基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜

1

作者 黄梦茹 卢林红 +2 位作者 郭丰杰 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期893-898,共6页

在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化... 在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。 展开更多

关键词 Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(icp) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率

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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜

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作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页

使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体(icp)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面

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感应耦合等离子体刻蚀在聚合物光波导制作中的应用 被引量：9

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作者 张琨 岳远斌 +2 位作者 李彤 孙小强 张大明 《中国光学》 EI CAS 2012年第1期64-70,共7页

提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的... 提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的影响。介绍了倒脊形光波导的制备过程,采用改变单一工艺参数的方法,分析了刻蚀效果随时间、功率、压强、气体流量等参数的变化,对参数优化后刻蚀得到的凹槽和平板结构进行了表征。实验结果表明:在天线射频功率为300 W,偏置射频功率为30 W,气体压强为0.5 Pa,氧气流速为50 cm3/min的条件下,可获得侧壁陡直、底面平整的P(MMA-GMA)凹槽结构。 展开更多

关键词 聚合物光波导 倒脊形光波导 感应耦合等离子体(icp)刻蚀

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基于CF_(4)/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究 被引量：2

4

作者 王刚 李威 +3 位作者 李平 李祖雄 范雪 姜晶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期1-3,13,共4页

使用CF_(4)/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的... 使用CF_(4)/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势。研究结果表明,使用CF_(4)/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀。BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF_(4)/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整。 展开更多

关键词 BZN薄膜 感应耦合等离子体 干法刻蚀 刻蚀速率 表面形貌

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HfO_2在CHF_3,Ar和H_2的感应耦合等离子体中的刻蚀行为 被引量：2

5

作者 辛煜 宁兆元 +5 位作者 叶超 许圣华 甘肇强 黄松 陈军 狄小莲 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期309-312,共4页

通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件 ,利用CHF3 ,Ar和H2 的感应耦合等离子体 (ICP)对HfO2 和RZJ 30 6光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究。结果表明 ,HfO2 与等离子体化学相互作用的刻蚀产物属于非挥发性的 ,容易造成边墙的堆积而形成... 通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件 ,利用CHF3 ,Ar和H2 的感应耦合等离子体 (ICP)对HfO2 和RZJ 30 6光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究。结果表明 ,HfO2 与等离子体化学相互作用的刻蚀产物属于非挥发性的 ,容易造成边墙的堆积而形成“驼峰”形 ,因而需要借助于Ar+ 的辅助轰击来消除边墙堆积 ,典型的HfO2 /光刻胶的刻蚀选择比在 0 2～ 0 .5之间。在射频源功率 4 0 0W、气压 0 5Pa、射频偏压 - 4 0 0V、流量比为Ar∶CHF3 ∶H2 =4 0sccm∶18sccm∶2sccm的优化条件下 ,利用感应耦合等离子体刻蚀特性 ,对光刻胶作为掩膜的HfO2 /BK7玻璃进行刻蚀 ,扫描电镜的测试结果表明 ,光栅的图形转移效果较好。红外激光波长为 10 6 4nm时 ,所测得的光栅二级衍射效率在 71%以上。 展开更多

关键词 HFO2 刻蚀 光刻胶 光栅 频偏 图形转移 光波长 感应耦合等离子体 衍射效率 非挥发性

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感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN 被引量：1

6

作者 王冲 冯倩 +1 位作者 郝跃 杨燕 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期520-523,共4页

采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:... 采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10%的O2对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比.对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大. 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 刻蚀速率 选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤

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Cl_2/Ar/O_2环境下使用光刻胶掩膜的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀GaAs的研究 被引量：3

7

作者 范惠泽 刘凯 +7 位作者 黄永清 蔡世伟 任晓敏 段晓峰 王琦 刘昊 吴瑶 费嘉瑞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期286-289,共4页

自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl_2/A... 自1970年,元件制造首先采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术后,至今30多年,它的发展与集成电路和光电子器件发展密不可分,很大程度上,干法刻蚀的水平决定了整个产业的水平和规模。在本文中,本课题组使用ICP刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在Cl_2/Ar/O_2环境下,研究控制刻蚀气流组成成分,刻蚀气流总速率等不同的刻蚀条件对于GaAs材料刻蚀速率的影响。实验表明,当刻蚀气流的成分不变的情况下,GaAs的刻蚀速率随着总刻蚀气流速率的增加而增加。刻蚀孔径的大小和Cl_2的含量多少也会影响GaAs的刻蚀速率。当O_2的含量在5%左右或者大于5%的实验中,GaAs材料的刻蚀表面的粗糙度几乎没有被刻蚀所影响。同时,给出了实验现象的简要分析和解释。 展开更多

