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题名硅片总厚度偏差及翘曲度检测装置研制与测试
被引量:2
- 1
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作者
郑晓峰
郑博文
蒋立正
应正平
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机构
浙江机电职业技术学院
台州市计量技术研究院
湖州出入境检验检疫局
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出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2017年第11期112-115,共4页
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基金
浙江省质量技术监督系统科研项目(20130294)
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文摘
通过机械结构、控制系统及显示系统设计,研制了硅片总厚度偏差及翘曲度检测装置,该装置具备自动送料、自动检测、自动回料、自动显示与数据存储等功能;设计相关实验条件,对装置进行了测试,并根据测试结果分析了其测量不确定度;将装置与Mahr测长仪进行了比较测量,试验表明,该装置精度满足设计要求,且性能稳定。
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关键词
总厚度偏差
翘曲度
测量不确定度
比较测量
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Keywords
total thickness deviation
warpage
measurement uncertainty
comparative measurements
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分类号
TP23
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名碳化硅粒径变化对多晶硅片总厚度偏差的影响
被引量:2
- 2
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作者
杨兴林
陶大庆
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机构
江苏科技大学机械工程学院
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出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2013年第3期44-49,共6页
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文摘
在简述多晶硅片加工技术的基础上,重点阐述了碳化硅这个因素对于多晶硅片切片的影响。通过实验设计方法设计出来一组单因素的实验,把碳化硅粒径作为变量,总厚度偏差(TTV)和过程能力指数(CPK)作为输出,使用Mintab软件对实验结果进行分析,得到相关的分析结果。经过理论分析和实验结果进行对比可知:1 500#碳化硅切割出来多晶硅片的TTV值比1 200#碳化硅的减小了3.72%,即1 500#碳化硅切割出的多晶硅片TTV明显优于1 200#碳化硅。
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关键词
碳化硅颗粒
多晶硅片
总厚度偏差
过程能力指数
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Keywords
silicon carbide particles
poly-silicon wafer
total thickness variation
complex process capability index
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分类号
TQ127.2
[化学工程—无机化工]
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题名不同腐蚀时间对CZT(211)B衬底的影响分析
被引量:3
- 3
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作者
吴亮亮
王经纬
高达
王丛
刘铭
周立庆
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第10期1268-1273,共6页
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文摘
主要分析了不同溴甲醇(溴体积比为0. 05%)腐蚀时间对CZT(211) B衬底表面粗糙度、总厚度偏差、红外透过率、Zn值以及X射线衍射半峰宽(FWHM)的影响。研究发现即使使用溴体积比0. 05%的溴甲醇溶液腐蚀5 s,衬底表面粗糙度都会由0. 5 nm增加至1. 5 nm以上。随着腐蚀时间的增加CZT(211) B衬底总厚度偏差逐渐增加。使用溴甲醇作为抛光液的两个样品的Zn值明显低于使用氨水作为抛光液的样品,同时该两样品的X射线衍射半峰宽和红外透过率随腐蚀时间的变化趋势一致,但不同于使用氨水作为抛光液的样品,说明不同的抛光液影响CZT(211) B衬底表面Zn值以及表面损伤层等表面状态。
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关键词
碲锌镉
澳甲醇
表面粗糙度
总厚度偏差
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Keywords
CdZnTe
bromomethanol
surface roughness
TTV
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分类号
TN213
[电子电信—物理电子学]
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