期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到85篇文章
< 1 2 … 5 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
掺氦对射频感应耦合等离子体制备碳化硼涂层的影响
1
作者 苏毅 吴曦 +2 位作者 胡娟 赵鹏 朱海龙 《表面技术》 北大核心 2025年第13期214-224,共11页
目的利用射频感应耦合等离子体喷涂(RF-ICPS)技术在第一壁材料钨(W)表面制备碳化硼(B_(4)C)涂层,研究等离子体工作气体中掺氦(He)对涂层质量的影响。方法采用实验表征与数值模拟相结合的方法,通过在工作气体中掺入不同体积分数的He,制备... 目的利用射频感应耦合等离子体喷涂(RF-ICPS)技术在第一壁材料钨(W)表面制备碳化硼(B_(4)C)涂层,研究等离子体工作气体中掺氦(He)对涂层质量的影响。方法采用实验表征与数值模拟相结合的方法,通过在工作气体中掺入不同体积分数的He,制备B_(4)C涂层,表征涂层表面形貌和组成变化。采用Ansys Fluent模拟软件,建立三维射频等离子体与B_(4)C颗粒之间的有限元模型,探究在等离子体中加入He,通过调控等离子体属性参数,进而影响涂层制备的内在机理。结果随着等离子体工作气体中He的体积分数的提升,可明显降低涂层的孔隙率,当He的体积分数升高到7.2%时,孔隙率降至1.1%,且涂层的主要组成未发生变化。模拟结果显示,当He的体积分数从0%升高到7.2%时,等离子体焓值提高了38%,同时颗粒加热熔融效果明显提升;当He的体积分数升高到7.2%时,B_(4)C颗粒温度达到2800 K以上的占65.5%。结论在等离子体工作气体中加入He,不仅具有提高等离子体热导率的作用,还可以提高等离子体的焓值,促进飞行B_(4)C颗粒在等离子体中的加热效果,从而提升涂层的致密度。 展开更多
关键词 射频感应耦合等离子体 碳化硼涂层 HE 数值模拟
在线阅读 下载PDF
感应耦合等离子体离子源放电特性仿真研究 被引量：1
2
作者 李日正 倪国华 +1 位作者 孙红梅 王城 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期819-824,共6页
针对于一款放电腔直径为60 mm的射频感应耦合等离子体离子源,采用数值模拟的方法研究了射频天线和放电腔结构对氩离子密度分布的影响。结果表明,相比于均匀绕制线圈,非等匝间距的射频天线可有效提高所产生等离子体中氩离子平均密度与其... 针对于一款放电腔直径为60 mm的射频感应耦合等离子体离子源,采用数值模拟的方法研究了射频天线和放电腔结构对氩离子密度分布的影响。结果表明,相比于均匀绕制线圈,非等匝间距的射频天线可有效提高所产生等离子体中氩离子平均密度与其径向均匀性均;氩离子密度随着放电腔高度的增大先增大后减小,在高度为38 mm时达到最大值;使用阶梯式介质窗虽然可以提高氩离子的密度,但也增加了其被溅射的风险。将模拟计算结果应用于离子源实验装置的研制,实现了0.24 mA氩离子束稳定引出。 展开更多
关键词 离子源 数值模拟 感应耦合等离子体 等离子体发生器
在线阅读 下载PDF
基于FLUENT的二维感应耦合等离子体炬数值模拟 被引量：9
3
作者 朱海龙 童洪辉 +1 位作者 叶高英 陈伦江 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期199-205,共7页
将等离子体作为磁流体,考虑其流体属性和电磁属性,介绍了利用FLUENT软件包并将其进行二次开发,解算电磁场方程、质量连续性方程、动量守恒方程、以及能量守恒方程的数值模拟方法,得到了以磁矢势为表达形式的电磁场分布、温度分布和速度... 将等离子体作为磁流体,考虑其流体属性和电磁属性,介绍了利用FLUENT软件包并将其进行二次开发,解算电磁场方程、质量连续性方程、动量守恒方程、以及能量守恒方程的数值模拟方法,得到了以磁矢势为表达形式的电磁场分布、温度分布和速度分布。数值模拟了粉末球化所用的感应耦合等离子体炬电磁场分布、温度分布、速度分布。分析了温度分布、速度分布产生的物理原因,为感应耦合等离子体炬球化粉末颗粒提供理论性指导。 展开更多
关键词 数值模拟 感应耦合等离子体 磁流体力学 FLUENT
在线阅读 下载PDF
感应耦合等离子体刻蚀在聚合物光波导制作中的应用 被引量：9
4
作者 张琨 岳远斌 +2 位作者 李彤 孙小强 张大明 《中国光学》 EI CAS 2012年第1期64-70,共7页
提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的... 提出了利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术提高聚合物光波导器件性能的方法,介绍了ICP刻蚀技术的原理和优点。选取聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙酯(P(MMA-GMA))作为波导材料,采用氧气作为刻蚀气体,研究了ICP参数变化对刻蚀效果的影响。介绍了倒脊形光波导的制备过程,采用改变单一工艺参数的方法,分析了刻蚀效果随时间、功率、压强、气体流量等参数的变化,对参数优化后刻蚀得到的凹槽和平板结构进行了表征。实验结果表明:在天线射频功率为300 W,偏置射频功率为30 W,气体压强为0.5 Pa,氧气流速为50 cm3/min的条件下,可获得侧壁陡直、底面平整的P(MMA-GMA)凹槽结构。 展开更多
