SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究

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作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页

绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多

关键词 辐射电荷 总电离剂量(tid)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流

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本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响

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作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页

基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多

关键词 双极器件 总电离剂量(tid)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺

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SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应

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作者 陈正才 徐大为 +4 位作者 肖志强 高向东 洪根深 徐静 周淼 《信息与电子工程》 2012年第5期613-615,共3页

采用0.6μm SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性。辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V。利用Co-60γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及... 采用0.6μm SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性。辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V。利用Co-60γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及阈值窗口随辐射总剂量的变化关系,在辐射总剂量达到500 Krad(Si)时,EEPROM管仍有0.7 V的阈值窗口,可以实现存储电路的设计,并对总剂量辐射引起存储管阈值漂移的机理进行了探讨。 展开更多

关键词 SONOS EEPROM器件 电离总剂量辐射 绝缘体上硅

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辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响 被引量：3

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作者 陶伟 刘国柱 +2 位作者 宋思德 魏轶聃 赵伟 《电子与封装》 2022年第7期64-68,共5页

基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了^(60)Co(315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响。研究结果表明,在相同偏置条件下,^(60)Co与X射线两种辐照源对MOS... 基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了^(60)Co(315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响。研究结果表明,在相同偏置条件下,^(60)Co与X射线两种辐照源对MOS器件的辐射电离效应具有一定的差异性,前者同时具有康普顿效应和光电效应,后者是光电效应,主要是光子与内层电子作用。由LVNMOS总剂量辐照特性推测,X射线辐照源引起LVNMOS的SiO_(2)层中产生的电子与空穴高于^(60)Co。 展开更多

关键词 总剂量辐射电离 阈值电压 ^(60)Co X射线

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0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 被引量：13

5

作者 汪波 李豫东 +4 位作者 郭旗 刘昌举 文林 孙静 玛丽娅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期242-248,共7页

采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输... 采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。 展开更多

关键词 电离总剂量辐射效应 CMOS有源像素传感器 饱和输出信号 像素单元结构 LOCOS隔离

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反熔丝FPGA的电离总剂量效应与加固技术 被引量：7

6

作者 赵聚朝 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期559-562,共4页

简要叙述了商用 FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固问题 ,对 Actel公司反熔丝 FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析 ,包括制造工艺、偏置条件、电泵对总剂量效应的影响。并特别指出 ,电泵的退化可能会对系统造成较为严重... 简要叙述了商用 FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固问题 ,对 Actel公司反熔丝 FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析 ,包括制造工艺、偏置条件、电泵对总剂量效应的影响。并特别指出 ,电泵的退化可能会对系统造成较为严重的后果 ,因此 ,必须重视加电后的瞬态变化。提出了可以采取的加固措施。 展开更多

关键词 反熔丝FPGA 电离总剂量效应 加固技术 现场可编程门阵列 抗电离辐射

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基于RadFET的宽范围电离总剂量效应监测系统及试验研究

7

作者 安恒 杨生胜 +2 位作者 薛玉雄 把得东 张晨光 《计量学报》 CSCD 北大核心 2016年第z1期-,共4页

设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗... 设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗辐射能力,累积剂量可达到1.0 ×105 Gy,同时,在空间应用时需重点考虑阈值电压、环境温度以及击穿电压等敏感参数. 展开更多

关键词 计量学 辐射剂量传感器 电离总剂量效应 实时监测 空间辐射

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电离总剂量效应对HfO_(2)栅介质经时击穿特性影响

8

作者 魏莹 崔江维 +4 位作者 蒲晓娟 崔旭 梁晓雯 王嘉 郭旗 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第9期903-907,共5页

针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前... 针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究。以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前后MOS电容的电流-电压、电容-电压以及经时击穿特性的测试结果。结果显示,不同的辐照偏置条件下,MOS电容的损伤特性不同。正偏辐照下,低栅压下的栅电流显著增大,电容电压特性的斜率降低;零偏辐照下,正向高栅压时栅电流和电容均显著增大;负偏辐照下,栅电流均有增大,正向高栅压下电容增大,且电容斜率降低。3种偏置下,电容的经时击穿电压均显著减小。该研究为纳米MOS器件在辐射环境下的长期可靠性研究提供了参考。 展开更多

