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题名高重复频率纳秒级脉冲发生器研究
被引量：3
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作者
杨景红
刘超
杨明
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机构
中国电子科技集团公司第十四研究所
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第3期65-70,共6页
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文摘
为实现高重复频率纳秒级脉冲输出,提出了采用射频功率MOSFET,基于感应叠加拓扑的脉冲发生器。脉冲发生器采用15个模块化组件,每个组件输出670 V/50 A脉冲,每个组件的输出脉冲在感应变压器次级串联叠加,得到10 kV/50 A高压脉冲。为实现脉冲前沿小于5 ns,必须尽量降低脉冲变压器漏感以及组件和系统的回路电感。感应脉冲变压器采用圆柱形同轴结构,初次级均为单匝,并且和脉冲发生器单元一体化设计,以减小漏感以及组件分布电感。采用大功率驱动电路和同步触发器,实现MOSFET开关的快速导通和关断,以及触发的一致性。仿真结果显示设计能够满足指标要求。
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关键词
高重复频率
纳秒级
脉冲发生器
固态开关
感应叠加拓扑
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Keywords
high repetition frequency
nanosecond
pulse generator
solid state switch
inductive adder
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分类号
TN782
[电子电信—电路与系统]
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