关键词 聚合物光波导 倒脊形光波导 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀
在线阅读 下载PDF
基于 CFDRC 的感应耦合等离子体离子数密度空间分布仿真 被引量：4
5
作者 赵文锋 杨洲 +2 位作者 王卫星 吴伟斌 肖诺骏 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期206-211,共6页
为研究感应耦合等离子体(ICP)沉积装置放电腔与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布的影响,基于商业软件CFDRC中等离子体与电磁场模块建立了ICP沉积装置2维放电模型。在典型的ICP反应器中,等离子体反应主要由电子、重粒子间的碰撞来决... 为研究感应耦合等离子体(ICP)沉积装置放电腔与线圈结构以及工艺参数对等离子体分布的影响,基于商业软件CFDRC中等离子体与电磁场模块建立了ICP沉积装置2维放电模型。在典型的ICP反应器中,等离子体反应主要由电子、重粒子间的碰撞来决定。利用不带电的流体模型求解分子、原子和基团等中性粒子的动量和质量守恒方程,而对离子带电粒子,考虑电场力的作用来求解动量方程;电子通量密度的计算是通过求解漂移扩散近似方程而获得的。通过此方法仿真研究了典型工艺条件下(气压0.25 Pa,功率90 W,体积流量120 L/s)等离子体离子数密度的空间分布,对比了不同功率(20、60、90、150 W)、不同抽气体积流量(60、100、140、160 L/s)条件下放电腔内ICP等离子体参数的变化规律。模拟结果表明:离子数密度随体积流量的增加而大幅度增加,随功率的增加而缓慢增加;空间离子数密度峰值出现在放电腔中心区域,随体积流量的增大而逐渐下移。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 ICP 离子数密度 空间分布 CFD仿真 流体模型 CFDRC
在线阅读 下载PDF
HfO_2在CHF_3,Ar和H_2的感应耦合等离子体中的刻蚀行为 被引量：2
6
作者 辛煜 宁兆元 +5 位作者 叶超 许圣华 甘肇强 黄松 陈军 狄小莲 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期309-312,共4页
通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件 ,利用CHF3 ,Ar和H2 的感应耦合等离子体 (ICP)对HfO2 和RZJ 30 6光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究。结果表明 ,HfO2 与等离子体化学相互作用的刻蚀产物属于非挥发性的 ,容易造成边墙的堆积而形成... 通过改变偏压功率和气体气压的宏观条件 ,利用CHF3 ,Ar和H2 的感应耦合等离子体 (ICP)对HfO2 和RZJ 30 6光刻胶进行了刻蚀选择性实验研究。结果表明 ,HfO2 与等离子体化学相互作用的刻蚀产物属于非挥发性的 ,容易造成边墙的堆积而形成“驼峰”形 ,因而需要借助于Ar+ 的辅助轰击来消除边墙堆积 ,典型的HfO2 /光刻胶的刻蚀选择比在 0 2～ 0 .5之间。在射频源功率 4 0 0W、气压 0 5Pa、射频偏压 - 4 0 0V、流量比为Ar∶CHF3 ∶H2 =4 0sccm∶18sccm∶2sccm的优化条件下 ,利用感应耦合等离子体刻蚀特性 ,对光刻胶作为掩膜的HfO2 /BK7玻璃进行刻蚀 ,扫描电镜的测试结果表明 ,光栅的图形转移效果较好。红外激光波长为 10 6 4nm时 ,所测得的光栅二级衍射效率在 71%以上。 展开更多
关键词 HFO2 刻蚀 光刻胶 光栅 频偏 图形转移 光波长 感应耦合等离子体 衍射效率 非挥发性
在线阅读 下载PDF
基于CF_(4)/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究 被引量：2
7
作者 王刚 李威 +3 位作者 李平 李祖雄 范雪 姜晶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期1-3,13,共4页
使用CF_(4)/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的... 使用CF_(4)/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势。研究结果表明,使用CF_(4)/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀。BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF_(4)/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整。 展开更多
关键词 BZN薄膜 感应耦合等离子体 干法刻蚀 刻蚀速率 表面形貌
在线阅读 下载PDF
直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究 被引量：2
