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题名感光栅极GaN基HEMT器件的制备与栅极优化
被引量：1
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作者
朱彦旭
李赉龙
白新和
宋会会
石栋
杨壮
杨忠
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机构
北京工业大学光电子技术教育部重点实验室
中国移动通信集团广东有限公司惠州分公司
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期311-316,共6页
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基金
教师队伍建设15青年拔尖项目(311000543115002)
国家重点研发计划(2017YFB0402803)
+2 种基金
国家863项目(2015AA033305)
国家科技重大专项(2017YFB0402800
2017YFB0402801)资助项目~~
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文摘
铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃,其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工艺相集成等特点,在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景。实验将铁电材料锆钛酸铅作为感光层与GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)相结合,成功地制备出了感光栅极GaN基HEMT器件,并在波长为365 nm的光照下进行探测,经大量实验测试后发现器件在该波段的光照下饱和电流达到28 mA,相比无光照时饱和电流提高12 mA。另外,通过合理改变器件结构尺寸,包括器件栅长以及栅漏间距,发现随着栅长的增大,器件的饱和输出电流依次减小,而栅漏间距的变化对阈值电压以及饱和电流的影响并不大。由此可知,改变器件结构参数可以达到提高器件性能的目的并且可以提高探测效率。
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关键词
高电子迁移率晶体管
感光栅极
器件结构
光伏效应
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Keywords
high electron mobility transistor
photo gate
device structure
photovoltaic effect
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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