期刊文献+
共找到32篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
用于高压快恢复二极管的200mm硅外延材料的生长 被引量:7
1
作者 张志勤 吴会旺 +1 位作者 袁肇耿 赵丽霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期129-133,159,共6页
1 200 V快恢复二极管(FRD)器件用200 mm外延片由于直径较大、外延层较厚(约130μm)以及电阻率较高(约60Ω·cm),外延层滑移线、电阻率不均匀性和缓冲层过渡区不易控制。通过在水平板式炉上进行工艺优化实验,采用900℃恒温工艺,外延... 1 200 V快恢复二极管(FRD)器件用200 mm外延片由于直径较大、外延层较厚(约130μm)以及电阻率较高(约60Ω·cm),外延层滑移线、电阻率不均匀性和缓冲层过渡区不易控制。通过在水平板式炉上进行工艺优化实验,采用900℃恒温工艺,外延层滑移线总长由原来的约90 mm降低至约15 mm。采用氢气变流量赶气工艺,外延层电阻率不均匀性由原来的约5%提升至小于3%。缓冲层结构生长之前,预生长本征覆盖层(帽层)可以降低缓冲层的过渡区宽度,由10μm降低至5μm,改善了缓冲层的有效厚度,同时也可以降低缓冲层的电阻率不均匀性,由2.5%降低至1.1%。以上措施的实施,满足了1 200 V FRD器件的材料指标要求,外延片出货量大幅度增加,提升了产业化水平。 展开更多
关键词 快恢复二极管(FRD) 外延 滑移线 电阻率 不均匀性 缓冲层
在线阅读 下载PDF
功率快恢复二极管反偏ESD机理分析 被引量:2
2
作者 魏峰 吴郁 +6 位作者 周新田 周东海 吴立成 贾云鹏 胡冬青 金锐 刘钺杨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期629-634,共6页
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以... 功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。 展开更多
关键词 静电放电(ESD) 快恢复二极管(FRD) 人体模型(HBM) 雪崩注入 临界场 背景掺杂
在线阅读 下载PDF
快恢复二极管软度参数的调整 被引量:1
3
作者 张华曹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期16-18,共3页
探讨了快恢复二极管制造过程中, 选择适当的复合中心能级去调整快恢复二极管软度因子和软度的可行性。实验结果说明, 选用σp/σn 比值较小的复合中心能级可以改善二极管的软度参数。
关键词 二极管 快恢复二极管 软度参数 调整
在线阅读 下载PDF
局域铂掺杂寿命控制快恢复二极管的研究 被引量:4
4
作者 韩宝东 胡冬青 +2 位作者 谢书珊 贾云鹏 亢宝位 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期489-492,共4页
利用质子辐照感生的局域高浓度空位缺陷对样品表面层预生成的铂硅合金中的铂原子进行汲取,形成与感生缺陷分布相似的局域铂分布,首次实现了具有局域铂掺杂的快恢复二极管中的局域寿命控制技术。报告了改变质子注入剂量对二极管反向恢复... 利用质子辐照感生的局域高浓度空位缺陷对样品表面层预生成的铂硅合金中的铂原子进行汲取,形成与感生缺陷分布相似的局域铂分布,首次实现了具有局域铂掺杂的快恢复二极管中的局域寿命控制技术。报告了改变质子注入剂量对二极管反向恢复时间和反向漏电流等参数的影响。结果表明,当辐照剂量较低时,随着辐照剂量的增加,电活性铂浓度不断提高,器件性能不断优化。而辐照剂量增加到一定程度,有效区电活性铂杂质的浓度会趋向饱和,二极管反向恢复时间基本上不再继续减小。 展开更多
关键词 局域铂掺杂 铂汲取 辐照剂量 快恢复二极管
在线阅读 下载PDF
掺铂和电子辐照对快恢复二极管性能的影响 被引量:2
5
作者 赵豹 贾云鹏 +4 位作者 吴郁 胡冬青 周璇 李哲 谭健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期37-41,共5页
寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地引起其他性能的变化。通过高能电子辐照和扩铂对1 200 V FRD进行了寿命控制,并对铂扩散和电子辐照样品在... 寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地引起其他性能的变化。通过高能电子辐照和扩铂对1 200 V FRD进行了寿命控制,并对铂扩散和电子辐照样品在正向压降温度特性、静态和反向恢复特性等方面进行了对比分析,发现铂扩散样品随扩铂温度的增加,其击穿电压变大;高能电子辐照器件呈现电压正温度系数,其正向压降和反向恢复时间(VF-trr)折中曲线更靠近原点。实验结果表明,高能电子辐照样品具有更好的温度系数、更好的VF-trr折中特性,然而反向电流在125℃却高达约210μA。 展开更多
