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快速软恢复二极管的仿真设计: 1; 作者张海涛张斌《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期73-76,共4页; 讨论了快速软恢复二极管的工作原理及主要相关参数,利用软件SILVACO进行仿真设计并用于二极管的制作中。; 关键词仿真设计快速二极管软恢复工作原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

PIN型快速恢复二极管的研究与应用被引量：3: 2; 作者韦文生戴瑜兴 +1 位作者张正江李晶《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期17-20,共4页; 剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案。探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术。比较了硅FRD与碳化... 展开更多; 关键词快速恢复二极管发射率控制少子寿命控制硅碳化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

具有阴极短路点结构的快速软恢复整流管的研制: 3; 作者马树魁田敬民《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期40-42,共3页; 分析了具有阴极短路点结构的快速软恢复整流管的反向恢复过程，讨论了ｎ区中设置ｐ＋短路点使反向恢复时间明显缩短的物理过程。指出重金属铂在ｎ区中的优化分布使反向恢复电流呈现软特性，实现通态下的低压降、小的反向漏电流和快速软... 展开更多; 关键词快速二极管软恢复短路点整流二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

双基区大功率快恢复二极管的研究被引量：3: 4; 作者尹启堂李玉柱 +1 位作者安涛邢毅《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期129-132,141,共5页; 提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进... 展开更多; 关键词快速恢复二极管 p+pinn+结构软恢复少子寿命; 在线阅读下载PDF 职称材料

单级磁脉冲压缩系统实验研究被引量：13: 5; 作者张东东严萍 +2 位作者王珏周媛邵涛《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1397-1401,共5页; 基于没有附加磁芯复位电路的磁脉冲压缩网络,设计研制了单级磁脉冲压缩系统;介绍了系统电路的工作情况,通过计算给出了系统关键元件的参数;应用Pspice仿真分析软件对系统电路进行仿真,仿真结果显示,负载为500Ω时,饱和变压器和磁开关的... 展开更多; 关键词脉冲功率磁脉冲压缩磁开关快速恢复高压二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

单级磁脉冲压缩系统分析被引量：8: 6; 作者张东东严萍 +2 位作者王珏周媛邵涛《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期661-666,共6页; 为提高磁脉冲压缩系统的应用效果,在分析了传统磁脉冲压缩系统的原理、缺点后介绍了省去磁芯复位电路的磁脉冲压缩系统并从原理、压缩过程以及不同的拓扑电路3方面详细分析了单级磁脉冲压缩系统,特别是C3和C4对负载放电过程,给出了等效... 展开更多; 关键词脉冲功率磁开关磁脉冲压缩可饱和变压器 PSPICE仿真实验快速恢复高压二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制被引量：16: 7; 作者刘国友窦泽春 +2 位作者罗海辉覃荣震黄建伟《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第16期4855-4862,共8页; 该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、... 展开更多; 关键词高功率密度压接型绝缘栅双极晶体管快速恢复二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

微机开关电源的常见故障及检修规律: 8; 作者顾建华《实验室研究与探索》 CAS 1995年第1期52-55,共4页; 微机开关电源的常见故障及检修规律上海交通大学顾建华目前，微型计算机的应用越来越普及，在使用中，不可避免地会发生各种故障，而由微机开关电源造成的故障约占部件总故障数的２０％～３０％，特别是一些拼装兼容机的电源出现的故障... 展开更多; 关键词开关电源故障及检修功率开关保护电路集成控制器功率变换器开关稳压电源微机快速恢复二极管无输出; 在线阅读下载PDF 职称材料