关键词 电离总剂量效应 高K栅介质 经时击穿效应 辐射陷阱电荷

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电离总剂量复合屏蔽模拟仿真及验证试验 被引量：5

9

作者 胡鉴航 冯颖 +2 位作者 韩建伟 蔡明辉 杨涛 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期180-185,共6页

空间环境中辐射粒子的电离总剂量效应对卫星电子器件危害严重,需要采用合适的材料进行屏蔽防护.本文采用蒙特卡罗方法模拟材料对电子的屏蔽,将双层复合屏蔽方法与单质屏蔽方法进行对比,结果表明对电子而言,复合屏蔽在屏蔽厚度足够大时... 空间环境中辐射粒子的电离总剂量效应对卫星电子器件危害严重,需要采用合适的材料进行屏蔽防护.本文采用蒙特卡罗方法模拟材料对电子的屏蔽,将双层复合屏蔽方法与单质屏蔽方法进行对比,结果表明对电子而言,复合屏蔽在屏蔽厚度足够大时比单质屏蔽效果更好.利用^(90)Sr-^(90)Y电子放射源进行了复合屏蔽效果的验证试验,试验结果与模拟结果规律相符,研究结果可为辐射防护的优化设计提供参考. 展开更多

关键词 空间辐射 电离总剂量 屏蔽 蒙特卡罗方法

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TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60Coγ射线总剂量辐射效应 被引量：1

10

作者 孙琦 曾诗妍 +3 位作者 付秀涛 刘巧玲 彭强祥 周益春 《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2019年第3期97-103,共7页

该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm^2,2Ec约为6.8MV/cm... 该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm^2,2Ec约为6.8MV/cm,矫顽场附近的漏电流密度为10-6A/cm^2,在105s保持时间内剩余极化值衰减10%,经10^7次翻转后剩余极化值基本保持不变,经109次翻转后剩余极化值的衰减维持在15%以内.MFIS铁电栅的60Coγ射线电离辐射实验结果表明这种栅结构对总剂量电离辐射具有很强的免疫力,在辐射剂量高达5Mrad(Si)时,电滞回线矩形度、对称性以及保持性能等几乎没有退化.该文所制备的全铪系薄膜铁电栅为高抗总剂量辐射、高读写寿命、长保存时间的高性能晶体管型铁电存储器的制备提供了数据支撑. 展开更多

关键词 HZO铁电薄膜 MFIS 总剂量电离辐射

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多类图像传感器模组电离辐射损伤对比研究 被引量：8

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作者 徐守龙 邹树梁 +3 位作者 武钊 罗志平 黄有骏 蔡祥鸣 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2092-2100,共9页

为选择能用于γ射线辐照环境且最具有加固潜力的图像传感器模组,对比分析了7类传感器模组辐照前后实时采集明、暗图像的参数,研究了不同类型的模拟图像传感器模组及数字图像传感器模组的抗辐射性能,并讨论了辐射损伤机理。实验结果表明... 为选择能用于γ射线辐照环境且最具有加固潜力的图像传感器模组,对比分析了7类传感器模组辐照前后实时采集明、暗图像的参数,研究了不同类型的模拟图像传感器模组及数字图像传感器模组的抗辐射性能,并讨论了辐射损伤机理。实验结果表明:γ射线对图像传感器模组的损伤及干扰程度与模组类型、图像传感器制作工艺、辐照剂量率及总剂量相关;剂量率造成的干扰与剂量率并非呈单纯的线性关系;镜头透镜的透光率随累积剂量的增大而下降;入射γ射线对采集画面质量的干扰与环境光线强度相关,较弱的真实信号更易被入射光子引入的噪声淹没。以上结果提示,入射γ射线对图像传感器的损伤及干扰主要是由各像素单元内暗电流以及正向脉冲颗粒噪声引起的。经实验分析,采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的数字摄像机更适用于γ射线辐射环境中的实时监测,但仍需通过加固手段提高其在辐射环境中工作的可靠性和使用寿命。 展开更多

关键词 图像传感器 电离辐射损伤 总剂量效应 剂量率效应

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PMOS总剂量监测技术的卫星应用 被引量：2

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作者 范隆 任迪远 +4 位作者 郭旗 严荣良 朱光武 王世金 梁金宝 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期293-296,共4页