关键词 寿命控制 扩铂 电子辐照 快恢复二极管(FRD) 深能级瞬态谱(DLTS)
在线阅读 下载PDF
现代快恢复二极管设计方法的研究 被引量:5
6
作者 孙鹏飞 胡钦高 +1 位作者 邓锋 李宁家 《电子设计工程》 2013年第9期99-102,共4页
基于改善快恢复二极管的的动态特性,通过对二极管的横、纵向参数来进行分析,理论上提出了快恢复二极管的设计方法,并且结合SILVACO-TCAD仿真软件进行验证;得出了现代快恢复二极管应降低阳极浓度、减小基区少子寿命,采用加缓冲层的结论;... 基于改善快恢复二极管的的动态特性,通过对二极管的横、纵向参数来进行分析,理论上提出了快恢复二极管的设计方法,并且结合SILVACO-TCAD仿真软件进行验证;得出了现代快恢复二极管应降低阳极浓度、减小基区少子寿命,采用加缓冲层的结论;这种结构极大的改善了快恢复二极管的正向导通特性,达到了优化动态特性的目的。 展开更多
关键词 快恢复二极管 动态特性 反向恢复峰值电流 少子寿命
在线阅读 下载PDF
快恢复二极管在直流脉宽调速系统中的应用
7
作者 余建华 《四川工业学院学报》 1999年第2期73-76,共4页
从理论和实际两个方面阐述了快恢复二极管在功率晶体管保护电路和直流电动机续流电路中的应用。
关键词 快恢复二极管 直流电机 GTR 脉宽调速系统
在线阅读 下载PDF
功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量仿真
8
作者 屈静 吴郁 +4 位作者 刘钺杨 贾云鹏 匡勇 李蕊 苏洪源 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期24-28,共5页
静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,讨论二者的共性和差异。结果表... 静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,讨论二者的共性和差异。结果表明,器件外端电压波形均经历过冲、负阻振荡和平缓发展三个阶段,对应器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等复杂变化,差别在于反偏ESD造成的电压过冲更明显,且出现典型的U型电场分布,与雪崩耐量相比对器件造成的影响更剧烈。为改善器件在反偏ESD和雪崩耐量测试过程中的电流丝化问题,考察了结构参数对器件抗ESD能力和雪崩耐量的影响,发现提高n-区掺杂浓度和阳极表面浓度对提高抗ESD能力和雪崩耐量起到促进作用。 展开更多
关键词 快恢复二极管(FRD) 静电放电(ESD) 雪崩耐量 电压过冲 雪崩注入
在线阅读 下载PDF
非开关式电学法实时测量快恢复二极管瞬态温升
9
作者 金锐 任云翔 +2 位作者 郭春生 冯士维 苏雅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期774-778,共5页
快恢复二极管(FRD)工作条件下,结温的实时测量和监控问题始终是个难题。利用脉冲大电流消除结自升温,测量校温曲线,然后基于该校温曲线利用非开关式电学法实现实时测量FRD的瞬态温升。对比了非开关式电学法,红外法以及开关式电学法三种... 快恢复二极管(FRD)工作条件下,结温的实时测量和监控问题始终是个难题。利用脉冲大电流消除结自升温,测量校温曲线,然后基于该校温曲线利用非开关式电学法实现实时测量FRD的瞬态温升。对比了非开关式电学法,红外法以及开关式电学法三种方法测量的瞬态温升曲线。结果表明,在1 W功率下,TO-247-2L封装型的FRD非开关式电学法测量结温的稳态温升为42℃,比开关式电学法及红外法分别高1.2%和2.4%。结果证明,非开关式电学法可以准确地测量器件温升,解决了实时测温的问题,可以避免开关式电学法由于电流切换所造成的结温误差。 展开更多
关键词 瞬态温升 快恢复二极管(FRD) 非开关电学法 结温 实时测量
在线阅读 下载PDF
一种新型低阳极发射效率快恢复二极管 被引量:2
10
作者 何延强 刘钺杨 +2 位作者 吴迪 金锐 温家良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期911-915,共5页