8
作者 樊双莉 陈俊芳 +5 位作者 吴先球 赵文锋 孙辉 符斯列 向鹏飞 蒙高庆 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第4期65-69,共5页
采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试... 采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律,弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义. 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 氮化硅薄膜 离子密度 直管 薄膜制备 化学气相沉积法 等离子体参数 反应室 并用 增强
在线阅读 下载PDF
感应耦合等离子体的1维流体力学模拟 被引量：4
9
作者 王帅 毛明 王友年 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期155-159,共5页
采用双极扩散近似的流体力学模型,通过数值模拟方法研究了射频感应耦合等离子体(ICP)中等离子体密度和电子温度等物理量的空间分布,其中射频源的功率沉积由动力学理论给出。分析了不同的射频线圈的驱动电流和放电气压对等离子体密度和... 采用双极扩散近似的流体力学模型,通过数值模拟方法研究了射频感应耦合等离子体(ICP)中等离子体密度和电子温度等物理量的空间分布,其中射频源的功率沉积由动力学理论给出。分析了不同的射频线圈的驱动电流和放电气压对等离子体密度和电子温度空间分布的影响。在低气压下,等离子体密度基本上保持空间均匀分布。随着放电压强的增加,等离子体密度的分布呈现出明显的空间不均匀性。当线圈电流增大时,等离子体密度和电子温度都随着增大。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 流体力学 等离子体密度 电子温度
在线阅读 下载PDF
碳氟感应耦合等离子体的SiO_2介质刻蚀的研究 被引量：2
10
作者 虞一青 辛煜 宁兆元 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期146-150,共5页
使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征。结果表明,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频... 使用感应耦合等离子体技术,通过改变源气体流量比R(R=[C4F8]/{[C4F8]+[Ar]})、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀实验研究。碳氟等离子体的特征由朗谬探针和发射光谱技术来表征。结果表明,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大而单调上升,与R的关系则存在R=8%处的刻蚀速率峰值。C2基团的发射谱线强度随R的变化类似于SiO2刻蚀速率对R的依赖关系,对此给出了解释。在此基础上,对SiO2介质光栅进行了刻蚀。结果显示,在较大的R及自偏压等条件下,刻蚀后的槽形呈轻微的锥形图案,同时光刻胶掩膜图形出现分叉。结合扫描电镜技术对此进行了分析,认为光刻胶表面与侧面的能量传递和聚合物再沉积是导致出现上述现象的原因。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 发射光谱 介质刻蚀 扫描电镜
在线阅读 下载PDF
感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN 被引量：1
11
作者 王冲 冯倩 +1 位作者 郝跃 杨燕 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期520-523,共4页
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:... 采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10%的O2对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比.对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大. 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 刻蚀速率 选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤
在线阅读 下载PDF
大气感应耦合等离子体炬管的设计与仿真实验 被引量：1
12
作者 余德平 吴杰 +3 位作者 涂军 张仕杨 辛强 万勇建 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期82-88,共7页
