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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究 被引量：2
1
作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多
关键词 辐射电荷 总电离剂量(tid)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流
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Buck-Boost转换器总剂量辐射效应分析与抗辐射加固设计方法
2
作者 郭仲杰 卢沪 +1 位作者 刘楠 吴龙胜 《北京航空航天大学学报》 北大核心 2025年第2期389-396,共8页
DC-DC转换器在总剂量辐射环境下会带来输出电压漂移、线性调整率与负载调整率下降等影响,使得电路的输出稳定性能变差。针对传统基于工艺与版图的抗总剂量辐射效应加固方法会带来成本较高、版图面积过大及普适性较差等问题,提出一种实... DC-DC转换器在总剂量辐射环境下会带来输出电压漂移、线性调整率与负载调整率下降等影响,使得电路的输出稳定性能变差。针对传统基于工艺与版图的抗总剂量辐射效应加固方法会带来成本较高、版图面积过大及普适性较差等问题,提出一种实时监测与自适应加固并行的抗总剂量辐射效应加固设计方法,可脱离工艺实现在电路级层面的总剂量辐射效应加固,提升了Buck-Boost转换器的抗总剂量辐射能力。基于0.18μm BCD工艺对所提方法进行具体电路设计与物理实现验证,结果表明:在剂量值为2000 Gy(Si)的条件下,可将系统增益的下降率从19.26%补偿至6.65%,输出电压漂移率从0.0663%改善至0.0074%,负载调整率和线性调整率分别降低2.15%/A和0.0389%/V,为电路与系统级的抗总剂量辐射效应加固设计提供了一种新方法。 展开更多
关键词 总剂量辐射效应 加固设计 Buck-Boost转换器 误差放大器 实时监测
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本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响 被引量：2
3
作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页
基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多
关键词 双极器件 总电离剂量(tid)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺
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14 nm体硅FinFET工艺标准单元的总剂量效应
4
作者 李海松 王斌 +3 位作者 杨博 蒋轶虎 高利军 杨靓 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期619-624,647,共7页
随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该... 随着鳍式场效应晶体管(FinFET)在高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量(TID)效应下的可靠性成为研究重点。基于14 nm体硅互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺FinFET标准单元,设计了一款TID效应实验验证电路。利用^(60)Co产生的γ射线研究了该验证电路的静态电流以及环振电路的环振频率和触发器电路的时序特性随辐照总剂量变化的情况,表征了FinFET工艺的本征抗辐射能力。实验结果表明,当辐照总剂量达到1000 krad(Si)时,验证电路静态电流增大了121%,且整个过程基本呈线性趋势增长,增长斜率约为3.14μA/krad(Si);组合逻辑单元时序参数变化绝对值小于0.6%,时序逻辑单元CK到输出端的延迟时间变化绝对值小于1%。这主要归因于TID效应对FinFET的阈值电压和饱和电流影响较小,而对器件的亚阈值漏电流影响较大。该研究结果为先进工艺超大规模集成电路在空间辐射环境中的应用提供了一定的理论指导。 展开更多
关键词 14 nm 鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺 组合逻辑 时序逻辑 总剂量(tid)效应 标准单元
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12位LC^2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应 被引量：1
5
作者 王信 陆妩 +5 位作者 郭旗 吴雪 席善斌 邓伟 崔江维 张晋新 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2355-2360,共6页
为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性,选取12位LC2 MOS工艺的数模转换器作为研究对象,使用60 Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明,LC2 MOS工艺的数模转换器对辐射剂量率非... 为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性,选取12位LC2 MOS工艺的数模转换器作为研究对象,使用60 Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明,LC2 MOS工艺的数模转换器对辐射剂量率非常敏感,高剂量率条件下的辐射损伤较低剂量率条件下的更为显著;不同偏置条件下,其辐射损伤程度也有很大不同,正常工作偏置下的数模转换器辐射损伤较非工作偏置的辐射损伤更为明显。 展开更多
