国勇 蔡勇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第12期945-950,966,共7页

通过在悬栅状微结构支架上涂覆银纳米线,制备出亚微米级孔径的微电子机械系统(MEMS)过滤芯片,并研究了该芯片的颗粒过滤性能以及相关影响因素。利用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺,在二氧化硅片上双面刻蚀形成悬栅状结构。随后,利... 通过在悬栅状微结构支架上涂覆银纳米线,制备出亚微米级孔径的微电子机械系统(MEMS)过滤芯片,并研究了该芯片的颗粒过滤性能以及相关影响因素。利用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺,在二氧化硅片上双面刻蚀形成悬栅状结构。随后,利用分散液中银纳米线的均匀分布性和高比表面积,将高长径比的银纳米线均匀地涂覆到此结构的亲水性二氧化硅层上。干燥后,在重力及液体挥发作用下银纳米线和支架层紧密贴合,制成覆盖银纳米线过滤层的硅基MEMS过滤芯片。与硅基支架结构相比,覆盖较低质量浓度银纳米线的芯片对PM10-2.5的过滤效率提高了2.5倍,达到73.79%,压差仅增加了30 Pa(空气流速为0.33 m/s)。当芯片覆盖有较高质量浓度的银纳米线时,PM2.5过滤效率达到86.63%;PM10-2.5过滤效率上升到96.67%。在相同测试条件下,过滤芯片压差增加到1 200 Pa。 展开更多

关键词 微电子机械系统(MEMS) 二氧化硅 感应耦合等离子体(icp)刻蚀 颗粒过滤 银纳米线

在线阅读 下载PDF 职称材料