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Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤
被引量：
1
1
作者
范隆
郝跃
余学峰
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期433-436,共4页
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对...
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显.
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关键词
氧化物电荷
界面态
能量分布
MOS电容
总剂量辐射损伤
SI/SIO2
Si/SiO2/Si3N4
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职称材料
Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应
2
作者
高博
余学峰
+5 位作者
任迪远
王义元
李豫东
孙静
李茂顺
崔江维
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期2724-2728,共5页
为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序...
为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序所需的模块不同,比较了不同模块、不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系。分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因,讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。测量了输出端口的高低电平,分析了高低电平随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明:氧化物正电荷的退火导致了不同退火温度下的功耗电流的恢复,并且浅能级亚稳态的氧化物正电荷的数量多于深能级氧化物正电荷的数量;随着退火时间的增加,功能恢复为突变过程,而功耗电流的恢复为渐变过程。
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关键词
SRAM型FPGA
60Coγ
总剂量辐射损伤
效应
退火效应
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职称材料
题名
Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤
被引量：
1
1
作者
范隆
郝跃
余学峰
机构
西安电子科技大学微电子研究所
中国科学院新疆物理研究所
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期433-436,共4页
基金
国家部委预研基金资助项目(98J11 2 12 ZK0801)
文摘
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显.
关键词
氧化物电荷
界面态
能量分布
MOS电容
总剂量辐射损伤
SI/SIO2
Si/SiO2/Si3N4
Keywords
MOS capacitor
oxide charge
interface state
energy distribution
radiation damage
分类号
TM53 [电气工程—电器]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应
2
作者
高博
余学峰
任迪远
王义元
李豫东
孙静
李茂顺
崔江维
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
新疆电子信息材料与器件重点实验室
中国科学院研究生院
新疆电子信息材料与器件重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期2724-2728,共5页
文摘
为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序所需的模块不同,比较了不同模块、不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系。分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因,讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。测量了输出端口的高低电平,分析了高低电平随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明:氧化物正电荷的退火导致了不同退火温度下的功耗电流的恢复,并且浅能级亚稳态的氧化物正电荷的数量多于深能级氧化物正电荷的数量;随着退火时间的增加,功能恢复为突变过程,而功耗电流的恢复为渐变过程。
关键词
SRAM型FPGA
60Coγ
总剂量辐射损伤
效应
退火效应
Keywords
SRAM-based FPGA
60Co γ
total-dose irradiation damage effects
annealing effects
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤
范隆
郝跃
余学峰
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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职称材料
2
Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应
高博
余学峰
任迪远
王义元
李豫东
孙静
李茂顺
崔江维
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
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