产品博览: 9; 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期83-84,共2页; 飞兆半导体推出Motion智能功率模块；Broadcom发布以太网路由芯片；QuickLogic正式提供业界最低功耗军标FPGA产品；ST推出两款多路EMI滤波器及ESD保护芯片；飞思卡尔推出频率达致6GHz的11种GPA设备；英飞凌已经向英特尔提供DDR3内存原... 展开更多; 关键词 EDR DDR 芯片选件飞思卡尔快速恢复二极管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名快速软恢复二极管的仿真设计: 1; 作者张海涛张斌; 机构清华大学核能技术设计研究院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期73-76,共4页; 文摘讨论了快速软恢复二极管的工作原理及主要相关参数,利用软件SILVACO进行仿真设计并用于二极管的制作中。; 关键词仿真设计快速二极管软恢复工作原理; Keywords fast diode soft-recovery simulate; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PIN型快速恢复二极管的研究与应用被引量：3: 2; 作者韦文生戴瑜兴张正江李晶; 机构温州大学物理与电子信息工程学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期17-20,共4页; 基金浙江省科技计划项目(2009C31070); 文摘剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案。探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术。比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频、高电压、大功率技术领域的应用。; 关键词快速恢复二极管发射率控制少子寿命控制硅碳化硅; Keywords fast recovery diode, emitter efficiency control, lifetime control of minority carriers, Si, SiC; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名具有阴极短路点结构的快速软恢复整流管的研制: 3; 作者马树魁田敬民; 机构铁道部科学研究院西安理工大学; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期40-42,共3页; 文摘分析了具有阴极短路点结构的快速软恢复整流管的反向恢复过程，讨论了ｎ区中设置ｐ＋短路点使反向恢复时间明显缩短的物理过程。指出重金属铂在ｎ区中的优化分布使反向恢复电流呈现软特性，实现通态下的低压降、小的反向漏电流和快速软恢复特性。; 关键词快速二极管软恢复短路点整流二极管; Keywords High speed diode Soft recovery Shorted point; 分类号 TN313.5 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双基区大功率快恢复二极管的研究被引量：3: 4; 作者尹启堂李玉柱安涛邢毅; 机构北京京仪椿树整流器有限责任公司西安理工大学; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期129-132,141,共5页; 基金电子产业发展基金资助项目(2006-634); 文摘提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。; 关键词快速恢复二极管 p+pinn+结构软恢复少子寿命; Keywords FRD p＋ pinn ＋ structure soft recovery minority carrier lifetime; 分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单级磁脉冲压缩系统实验研究被引量：13: 5; 作者张东东严萍王珏周媛邵涛; 机构中国科学院电工研究所; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1397-1401,共5页; 基金国家自然科学基金项目(50437020,50707032); 文摘基于没有附加磁芯复位电路的磁脉冲压缩网络,设计研制了单级磁脉冲压缩系统;介绍了系统电路的工作情况,通过计算给出了系统关键元件的参数;应用Pspice仿真分析软件对系统电路进行仿真,仿真结果显示,负载为500Ω时,饱和变压器和磁开关的磁芯所需饱和时间分别为6μs和500 ns。实验结果表明:系统接200Ω负载时,输出脉冲幅值约18.5 kV,下降时间约40 ns,脉冲宽度约70 ns,最高重复频率可达500Hz;引入高压快速恢复二极管替代续流电感,不仅有效抑制了负载预脉冲,而且输出脉冲尾部的振荡幅值与持续时间都显著减小。; 关键词脉冲功率磁脉冲压缩磁开关快速恢复高压二极管; Keywords Pulsed power Magnetic pulse compression Magnetic switch Fast-recovering HV diode; 分类号 TN78 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单级磁脉冲压缩系统分析被引量：8: 6; 作者张东东严萍王珏周媛邵涛; 机构中国科学院电工研究所中国科学院研究生院; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期661-666,共6页; 基金国家自然科学基金重点项目(50437020) 国家自然科学基金(50707032)~~; 文摘为提高磁脉冲压缩系统的应用效果,在分析了传统磁脉冲压缩系统的原理、缺点后介绍了省去磁芯复位电路的磁脉冲压缩系统并从原理、压缩过程以及不同的拓扑电路3方面详细分析了单级磁脉冲压缩系统,特别是C3和C4对负载放电过程,给出了等效电路。通过等效电路的仿真解释了续流电感L2对系统的影响;仿真和实验结果的对比验证了电路仿真模型的正确;对于快速恢复二极管替代续流电感的系统电路,仿真与实验结果均表明脉冲尾部的反峰幅值与持续时间都显著减小。; 关键词脉冲功率磁开关磁脉冲压缩可饱和变压器 PSPICE仿真实验快速恢复高压二极管; Keywords pulsed power magnetic switch magnetic pulse compression （MPC） saturable pulse transformer Pspice simulation experiment fast-recovering HV diode; 分类号 TM83 [电气工程—高电压与绝缘技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制被引量：16: 7; 作者刘国友窦泽春罗海辉覃荣震黄建伟; 机构新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲中车时代电气股份有限公司); 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第16期4855-4862,共8页; 文摘该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、独特结构的压接子单元,大幅度降低了芯片损耗、提高了单芯片电流容量;解决压接封装中的压力均衡、芯片均流等关键技术难题,成功研制高功率密度3600A/4500V压接型IGBT,具有导通损耗低、开关能力强、双面散热、失效短路的优点,功率容量与功率密度提高到一个新的水平,满足柔性直流输电应用需求。; 关键词高功率密度压接型绝缘栅双极晶体管快速恢复二极管; Keywords high power density press-pack insulated gatebipolar transistor （IGBT） fast recovery diode （FRD）; 分类号 TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微机开关电源的常见故障及检修规律: 8; 作者顾建华; 机构上海交通大学; 出处《实验室研究与探索》 CAS 1995年第1期52-55,共4页; 文摘微机开关电源的常见故障及检修规律上海交通大学顾建华目前，微型计算机的应用越来越普及，在使用中，不可避免地会发生各种故障，而由微机开关电源造成的故障约占部件总故障数的２０％～３０％，特别是一些拼装兼容机的电源出现的故障率更高。近年来，我们参考了一些维修...; 关键词开关电源故障及检修功率开关保护电路集成控制器功率变换器开关稳压电源微机快速恢复二极管无输出; 分类号 TP306.3 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名产品博览: 9; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期83-84,共2页; 文摘飞兆半导体推出Motion智能功率模块；Broadcom发布以太网路由芯片；QuickLogic正式提供业界最低功耗军标FPGA产品；ST推出两款多路EMI滤波器及ESD保护芯片；飞思卡尔推出频率达致6GHz的11种GPA设备；英飞凌已经向英特尔提供DDR3内存原型芯片；; 关键词 EDR DDR 芯片选件飞思卡尔快速恢复二极管; 分类号 TN [电子电信]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	快速软恢复二极管的仿真设计	张海涛张斌	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	PIN型快速恢复二极管的研究与应用	韦文生戴瑜兴张正江李晶	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	具有阴极短路点结构的快速软恢复整流管的研制	马树魁田敬民	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	双基区大功率快恢复二极管的研究	尹启堂李玉柱安涛邢毅	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	单级磁脉冲压缩系统实验研究	张东东严萍王珏周媛邵涛	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	13	在线阅读下载PDF 职称材料
6	单级磁脉冲压缩系统分析	张东东严萍王珏周媛邵涛	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	8	在线阅读下载PDF 职称材料
7	高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制	刘国友窦泽春罗海辉覃荣震黄建伟	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2018	16	在线阅读下载PDF 职称材料
8	微机开关电源的常见故障及检修规律	顾建华	《实验室研究与探索》 CAS	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	产品博览		《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料