为提高大气感应耦合等离子体射流加工装置的工作稳定性,设计一种依靠单一零件定位各层介质管的分体式炬管,并研究炬管内等离子体的传热与流动特性.利用COMSOL Multiphysics仿真分析发现,等离子体的环形加热和流体淤塞回流现象是导致炬... 为提高大气感应耦合等离子体射流加工装置的工作稳定性,设计一种依靠单一零件定位各层介质管的分体式炬管,并研究炬管内等离子体的传热与流动特性.利用COMSOL Multiphysics仿真分析发现,等离子体的环形加热和流体淤塞回流现象是导致炬管在使用后出现热损伤和刻蚀损伤的主要原因,选用陶瓷材料作为内管和中层管并调整感应线圈的位置,可有效延长炬管的使用寿命.使用CCD相机实时监控等离子体射流的形态,发现射频功率(Pw)、工作气流量(Q2)、冷却气流量(Q3)与射流的整体长度(L)和半高宽度(W)均呈线性递变关系,Pw、Q2与Q3的值过高或过低都会导致等离子体射流的形态波动增大.实验结果表明:当Pw、Q2与Q3分别设置为900~1 000 W、650 mL·min-1、16 L·min-1时,该分体式炬管可产生稳定性较高的等离子体射流,其L值与W值的波动可分别控制在0.50 mm与0.25 mm内,适用于熔石英等光学表面的加工. 展开更多
关键词 分体式炬管 感应耦合等离子体 使用寿命 等离子体射流形态 传热与流动特性
在线阅读 下载PDF
高/低气压氩气感应耦合等离子体电磁波衰减效果建模研究及实验验证 被引量：1
13
作者 陈俊霖 徐浩军 魏小龙 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期290-297,共8页
设计了一种雷达舱共形的电感耦合等离子体(ICP)发生装置,开展了ICP放电的流体模型研究,获得在高低气压及不同放电功率对ICP的电子密度分布的影响,据此得出与电磁散射相关的介电常数空间分布,在此基础上利用Z变换时域有限差分方法建立了... 设计了一种雷达舱共形的电感耦合等离子体(ICP)发生装置,开展了ICP放电的流体模型研究,获得在高低气压及不同放电功率对ICP的电子密度分布的影响,据此得出与电磁散射相关的介电常数空间分布,在此基础上利用Z变换时域有限差分方法建立了电磁波在ICP中的传播模型,得出了在不同放电条件下ICP对电磁波的宽频段散射参量。同时开展实验,对该模型的结果进行验证。研究表明,气压为10 Pa时,ICP对电磁波的衰减带宽主要为6~8 GHz,平均反射率为-21dB左右。气压为150 Pa时,衰减带宽为13~15 GHz,此时碰撞吸收效果会增强,但由于等离子体轴向体积的压缩导致衰减效果相比于5 Pa下没有明显增强。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 电磁波衰减 流体模型 时域有限差分方法
在线阅读 下载PDF
Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究
14
作者 汪明刚 杨威风 +2 位作者 李超波 刘训春 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期367-370,共4页
基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏... 基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。 展开更多
关键词 氮化镓 干法刻蚀 氯气/氯化硼 感应耦合等离子体 侧壁形貌
在线阅读 下载PDF
基于COMSOL的感应耦合等离子体炬多物理场研究 被引量：6
15
作者 贾瑞宝 罗天勇 陈伦江 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期473-481,共9页
为了优化锂微粉等离子体球化的工艺,对感应耦合等离子体炬进行二维建模,将电磁场计算域扩展到等离子体放电区域之外的空气区域,利用COMSOL软件进行多物理场模拟。得到了等离子体的电磁场、温度和速度分布,并对分布形成的物理机制进行分... 为了优化锂微粉等离子体球化的工艺,对感应耦合等离子体炬进行二维建模,将电磁场计算域扩展到等离子体放电区域之外的空气区域,利用COMSOL软件进行多物理场模拟。得到了等离子体的电磁场、温度和速度分布,并对分布形成的物理机制进行分析。模拟发现等离子体区域线圈段存在上下两组对称的回流涡,线圈段中部靠近约束管处等离子体速度分布杂乱,有激烈的径向打壁现象,乱流预计会对约束管壁相应位置造成一条环状的破裂效果。基于模拟结果,提出在采用感应耦合等离子体球化锂微粉的工艺工程中,可以将注粉口下移,绕开上回流涡。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 多物理场 锂微球 回流
在线阅读 下载PDF
高频感应耦合等离子体降解甲醛 被引量：4
16
作者 熊举坤 黄海涛 《化工环保》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期119-122,共4页
采用外电极式感应耦合放电等离子体对甲醛废气进行处理。实验结果表明:降低甲醛初始体积分数、增大输入功率、降低气体流量将有利于甲醛的降解;在输入功率为100W、气体流量为1L/min、甲醛初始体积分数为2.55×10-5的条件下,甲醛降... 采用外电极式感应耦合放电等离子体对甲醛废气进行处理。实验结果表明:降低甲醛初始体积分数、增大输入功率、降低气体流量将有利于甲醛的降解;在输入功率为100W、气体流量为1L/min、甲醛初始体积分数为2.55×10-5的条件下,甲醛降解率可达99.3%。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 甲醛 降解 废气处理
