检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

PZT铁电材料的总剂量辐照效应实验研究被引量：6: 1; 作者娄利飞杨银堂 +2 位作者柴常春高峰唐重林《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2091-2094,共4页; 采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐... 展开更多; 关键词铁电材料电滞回线总剂量辐照效应抗辐照; 在线阅读下载PDF 职称材料

线阵CCD总剂量辐照效应离线测量系统设计被引量：7: 2; 作者张勇唐本奇 +3 位作者肖志刚王祖军黄芳黄绍雁《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期494-497,共4页; 建立了线阵CCD器件总剂量辐照效应离线测量系统,并利用该系统对一种商用线阵CCD进行了辐照效应研究,给出了暗电流输出电压信号和饱和电压信号的变化曲线。结果表明,该测量系统能够满足线阵CCD辐照试验要求。; 关键词电荷耦合器件电路设计离线测量系统总剂量辐照效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

PZT压电陶瓷的总剂量辐照效应实验研究被引量：4: 3; 作者娄利飞高峰 +2 位作者杨银堂唐重林柴常春《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第5期585-587,共3页; 采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电... 展开更多; 关键词压电材料压电常数介电常数总剂量辐照效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性: 4; 作者崔江维余学峰 +5 位作者刘刚李茂顺兰博赵云费武雄陈睿《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1257-1261,共5页; 对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层... 展开更多; 关键词总剂量辐照效应退火效应可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究: 5; 作者崔江维余学峰 +6 位作者刘刚李茂顺高博兰博赵云费武雄陈睿《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1385-1389,共5页; 对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷... 展开更多; 关键词总剂量辐照效应退火亚阈曲线; 在线阅读下载PDF 职称材料

辐照加固的500MHz锁相环设计被引量：2: 6; 作者吕荫学刘梦新 +1 位作者罗家俊叶甜春《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期49-54,共6页; 设计了一款与CSMC，0．5μmCMOS工艺兼容的频率为500MHz的辐照加固整数型锁相环电路。研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电路主要模块及整个系统性能的影响。此外，通过修正BSIM3V3模型的参数以及施加脉冲电流源来模拟总剂量辐照... 展开更多; 关键词整数型锁相环压控振荡器鉴频鉴相器总剂量辐照效应单粒子事件; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种抗辐照功率MOSFET器件被引量：1: 7; 作者刘梦新韩郑生 +3 位作者刘刚蔡小五王立新夏洋《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1167-1170,共4页; 报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加... 展开更多; 关键词功率MOSFET 单粒子烧毁单粒子栅穿总剂量辐照效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PZT铁电材料的总剂量辐照效应实验研究被引量：6: 1; 作者娄利飞杨银堂柴常春高峰唐重林; 机构西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西北工业大学材料科学与工程学院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2091-2094,共4页; 文摘采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐减小,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场呈线性减小。其中当辐照剂量为1×108rad(Si)时,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场的衰减幅度分别为14.1%,15.0%和2.7%,样片抗总剂量辐照能力可达1×108rad(Si)。; 关键词铁电材料电滞回线总剂量辐照效应抗辐照; Keywords Ferroelectric material Ferroelectric hysteresis loop Total dose radiation effects Radiation resist; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学] TL942.1 [核科学技术—辐射防护及环境保护]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名线阵CCD总剂量辐照效应离线测量系统设计被引量：7: 2; 作者张勇唐本奇肖志刚王祖军黄芳黄绍雁; 机构西北核技术研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期494-497,共4页; 文摘建立了线阵CCD器件总剂量辐照效应离线测量系统,并利用该系统对一种商用线阵CCD进行了辐照效应研究,给出了暗电流输出电压信号和饱和电压信号的变化曲线。结果表明,该测量系统能够满足线阵CCD辐照试验要求。; 关键词电荷耦合器件电路设计离线测量系统总剂量辐照效应; Keywords linear CCD driver measure circuit design; 分类号 TL82 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PZT压电陶瓷的总剂量辐照效应实验研究被引量：4: 3; 作者娄利飞高峰杨银堂唐重林柴常春; 机构西安电子科技大学微电子研究所西北工业大学材料科学与工程学院; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第5期585-587,共3页; 文摘采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电性能抗总剂量水平可达2×108rad(Si),领先国际水平。; 关键词压电材料压电常数介电常数总剂量辐照效应; Keywords piezoelectric material piezoelectric constant, dielectric constant total dose radiation effect; 分类号 TN384 [电子电信—物理电子学] TL942.1 [核科学技术—辐射防护及环境保护]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性: 4; 作者崔江维余学峰刘刚李茂顺兰博赵云费武雄陈睿; 机构中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院研究生院中国科学院微电子研究所; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1257-1261,共5页; 文摘对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。; 关键词总剂量辐照效应退火效应可靠性; Keywords total dose irradiation effect annealing effect reliability; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究: 5; 作者崔江维余学峰刘刚李茂顺高博兰博赵云费武雄陈睿; 机构中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院研究生院中国科学院微电子研究所; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1385-1389,共5页; 文摘对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍与初始值有一定负向距离。; 关键词总剂量辐照效应退火亚阈曲线; Keywords total dose irradiation effect annealing sub-threshold curves; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名辐照加固的500MHz锁相环设计被引量：2: 6; 作者吕荫学刘梦新罗家俊叶甜春; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期49-54,共6页; 文摘设计了一款与CSMC，0．5μmCMOS工艺兼容的频率为500MHz的辐照加固整数型锁相环电路。研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电路主要模块及整个系统性能的影响。此外，通过修正BSIM3V3模型的参数以及施加脉冲电流源来模拟总剂量辐照效应和单粒子事件，对锁相环整体电路进行了电路模拟仿真以及版图寄生参数提取后仿真。模拟结果表明，辐照总剂量为1Mrad（Si）时锁相环电路仍能正常工作，产生270．58～451．64MHz的时钟输出，峰峰值抖动小于100ps，锁定时间小于4μs；同时在对单粒子事件敏感的数字电路的主要节点处施加脉冲电流源后，锁相环电路均能在短时间内产生稳定的输出。; 关键词整数型锁相环压控振荡器鉴频鉴相器总剂量辐照效应单粒子事件; Keywords integer-N phase-locked loops VCO PFD TID SEE; 分类号 TN710 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种抗辐照功率MOSFET器件被引量：1: 7; 作者刘梦新韩郑生刘刚蔡小五王立新夏洋; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1167-1170,共4页; 文摘报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平,并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法。; 关键词功率MOSFET 单粒子烧毁单粒子栅穿总剂量辐照效应; Keywords Power MOSFET, SEB, SEGR, TID; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] V443 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	PZT铁电材料的总剂量辐照效应实验研究	娄利飞杨银堂柴常春高峰唐重林	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	线阵CCD总剂量辐照效应离线测量系统设计	张勇唐本奇肖志刚王祖军黄芳黄绍雁	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	PZT压电陶瓷的总剂量辐照效应实验研究	娄利飞高峰杨银堂唐重林柴常春	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性	崔江维余学峰刘刚李茂顺兰博赵云费武雄陈睿	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究	崔江维余学峰刘刚李茂顺高博兰博赵云费武雄陈睿	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	辐照加固的500MHz锁相环设计	吕荫学刘梦新罗家俊叶甜春	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种抗辐照功率MOSFET器件	刘梦新韩郑生刘刚蔡小五王立新夏洋	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料