关键词 电离辐射 数模转换器 剂量率效应 LC2MOS
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0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 被引量：13
6
作者 汪波 李豫东 +4 位作者 郭旗 刘昌举 文林 孙静 玛丽娅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期242-248,共7页
采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输... 采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。 展开更多
关键词 电离总剂量辐射效应 CMOS有源像素传感器 饱和输出信号 像素单元结构 LOCOS隔离
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TDI-CCD总剂量辐射效应及测试 被引量：16
7
作者 张立国 李豫东 +3 位作者 刘则洵 李宪圣 万志 任建岳 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2924-2930,共7页
为评估空间辐射效应对应用于某空间相机的TDI-CCD的成像性能的影响,从器件的电路结构入手,分析了总剂量辐射效应对器件主要性能指标的影响。针对此器件的总剂量辐照测试方法研制了测试装置。用60Co对器件进行了γ射线总剂量辐照实验,定... 为评估空间辐射效应对应用于某空间相机的TDI-CCD的成像性能的影响,从器件的电路结构入手,分析了总剂量辐射效应对器件主要性能指标的影响。针对此器件的总剂量辐照测试方法研制了测试装置。用60Co对器件进行了γ射线总剂量辐照实验,定量测试了受辐照前后器件的光电响应性能及对比度传递函数的变化情况。实验结果表明,总辐照剂量达到20krad(Si)时,定制TDI-CCD的相对响应度、暗电流、动态范围、最大信噪比相对于该器件没受辐照的初始值变化量均小于5%,对比度传递函数(CTF)没有明显变化,说明定制TDI-CCD器件能够满足某空间相机的使用要求。 展开更多
关键词 TDI-CCD 总剂量辐射效应 光电响应 对比度传递函数(CTF)
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线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应 被引量：8
8
作者 王义元 陆妩 +3 位作者 任迪远 高博 席善斌 许发月 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期550-555,共6页
为对工作在空间电离环境中稳压器的电离总剂量及剂量率效应进行研究,选择一种常用的低压差线性稳压器进行了不同偏置的高低剂量率的电离辐照和退火实验。结合电路特征和电离辐射效应,对线性稳压器产生蜕变的原因进行分析。结果显示,器... 为对工作在空间电离环境中稳压器的电离总剂量及剂量率效应进行研究,选择一种常用的低压差线性稳压器进行了不同偏置的高低剂量率的电离辐照和退火实验。结合电路特征和电离辐射效应,对线性稳压器产生蜕变的原因进行分析。结果显示,器件输出电压、线性调整率、负载调整率等关键参数在电离辐射环境下发生不同程度变化。在零偏条件下,低剂量率(LDR)下损伤明显大于高剂量率(HDR)条件,表现出低剂量率损伤增强效应;而在工作偏置条件下,高剂量率辐照损伤大于低剂量率的,退火实验中,发生损伤恢复现象,表现为时间相关效应。在整个辐照和退火过程中,零偏置损伤比工作偏置损伤大。 展开更多
关键词 线性稳压器 电离辐射 剂量率效应 偏置
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微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术 被引量：7
9
作者 袁国火 杨怀民 +1 位作者 徐曦 董秀成 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期487-490,共4页
讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy(Si);无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy(Si)... 讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy(Si);无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy(Si)。对芯片内部结构进行了辐射效应分析,并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和隔离,以及选取适当的屏蔽材料对器件进行屏蔽。 展开更多
关键词 FPGA 电离总剂量 辐照效应 加固方法
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SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析 被引量：7
10
作者 李豫东 任建岳 +1 位作者 金龙旭 张立国 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期787-793,共7页