利用 PMOS剂量计技术 ,研制出国产 PMOS剂量仪 ,随“实践五号”科学实验卫星升空 ,入轨后对卫星内部进行了电离辐射总剂量监测 .取得了卫星内部的总剂量深度分布结果 .介绍了 PMOS剂量仪的原理技术和飞行结果 .与国外同类监测设备在轨... 利用 PMOS剂量计技术 ,研制出国产 PMOS剂量仪 ,随“实践五号”科学实验卫星升空 ,入轨后对卫星内部进行了电离辐射总剂量监测 .取得了卫星内部的总剂量深度分布结果 .介绍了 PMOS剂量仪的原理技术和飞行结果 .与国外同类监测设备在轨结果进行对比 ,介绍并讨论了该技术的研究发展方向和我国的空间应用展望。 展开更多

关键词 总剂量监测技术 PMOS剂量计 电离辐射 卫星 空间辐射 空间环境

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典型电子系统总剂量效应行为级仿真 被引量：1

13

作者 马武英 何宝平 +2 位作者 刘林月 郭红霞 欧阳晓平 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1553-1558,共6页

为了实现电子系统的总剂量效应行为级仿真,本文提出了一种基于VHDL-AMS语言的行为级建模思路。利用VHDL-AMS语言对子电路或器件(如运算放大器、比较器和模数转换器等)的总剂量效应进行抽象建模,并从不同维度对模型的准确性进行了试验验... 为了实现电子系统的总剂量效应行为级仿真,本文提出了一种基于VHDL-AMS语言的行为级建模思路。利用VHDL-AMS语言对子电路或器件(如运算放大器、比较器和模数转换器等)的总剂量效应进行抽象建模,并从不同维度对模型的准确性进行了试验验证。在此基础上,依据器件、电路、模块之间的相互连接关系,构建典型电子系统总剂量效应行为级仿真模型,实现了其总剂量效应仿真,并与试验结果能够较好地吻合。基于行为级仿真建模,能有效简化系统总剂量效应建模难度,实现系统辐射敏感位置定位和损伤规律的再现,具有很好的应用价值,对空间电子系统的抗辐射加固设计和抗辐射性能预估能够提供技术支持。 展开更多

关键词 Γ射线 电离辐射 总剂量效应 仿真建模 运算放大器 电压比较器 系统 模型

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NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究 被引量：1

14

作者 徐锐 周东 +5 位作者 刘炳凯 李豫东 蔡娇 刘海涛 文林 郭旗 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期388-393,共6页

研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负... 研究了集成式DC-DC电源变换器在不同负载电流、不同输入电压、不同剂量率以及关断模式条件下的电离总剂量效应。实验采用在线测试和原位测试方法,在辐照前后以及辐照过程中,测试和分析了DC-DC电源变换器的关键参数。实验结果表明,大负载电流条件下,输出电压的退化更显著,且退化程度更严重,对这一现象提出了详细解释。输入电流作为关断模式条件下的重要敏感参数,可以用来评估器件的可靠性。此外,由于退火效应,低剂量率下的输出电压退化程度小于高剂量率下的输出电压退化程度。因此,剂量率的选择对分析和评估DC-DC电源变换器的电离总剂量效应非常重要。 展开更多

关键词 电离总剂量效应 DC-DC电源变换器 输出电压 辐射损伤机理

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深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究

15

作者 尹雪梅 师谦 李斌 《电子质量》 2011年第3期18-20,共3页

对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响。

关键词 温度 退火效应 总剂量效应 电离辐射

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NLRP3炎性小体在电离辐射所致小鼠认知障碍中的作用

16

作者 曾佳玉 罗诗诗 +7 位作者 王贞 牛磊 钟小林 李彩 曹文宇 何洁 万炜 刘政海 《解剖学杂志》 CAS 2021年第S01期113-113,共1页

NLRP3炎性小体与认知障碍密切相关,但其在辐射所致认知障碍中的作用尚不清楚。60只昆明小鼠随机分为正常对照组(Control,n=20)、辐射组(IR,n=20)、NLRP3抑制剂MCC950组干预组(IR+MCC950,n=20)。IR组和IR+MCC950组小鼠给予单次137Cs-γ... NLRP3炎性小体与认知障碍密切相关,但其在辐射所致认知障碍中的作用尚不清楚。60只昆明小鼠随机分为正常对照组(Control,n=20)、辐射组(IR,n=20)、NLRP3抑制剂MCC950组干预组(IR+MCC950,n=20)。IR组和IR+MCC950组小鼠给予单次137Cs-γ射线以4Gy总剂量进行全身照射,21d后IR+MCC950组小鼠腹腔注射MCC950(10mg/kg,1次/d)进行干预。 展开更多