关键词 GAAS 感应耦合等离子体刻蚀 CL2 O2 刻蚀速率 表面的粗糙度

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碳氟感应耦合等离子体的SiO_2介质刻蚀的研究 被引量：1

8

作者 虞一青 辛煜 宁兆元 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期146-150,共5页

使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征。结果表明,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频... 使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征。结果表明,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大而单调上升,与R的关系则存在R=8%处的刻蚀速率峰值。C2基团的发射谱线强度随R的变化类似于SiO2刻蚀速率对R的依赖关系,对此给出了解释。在此基础上,对SiO2介质光栅进行了刻蚀。结果显示,在较大的R及自偏压等条件下,刻蚀后的槽形呈轻微的锥形图案,同时光刻胶掩膜图形出现分叉。结合扫描电镜技术对此进行了分析,认为光刻胶表面与侧面的能量传递和聚合物再沉积是导致出现上述现象的原因。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 发射光谱 介质刻蚀 扫描电镜

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Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究

9

作者 汪明刚 杨威风 +2 位作者 李超波 刘训春 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期367-370,共4页

基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏... 基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。 展开更多

关键词 氮化镓 干法刻蚀 氯气/氯化硼 感应耦合等离子体 侧壁形貌

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感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取 被引量：2

10

作者 王理文 司俊杰 张国栋 《航空兵器》 2012年第4期62-64,共3页

以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻... 以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 反应离子刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 偏压射频源功率

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感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善 被引量：6

11

作者 徐纯洁 张福刚 +6 位作者 崔立加 张雪峰 徐浩 刘日久 李根范 王世凯 郑载润 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期265-268,共4页

通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性。经过对下部电极... 通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性。经过对下部电极Dam区的改造可以有效增大玻璃基板的冷却范围,改善光刻胶变性残留问题。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 干法刻蚀 下部电极 光刻胶 湿法去胶

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基于 CFDRC 的感应耦合等离子体离子数密度空间分布仿真 被引量：4

12

作者 赵文锋 杨洲 +2 位作者 王卫星 吴伟斌 肖诺骏 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期206-211,共6页

为研究感应耦合等离子体(ICP)沉积装置放电腔与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布的影响,基于商业软件CFDRC中等离子体与电磁场模块建立了ICP沉积装置2维放电模型。在典型的ICP反应器中,等离子体反应主要由电子、重粒子间的碰撞来决... 为研究感应耦合等离子体(ICP)沉积装置放电腔与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布的影响,基于商业软件CFDRC中等离子体与电磁场模块建立了ICP沉积装置2维放电模型。在典型的ICP反应器中,等离子体反应主要由电子、重粒子间的碰撞来决定。利用不带电的流体模型求解分子、原子和基团等中性粒子的动量和质量守恒方程,而对离子带电粒子,考虑电场力的作用来求解动量方程;电子通量密度的计算是通过求解漂移扩散近似方程而获得的。通过此方法仿真研究了典型工艺条件下(气压0.25 Pa,功率90 W,体积流量120 L/s)等离子体离子数密度的空间分布,对比了不同功率(20、60、90、150 W)、不同抽气体积流量(60、100、140、160 L/s)条件下放电腔内ICP等离子体参数的变化规律。模拟结果表明:离子数密度随体积流量的增加而大幅度增加,随功率的增加而缓慢增加;空间离子数密度峰值出现在放电腔中心区域,随体积流量的增大而逐渐下移。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 icp 离子数密度 空间分布 CFD仿真 流体模型 CFDRC

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InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究

13

作者 徐淑丽 张国栋 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第3期151-154,共4页

随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求。研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀... 随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求。研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果,研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法。 展开更多

关键词 干法刻蚀 电感耦合等离子体(icp) INSB 刻蚀速率

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等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究 被引量：12

14

作者 陈晓南 杨培林 +1 位作者 庞宣明 袁丛清 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期546-547,共2页

用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参... 用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参数进行了优化,在射频功率为500W、自偏压为150V、流量为50cm3/s,以及SiO2和Si3N4的选择比为15的条件下,硅的刻蚀速率达到了0 80μm/min. 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 干法刻蚀 硅

