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DCM02型数控恒流器件的设计分析 被引量:3
1
作者 盛法生 范雅俊 吕品桢 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1997年第2期125-132,共8页
本文介绍一种具有D/A转换功能的恒流电路模块,从理论上讨论了器件的设计思想和性能,并研制成功.其性能测试表明,该模块是一种输出电流范围宽、稳定性好的恒流器件.
关键词 恒流器件 数控恒流器件 数模转换 二级管
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串级JFET恒流器件特性分析 被引量:1
2
作者 林言方 孙衍人 +3 位作者 高志坚 徐时进 张民 陈冠军 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1992年第3期285-291,共7页
本文讨论了串级JFET恒流器件的伏安特性、起始电压、动态阻抗以及电流温度系数.
关键词 恒流器件 起始电压 动态阻抗
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一种采用数字信号控制的高稳定性恒流器件
3
作者 盛法生 范雅俊 毕净 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期225-228,共4页
本文介绍一种数控恒流器件,其主电路具有数模转换功能。器件采用模块结构,低功耗,小体积,具有优良的电性能。文中还从理论上讨论了器件的设计思想和应用,并给出了器件测试结果。
关键词 数模转换 数控恒流器件 模块结构 功率器件
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串级JFET恒流器件的动态阻抗
4
作者 林言方 孙衍人 +1 位作者 盛法生 陈冠军 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1989年第3期266-272,共7页
串级JFET恒流器件具有非常高的动态阻抗。本文详细地讨论了工作点的选取。Q_1管的工作点,决定于组成该恒流器件的两个晶体管的电学参数和结构参数。
关键词 恒流器件 动态阻抗 工作点 二极管
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适合计算机接口的数控恒流器件研究
5
作者 盛法生 范雅俊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期49-52,共4页
简述了以串行方式输入8 位数字信号、最大可控电流为2A 的数控恒流器件的设计思想和性能。该器件不仅输出电流可调范围宽、允许工作电压变化范围大、电路接口与TTL兼容, 而且体积小。
关键词 D/A转换 数控恒流器件 模块结构 接口装置 微机
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0.1A~8A高稳定性恒流器件研究
6
作者 吕品桢 范雅俊 +3 位作者 洪云翔 吴荣权 徐信业 魏海波 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第5期550-555,共6页
提高温度稳定性和展宽恒定电流范围是当前恒流器件应用中的两个突出问题。现有根据长沟道场效应原理制备的两端恒流器件,由于工作机理限制已难指望在上述问题上取得有效的进展。本文介绍一种恒流源电路的模块设计思路,新近研制了在很宽... 提高温度稳定性和展宽恒定电流范围是当前恒流器件应用中的两个突出问题。现有根据长沟道场效应原理制备的两端恒流器件,由于工作机理限制已难指望在上述问题上取得有效的进展。本文介绍一种恒流源电路的模块设计思路,新近研制了在很宽电流范围内连续可调的新恒流器件。测试结果表明,该器件样管的输出电流可达0.1A~8A,电流温度系数低达10^(-4)/℃—10^(-5)/℃。起始电压低于0.4 V,是一种输出电流范围又宽、稳定性又高的高性能器件。 展开更多
关键词 恒流器件 电路 模块 超始电压
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一种新型的温度补偿恒流器件
7
作者 林言方 陈冠军 吕鑫法 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1991年第4期410-415,共6页
本文提出一种新的温度补偿恒流器件.器件采用串级JFET结构,得到了10^(-5)/℃量级的电流温度系数.
关键词 温度补偿 恒流器件 二极管
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DH400型恒流模块的工作原理和特性
8
作者 吕品桢 范雅俊 +3 位作者 陈小菲 吴新 陈坚 池盛林 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1994年第3期280-285,共6页
本文介绍了根据反馈调整原理研制的一种大电流恒流器件,它采用模块结构,输出电流可达10A,测试结果表明:它具有优良的电性能,同时具有体积小、功率损耗低等优点。该项研究为大电流恒流源的获得开辟了一条有效而简便的途径。
关键词 模块 恒流器件 反馈调整
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外延层质量与恒流器体特性关系的研究
9
作者 洪云翔 张浙源 《杭州大学学报(自然科学版)》 CSCD 1994年第1期106-107,共2页
目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3~5μm,电阻率为1~2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅... 目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3~5μm,电阻率为1~2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻 .源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形成n^+区最后制作欧姆接触电极.工艺中关键是外延层生长和顶栅结制备. 展开更多
关键词 外延层 恒流器件 CRD 二极管
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