关键词 小鼠腹腔注射 干预组 电离辐射 全身照射 认知障碍 总剂量 昆明小鼠 辐射组

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用10MeV质子和钴60γ射线进行CCD空间辐射效应评估 被引量：17

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作者 于庆奎 唐民 +3 位作者 朱恒静 张海明 张延伟 孙吉兴 《航天器环境工程》 2008年第4期391-394,300,共4页

文章用10MeV质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量。通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂量效应而言,位移效应对CCD的损伤更为严重。因此,进行CCD辐射... 文章用10MeV质子和钴60γ射线对CCD(Charge Coupled Device)进行了辐照试验,分别计算得到了电离总剂量和位移效应的失效剂量。通过分析比较得出:在空间环境中,相对于电离总剂量效应而言,位移效应对CCD的损伤更为严重。因此,进行CCD辐射效应评估时,不仅要考虑电离总剂量效应,还要考虑位移效应。文章还探讨了评估CCD抗位移损伤能力的方法。 展开更多

关键词 CCD 辐射效应 电离总剂量效应 位移效应

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大容量Flash存储器空间辐射效应试验研究 被引量：4

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作者 张洪伟 于庆奎 +2 位作者 张大宇 孟猛 唐民 《航天器工程》 2011年第6期130-134,共5页

分析了商用Flash存储器应用于航天器时应考虑的空间辐射效应和机理,并利用钴-60γ射线和重离子加速器对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器K9XXG08UXA系列进行了抗电离总剂量试验和抗单粒子试验,以评估其空间应用可行性。试验结果显示... 分析了商用Flash存储器应用于航天器时应考虑的空间辐射效应和机理,并利用钴-60γ射线和重离子加速器对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器K9XXG08UXA系列进行了抗电离总剂量试验和抗单粒子试验,以评估其空间应用可行性。试验结果显示:这一系列存储器的累积电离总剂量为50krad(Si)时,器件部分数据丢失,重新配置刷新后,功能正常;在线性能量传递值小于38MeV.cm2/mg时,未发生单粒子锁定和功能中断现象。空间辐射环境采用AD-AMS 90%最坏情况模型,太阳同步轨道高度965km,存储单元单粒子翻转率计算值为2×10-2次/(天.器件)。 展开更多

关键词 航天器 FLASH存储器 辐射效应 电离总剂量 单粒子效应

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10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应 被引量：3

19

作者 刘岩 杨善潮 +6 位作者 林东生 崔庆林 陈伟 龚建成 王桂珍 白小燕 郭晓强 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2186-2190,共5页

研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电... 研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电离总剂量效应加剧现象,即一定混合程度的中子和γ同时辐照会增强CMOS器件的辐射效应。 展开更多

关键词 综合辐射效应 中子和γ混合环境 CMOS数模转换器 电离总剂量效应 位移损伤

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不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应 被引量：2

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作者 吕曼 张小玲 +4 位作者 张彦秀 谢雪松 孙江超 王鹏鹏 吕长志 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期222-226,共5页

对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应,分析了影响双极晶体管电离总剂量辐射特性的关键因素。实验结果表明,在相同累积电离辐射总剂... 对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应,分析了影响双极晶体管电离总剂量辐射特性的关键因素。实验结果表明,在相同累积电离辐射总剂量条件下,发射区周长面积比大的双极晶体管辐照敏感性更强,对于npn双极晶体管其电离总剂量辐照损伤的关键因素是辐照感生的氧化层正电荷,而影响横向pnp的关键因素为辐照感生的界面陷阱电荷的密度。提出了一种提高双极晶体管抗电离总剂量辐射性能的措施,为探索双极晶体管以及含有双极晶体管的电子线路的抗电离总剂量辐射加固技术提供了理论和实验依据。 展开更多

关键词 双极晶体管 发射极 周长面积比 电离辐射 总剂量 退火

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