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ICP等离子体源天线设计 被引量：6

15

作者 吴振宇 杨银堂 汪家友 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期37-39,共3页

感应耦合等离子体技术以其低气压下产生高密度等离子体的能力及良好的可扩展性成为微细加工中的重要的加工技术之一。本文提出了一种新型的三段式线圈的设计方法 ,对激发电场进行了数值计算。结果表明设计的天线能够在径向和方向角方向... 感应耦合等离子体技术以其低气压下产生高密度等离子体的能力及良好的可扩展性成为微细加工中的重要的加工技术之一。本文提出了一种新型的三段式线圈的设计方法 ,对激发电场进行了数值计算。结果表明设计的天线能够在径向和方向角方向上产生均匀性良好的电场 ,耦合效率较高。 展开更多

关键词 icp等离子体源 天线设计 感应耦合等离子体 电场强度

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感应耦合等离子刻蚀技术研究 被引量：3

16

作者 樊红安 蒋军彪 +1 位作者 冯培德 王小斌 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 2002年第4期62-66,共5页

依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20μm深,2μm宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数。

关键词 感应耦合 等离子体 干涉刻蚀 谐振器 硅刻蚀

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利用CH_4/H_2/Ar及Cl_2高密度等离子体对InSb的高速率刻蚀研究(英文) 被引量：3

17

作者 张国栋 司俊杰 王理文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期843-846,共4页

利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大... 利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大于900 W时,刻蚀表面变得粗糙,而易引起刻蚀损伤的直流偏压随ICP功率的升高而降低。此现象归因于刻蚀副产物InCl3在样品表面的聚集进而妨碍均匀刻蚀反应所致。当样品温度从20℃提高到120℃,刻蚀速率及表面粗糙度无明显变化。通过试验研究,实现了对InSb的高速率、高垂直度刻蚀,刻蚀速率大于500 nm/min,对SiO2掩模刻蚀选择比大于6,刻蚀表面光洁,刻蚀垂直度可达80°。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体(icp) INSB 刻蚀速率 粗糙度 侧壁倾角

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工作气压对氩射频电感耦合等离子体模式转换的影响

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作者 熊文文 陈俊芳 +1 位作者 王燕 王勇 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第1期16-21,共6页

采用朗格缪尔探针诊断装置测量电子能量和等离子体密度,利用发射光谱诊断装置测量发光强度,以判断实验腔室内的放电模式.结果表明:等离子体放电可以在E模式和H模式间相互转换,并且等离子体密度和发光强度随着射频功率的变化而出现反向... 采用朗格缪尔探针诊断装置测量电子能量和等离子体密度,利用发射光谱诊断装置测量发光强度,以判断实验腔室内的放电模式.结果表明:等离子体放电可以在E模式和H模式间相互转换,并且等离子体密度和发光强度随着射频功率的变化而出现反向滞后现象.当工作气压在0.36～0.42 Pa区间时,滞后现象不再发生.此外,随着工作气压的增大,E-H模转换的跳跃功率先减小而后增大,在工作气压为0.39 Pa时跳跃功率最低.射频功率越大,气体保持H模式放电所需气压的范围越大.研究结果可为实际工业生产中的气压控制提供参考依据. 展开更多

关键词 射频感应耦合等离子体 工作气压 icp放电 发射光谱 LANGMUIR探针 E-H模式转换

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氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响 被引量：2

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作者 李鹏飞 魏淑华 +4 位作者 康玄武 张静 吴昊 孙跃 郑英奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期134-138,168,共6页

采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处... 采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处理条件(ICP功率250 W,射频功率60 W,压强0.8 Pa,氧气流量30 cm^(3)/min,时间5 min)下,欧姆接触电阻为0.41Ω·mm,比参照样品接触电阻降低了约69%。分析认为经过氧等离子体处理后,在近表面处产生了一定数量的N空位缺陷,这些N空位表现为浅能级施主掺杂,有利于欧姆接触的形成。通过采用氧等离子体表面处理工艺制备的AlGaN/GaN HEMT,在+2 V的栅极偏压下获得了0.77 A/mm的最大漏极饱和电流。 展开更多

关键词 AlGaN/GaN HEMT 欧姆接触 氧等离子体 N空位 电感耦合等离子体(icp)刻蚀

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ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究

20

作者 田本朗 梁柳洪 +3 位作者 何成勇 罗淦 郭耀祖 米佳 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期59-62,共4页

采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8&#... 采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8°~85.0°图形侧壁倾角,表明图形侧壁角度可在大范围内得到控制,刻蚀速率可在148~232 nm/min调节,为薄膜体声波谐振器(FBAR)器件研制工艺打下良好基础。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体(icp) MO 薄膜体声波谐振器(FBAR) 侧壁角度 刻蚀速率

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