采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p^+区和低掺杂p^-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p^+区和低掺杂... 采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p^+区和低掺杂p^-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p^+区和低掺杂p^-区层次掩模版图案,即可实现发射极注入效率的自调节,制造成本低;其反向恢复电荷减小了30.4%,反向电流峰值减小了29%,反向电压峰值减小了6.7%,反向恢复时间减小了11%,开关器件的工作损耗降低,折衷性能更加优良;在V_F基本相当的情况下,反向恢复软度特性更优。 展开更多
关键词 快恢复二极管(FRD) 低阳极发射效率 导通压降 反向恢复电荷 反向恢复电流峰值
在线阅读 下载PDF
MPS快恢复二极管正向压降的研究 被引量:1
11
作者 陈天 杨晓鸾 季顺黄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期598-602,共5页
介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿... 介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿真软件对MPS结构的两款较快恢复二极管的正向特性进行了研究并实际制作了器件,发现正向压降与衬底掺杂浓度及载流子迁移率关系极大。分析了正向压降的温度特性,结果表明固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性;而对于FRED器件,由于杂质散射起主导作用,正向压降呈负温度系数特性。 展开更多
关键词 混合pin/肖特基(MPS)二极管 快恢复二极管 正向压降 正温度系数 负温度系数
在线阅读 下载PDF
快恢复二极管正向浪涌电流特性研究 被引量:3
12
作者 何延强 和峰 +4 位作者 刘钺杨 吴迪 金锐 温家良 潘艳 《智能电网》 2017年第4期319-323,共5页
首先介绍电网中所用的快恢复二极管正向浪涌电流测试原理及方法,试验研究器件有源区结构、阳极区杂质补偿及载流子寿命控制方式对正向浪涌电流的影响。测试结果表明采用低阳极发射效率有源区结构的器件所能够承受的正向浪涌电流等级低... 首先介绍电网中所用的快恢复二极管正向浪涌电流测试原理及方法,试验研究器件有源区结构、阳极区杂质补偿及载流子寿命控制方式对正向浪涌电流的影响。测试结果表明采用低阳极发射效率有源区结构的器件所能够承受的正向浪涌电流等级低于常规有源区结构器件;提高阳极区杂质补偿注入剂量能够提高二极管正向浪涌电流;与全局寿命控制方式相比,采用局域寿命控制方式制备的二极管具有更强的抗正向浪涌电流的能力。 展开更多
关键词 快恢复二极管(FRD) 正向浪涌电流 低阳极发射效率 导通压降
在线阅读 下载PDF
快恢复二极管技术综述
13
作者 王学良 钱敏 《河南科技》 2022年第12期36-41,共6页
本研究重点介绍少数载流子寿命控制技术中的全域少数载流子技术和局域少数载流子技术及不同细分的少数载流子寿命控制技术的优缺点,并从阳极发射效率控制技术(如PIN、LLD、SSD、SPEED、MPS等)出发,介绍各类快恢复二极管技术的历史演变... 本研究重点介绍少数载流子寿命控制技术中的全域少数载流子技术和局域少数载流子技术及不同细分的少数载流子寿命控制技术的优缺点,并从阳极发射效率控制技术(如PIN、LLD、SSD、SPEED、MPS等)出发,介绍各类快恢复二极管技术的历史演变及其结构的研究进展。同时,对比分析了另一种快恢复二极管的重要技术——高压钝化技术,如SIPOS技术及PI技术。然后介绍国内外快恢复二极管在各类电力电子领域的应用现状。最后阐释了快恢复二极管技术面临的技术挑战和未来发展趋势。 展开更多
关键词 快恢复二极管 寿命控制 阳极发射 高压钝化
在线阅读 下载PDF
一种高电压快恢复二极管的设计与制造
14
作者 马霞 《黑龙江科技信息》 2017年第11期8-9,共2页
随着电力电子技术的微型化、智能化、节能化发展,影响其关键特性的核心部件功率半导体的重要性得到了重新认识,市场需求量也越来越大,通过调整工艺设计参数,优化工艺条件,采用掺杂重金属Pt来控制快恢复二极管FRD少子复合寿命来提高器件... 随着电力电子技术的微型化、智能化、节能化发展,影响其关键特性的核心部件功率半导体的重要性得到了重新认识,市场需求量也越来越大,通过调整工艺设计参数,优化工艺条件,采用掺杂重金属Pt来控制快恢复二极管FRD少子复合寿命来提高器件良率、改善器件的可靠性。 展开更多
关键词 快恢复二极管 功率半导体器件 少字寿命控制 反向恢复时间
在线阅读 下载PDF
APT公司的快恢复二极管介绍
15
作者 王映波 李海金 陈诗君 《国外电子元器件》 2006年第3期77-77,共1页
关键词 快恢复二极管 APT公司 电压范围 Q系列
在线阅读 下载PDF
什么是快恢复二极管?