为了研究大规模集成电路存储器的总剂量辐射效应，分别对SRAM和ROM两种存储器进行了^40Coγ总剂量辐射实验。结果表明，这两种器件是对总剂量辐射效应敏感的器件，失效阈值在10～15krad（Si）之间。实验还表明，研究SRAM、ROM的总剂量... 为了研究大规模集成电路存储器的总剂量辐射效应，分别对SRAM和ROM两种存储器进行了^40Coγ总剂量辐射实验。结果表明，这两种器件是对总剂量辐射效应敏感的器件，失效阈值在10～15krad（Si）之间。实验还表明，研究SRAM、ROM的总剂量辐射效应，只对数据存取功能进行测试是不完善的，器件的静态功耗电流与动态功耗电流也是总剂量辐射效应的敏感参数，应该作为总剂量辐射效应失效阈值的有效判据。根据器件结构与实验结果。分析了SRAM和ROM器件的损伤机理，认为CMOS SRAM的损伤主要源于辐射产生的界面效应；而浮栅结构ROM的损伤则源于辐射产生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷。 展开更多
关键词 SRAM ROM 静态功耗电流 动态功耗电流 总剂量辐射效应
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半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响 被引量：5
11
作者 丛忠超 余学峰 +4 位作者 崔江维 郑齐文 郭旗 孙静 周航 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期465-469,共5页
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐... 对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82 V。 展开更多
关键词 总剂量辐射效应 MOS晶体管 三极管 不同温度辐照
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双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应 被引量：3
12
作者 王义元 陆妩 +4 位作者 任迪远 吴雪 席善斌 高博 徐发月 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1147-1152,共6页
为分析电压比较器在空间辐射环境下的损伤变化规律,对电压比较器在不同偏置和剂量率下的电离辐射效应进行了系统研究。结果表明,电压比较器的多个参数均发生较大变化,且敏感参数与辐照条件有很强的依赖关系。不同偏置的高低剂量率辐照... 为分析电压比较器在空间辐射环境下的损伤变化规律,对电压比较器在不同偏置和剂量率下的电离辐射效应进行了系统研究。结果表明,电压比较器的多个参数均发生较大变化,且敏感参数与辐照条件有很强的依赖关系。不同偏置的高低剂量率辐照结果显示,比较器的剂量率效应与偏置相关,不同偏置条件下,器件的辐射损伤模式略有不同。 展开更多
关键词 电离辐射 双极电压比较器 剂量率效应
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先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响 被引量：4
13
作者 刘远 恩云飞 +2 位作者 李斌 师谦 何玉娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期738-742,746,共6页
器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高... 器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响。 展开更多
关键词 辐射效应 总剂量 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响 被引量：2
14
作者 刘敏波 姚志斌 +2 位作者 黄绍艳 何宝平 盛江坤 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期708-711,共4页
针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器... 针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。 展开更多
关键词 SRAM器件 工艺尺寸 高温老炼 电离总剂量效应
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甲基苯基乙烯基硅橡胶电离总剂量效应 被引量：3
15
作者 郑玉展 蔡震波 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期168-172,共5页
甲基苯基乙烯硅橡胶具有耐高低温、防震等独特优势,在航天器的减震、密封等领域具有广泛应用前景。研究了甲基苯基乙烯基硅橡胶的电离总剂量效应。结果表明,随着辐射剂量的增加,甲基苯基乙烯基硅橡胶的力学性能出现了不同程度的退化。... 甲基苯基乙烯硅橡胶具有耐高低温、防震等独特优势,在航天器的减震、密封等领域具有广泛应用前景。研究了甲基苯基乙烯基硅橡胶的电离总剂量效应。结果表明,随着辐射剂量的增加,甲基苯基乙烯基硅橡胶的力学性能出现了不同程度的退化。拉伸强度和撕裂强度变化规律以1×106 Gy(Si)剂量点为分界点。低于该剂量,拉伸和撕裂随剂量增加快速下降;高于该剂量时,随辐照剂量增加,拉伸强度出现一定程度反弹,呈现出宽"U"形,而撕裂强度则是先增加后下降。拉断伸长率和邵氏硬度A随辐照剂量增加分别出现快速下降和增加,最终接近饱和。最后,从辐射交联和裂解方面讨论了甲基苯基乙烯基硅橡胶电离总剂量效应的潜在物理机制。 展开更多
关键词 甲基苯基乙烯基硅橡胶 力学性能 总剂量效应 辐射交联 辐射裂解