在线阅读 下载PDF
不同激发频率下小型感应耦合等离子体特性研究 被引量：1
17
作者 高璇 辛煜 +1 位作者 黄晓江 宁兆元 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期504-508,共5页
等离子体小型化后往往会产生一些独特的等离子体性质。本文采用朗谬尔探针和高分辨率发射光谱技术对不同激发频率下产生的小型感应耦合等离子体进行了测量,选用的三种频率为13.56MHz,27.12MHz和40.68MHz。朗谬尔探针的实验结果表明,随... 等离子体小型化后往往会产生一些独特的等离子体性质。本文采用朗谬尔探针和高分辨率发射光谱技术对不同激发频率下产生的小型感应耦合等离子体进行了测量,选用的三种频率为13.56MHz,27.12MHz和40.68MHz。朗谬尔探针的实验结果表明,随着射频输入功率的增加以及激发频率的上升均会导致等离子体功率吸收的增强,从而导致了离子密度增大和电子温度下降。利用了气体追踪法测量感应放电中的气体温度,可以发现,由于电子诱导加热的作用,气体温度随气压和输入功率的增加而增加,射频频率的提高也有助于等离子体气体温度的上升。 展开更多
关键词 微感应耦合等离子体 朗谬尔探针 发射光谱 离子密度 电子温度
在线阅读 下载PDF
交叉型天线感应耦合等离子体源放电特性及均匀性 被引量：2
18
作者 卢春山 辛煜 +1 位作者 孙刚 孙恺 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期174-178,共5页
本文介绍了一种交叉型天线射频感应耦合等离子体源,射频天线穿过交叉排列的石英管内置于真空腔体中。本文运用朗谬尔探针方法诊断了放电等离子体的参量及其均匀性,运用发射光谱技术进行了Ar谱线[4s’(1/2)0-4p’(1/2)]的发光强度的表征... 本文介绍了一种交叉型天线射频感应耦合等离子体源,射频天线穿过交叉排列的石英管内置于真空腔体中。本文运用朗谬尔探针方法诊断了放电等离子体的参量及其均匀性,运用发射光谱技术进行了Ar谱线[4s’(1/2)0-4p’(1/2)]的发光强度的表征,并使用自制的Rogowski线圈测量了天线中的射频电流变化。结果表明,等离子体放电随着射频输入功率的增加存在着E模式向H模式的转变,H模式放电时发光强度及射频电流明显增大。电子温度随气压的增大而降低,几乎不受功率的影响。该等离子体源所产生的等离子体密度较高,等离子体均匀性在中心±60 mm区域内优于90%。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 天线 朗谬尔探针 发射光谱
在线阅读 下载PDF
感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取 被引量：2
19
作者 王理文 司俊杰 张国栋 《航空兵器》 2012年第4期62-64,共3页
以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻... 以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 反应离子刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 偏压射频源功率
在线阅读 下载PDF
感应耦合等离子体喷涂工作参数对涂层性能影响的实验研究 被引量：1
20
作者 詹志华 王春华 +2 位作者 周秋娇 刘成周 赵鹏 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第11期2725-2732,共8页
感应耦合等离子体(ICP)由于无电极烧蚀污染、等离子体环境纯净,在制备高纯度陶瓷材料涂层上具有明显的技术优势。该文利用自主研制的感应耦合等离子体喷涂设备,开展碳化硼涂层制备的实验研究。并利用发射光谱仪和高速相机,对放电气体中... 感应耦合等离子体(ICP)由于无电极烧蚀污染、等离子体环境纯净,在制备高纯度陶瓷材料涂层上具有明显的技术优势。该文利用自主研制的感应耦合等离子体喷涂设备,开展碳化硼涂层制备的实验研究。并利用发射光谱仪和高速相机,对放电气体中加入氢气后的等离子体特性进行诊断。通过在等离子体放电气体中加入不同比例的氢气,研究等离子体工作参数对涂层性能的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线荧光(XRF)分析了涂层的微观结构、物相和成分情况。结果表明,在放电气体中加入氢气会导致等离子体的宏观气体温度升高,从而提高喷涂粉末的表面熔融率;在放电气体中加入0.7L/min氢气时,制备的涂层结合强度最大,而且等离子体制备过程不会改变碳化硼的晶体结构。通过对比研究,得到最优化的制备参数,为该自主技术的工艺参数摸索提供重要的实验依据。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体 氢气 放电气体 碳化硼涂层
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 5 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部