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反射环对区熔炉温度场的影响
被引量：
1
1
作者
傅林坚
曹建伟
+6 位作者
沈文杰
朱亮
张俊
石刚
欧阳鹏根
叶欣
邱敏秀
《机电工程》
CAS
2014年第1期62-66,共5页
针对悬浮区熔法生长较大直径的单晶硅时,单晶硅外部的轴向温度梯度比内部温度梯度大很多,从而导致硅单晶径向电阻率不均匀及生长裂纹的问题。通过有限元法对生长区熔硅单晶的温度场进行了数值模拟,建立了有反射环和无反射环的两种模型,...
针对悬浮区熔法生长较大直径的单晶硅时,单晶硅外部的轴向温度梯度比内部温度梯度大很多,从而导致硅单晶径向电阻率不均匀及生长裂纹的问题。通过有限元法对生长区熔硅单晶的温度场进行了数值模拟,建立了有反射环和无反射环的两种模型,得到了两种模型下的单晶温度分布图,并对比分析了两种模型下的单晶外表面温度分布及纵向温度梯度分布。研究结果表明,反射环可改善温度场分布,降低单晶硅外表面轴向温度梯度,使晶体径向温度趋于一致,提高硅单晶径向电阻率均匀性,并有效解决了生长过程中单晶硅易出现裂纹的问题。
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关键词
悬浮区熔法
反射环
数值模拟
温度场
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职称材料
题名
反射环对区熔炉温度场的影响
被引量：
1
1
作者
傅林坚
曹建伟
沈文杰
朱亮
张俊
石刚
欧阳鹏根
叶欣
邱敏秀
机构
浙江晶盛机电股份有限公司
出处
《机电工程》
CAS
2014年第1期62-66,共5页
基金
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02706-005)
文摘
针对悬浮区熔法生长较大直径的单晶硅时,单晶硅外部的轴向温度梯度比内部温度梯度大很多,从而导致硅单晶径向电阻率不均匀及生长裂纹的问题。通过有限元法对生长区熔硅单晶的温度场进行了数值模拟,建立了有反射环和无反射环的两种模型,得到了两种模型下的单晶温度分布图,并对比分析了两种模型下的单晶外表面温度分布及纵向温度梯度分布。研究结果表明,反射环可改善温度场分布,降低单晶硅外表面轴向温度梯度,使晶体径向温度趋于一致,提高硅单晶径向电阻率均匀性,并有效解决了生长过程中单晶硅易出现裂纹的问题。
关键词
悬浮区熔法
反射环
数值模拟
温度场
Keywords
float zone method
reflection ring
numerical simulation
temperature field
分类号
TH142 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN30 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反射环对区熔炉温度场的影响
傅林坚
曹建伟
沈文杰
朱亮
张俊
石刚
欧阳鹏根
叶欣
邱敏秀
《机电工程》
CAS
2014
1
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