16
《电子质量》 2016年第12期44-44,共1页
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二檄管或阻尼二极管使用。
关键词 快恢复二极管 半导体二极管 脉宽调制器 整流二极管 阻尼二极管 开关特性 反向恢复 开关电源
在线阅读 下载PDF
Vishay发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET
17
《电子质量》 2015年第6期49-49,共1页
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOsFET—SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。VishayS—iliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻,在工业、电信、计算和可再生能... 日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOsFET—SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。VishayS—iliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻,在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性,并且节能。新推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造,充实了Vishay现有的标准E系列器件,使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。 展开更多
关键词 功率MOSFET 快恢复二极管 N沟道 功率MOSFET 可再生能源 零电压开关 导通电阻 反向恢复
在线阅读 下载PDF
4.5kV高压快恢复二极管的Spice子电路设计
18
作者 钟正 吴郁 《集成电路应用》 2022年第6期6-8,共3页
阐述基于4.5kV高压快恢复二极管,采用集总电荷法搭建了高压快恢复二极管的等效子电路,探讨LTSpice仿真软件进行测试仿真,通过双脉冲电路对模型参数进行调整,使得到的子模型能够完整地描述高压快恢复二极管的特性。通过与常温与高温实测... 阐述基于4.5kV高压快恢复二极管,采用集总电荷法搭建了高压快恢复二极管的等效子电路,探讨LTSpice仿真软件进行测试仿真,通过双脉冲电路对模型参数进行调整,使得到的子模型能够完整地描述高压快恢复二极管的特性。通过与常温与高温实测波形进行比对,证实Spice子电路对描述二极管器件特性的可行性,提出的子电路模型,对于高压快恢复二极管的系统仿真和器件结构仿真,具有参考价值。 展开更多
关键词 快恢复二极管 子电路 集总电荷法 等效模型 双脉冲电路
在线阅读 下载PDF
快速恢复外延二极管用硅外延片的工艺研究 被引量:4
19
作者 王文林 李扬 +1 位作者 陈涛 李明达 《电子与封装》 2014年第11期37-40,共4页
利用化学气相沉积方法制备所需硅外延层,通过FTIR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等多种测试方法获取外延层的几何参数、电学参数以及过渡区形貌。详细研究了本征层生长工艺与外延层厚度分布、电阻... 利用化学气相沉积方法制备所需硅外延层,通过FTIR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等多种测试方法获取外延层的几何参数、电学参数以及过渡区形貌。详细研究了本征层生长工艺与外延层厚度分布、电阻率分布以及过渡区形貌之间的对应关系。采用该优化设计的硅外延材料,成功提高了FRED器件的性能与成品率。 展开更多
关键词 快恢复二极管 硅外延片 本征层生长 过渡区
在线阅读 下载PDF
120 V超快软恢复二极管用大尺寸硅外延材料工艺研究 被引量:3
20
作者 李明达 陈涛 薛兵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A02期88-92,106,共6页
硅外延材料具有厚度和电阻率能精确调控、结晶完整性良好的优势,能够有效降低功耗,改善击穿电压,广泛应用于半导体分立器件。外延层厚度、电阻率、均匀性、晶格质量等参数指标直接决定了所制分立器件的良率和性能。通过研究平板式外延... 硅外延材料具有厚度和电阻率能精确调控、结晶完整性良好的优势,能够有效降低功耗,改善击穿电压,广泛应用于半导体分立器件。外延层厚度、电阻率、均匀性、晶格质量等参数指标直接决定了所制分立器件的良率和性能。通过研究平板式外延炉的热场和流场分布对材料均匀性的调制规律,在150 mm的大尺寸硅单晶衬底上化学气相沉积了高均匀性的硅外延材料。利用原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延材料的表面形貌、平整度、微粗糙度、厚度、电阻率、均匀性等参数。最终制备的外延材料的厚度和电阻率片内标准偏差均小于2%,而且表面无雾、滑移线等缺陷。制备的高均匀性的外延材料在应用于耐压为120 V的超快软恢复二极管后,解决了边缘电压低击穿现象,显著提升了器件的产出良率。 展开更多
关键词 硅外延材料 均匀性 化学气相沉积 恢复二极管
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部