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反熔丝FPGA的电离总剂量效应与加固技术 被引量：7
16
作者 赵聚朝 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期559-562,共4页
简要叙述了商用 FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固问题 ,对 Actel公司反熔丝 FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析 ,包括制造工艺、偏置条件、电泵对总剂量效应的影响。并特别指出 ,电泵的退化可能会对系统造成较为严重... 简要叙述了商用 FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固问题 ,对 Actel公司反熔丝 FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析 ,包括制造工艺、偏置条件、电泵对总剂量效应的影响。并特别指出 ,电泵的退化可能会对系统造成较为严重的后果 ,因此 ,必须重视加电后的瞬态变化。提出了可以采取的加固措施。 展开更多
关键词 反熔丝FPGA 电离总剂量效应 加固技术 现场可编程门阵列 抗电离辐射
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基于RadFET的宽范围电离总剂量效应监测系统及试验研究
17
作者 安恒 杨生胜 +2 位作者 薛玉雄 把得东 张晨光 《计量学报》 CSCD 北大核心 2016年第z1期-,共4页
设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗... 设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗辐射能力,累积剂量可达到1.0 ×105 Gy,同时,在空间应用时需重点考虑阈值电压、环境温度以及击穿电压等敏感参数. 展开更多
关键词 计量学 辐射剂量传感器 电离总剂量效应 实时监测 空间辐射
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Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应
18
作者 高博 余学峰 +5 位作者 任迪远 王义元 李豫东 孙静 李茂顺 崔江维 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2724-2728,共5页
为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序... 为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序所需的模块不同,比较了不同模块、不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系。分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因,讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。测量了输出端口的高低电平,分析了高低电平随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明:氧化物正电荷的退火导致了不同退火温度下的功耗电流的恢复,并且浅能级亚稳态的氧化物正电荷的数量多于深能级氧化物正电荷的数量;随着退火时间的增加,功能恢复为突变过程,而功耗电流的恢复为渐变过程。 展开更多
关键词 SRAM型FPGA 60Coγ 总剂量辐射损伤效应 退火效应
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MOS器件及电路的总剂量辐射效应测试技术
19
作者 王桂珍 张正选 +1 位作者 姜景和 姚育娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期57-60,64,共5页
介绍了半导体器件与电路的总剂量辐射效应及其测试技术。主要分析了ＭＯＳ器件的效应机理、总剂量效应试验模拟源以及各种模拟源辐射环境的测量方法。最后给出了部分实验结果，并对其进行了讨论。
关键词 辐射效应 MOS器件 总剂量 半导体器件 测试技术
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Altera SRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应
20
作者 高博 余学峰 +3 位作者 任迪远 王义元 李鹏伟 于跃 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1128-1132,共5页
通过比较不同模块的输出波形、不同源程序的功耗电流以及输出端口的高、低电平随总剂量的变化关系,研究了Altera SRAM型现场可编程门阵列(FPGA)器件在60Coγ源辐照下的总剂量辐射效应。实验结果表明:器件的功能和功耗电流随总剂量的变... 通过比较不同模块的输出波形、不同源程序的功耗电流以及输出端口的高、低电平随总剂量的变化关系,研究了Altera SRAM型现场可编程门阵列(FPGA)器件在60Coγ源辐照下的总剂量辐射效应。实验结果表明:器件的功能和功耗电流随总剂量的变化不同;不同模块随总剂量的变化关系相似,不同源程序的功耗电流随总剂量的变化趋势一致;总剂量辐照实验时功耗电流可作为判断器件失效的1个敏感参数。 展开更多
关键词 SRAM型现场可编程门阵列 60Coγ源 总剂量效应 辐射
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