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忆阻式传感器的研究进展与展望
1
作者
胡伟
王又弘
+2 位作者
康开进
董彩丽
何邕
《仪器仪表学报》
CSCD
北大核心
2024年第12期1-11,共11页
忆阻器作为第4类无源电子器件,具有结构简单、存储速度快、集成密度高等优点,被认为是下一代非易失性存储器和人工突触器件的有力竞争者。目前,基于电阻、电容、电感3种无源电子器件构建的电阻式、电容式、电感式传感器原理清晰、研究...
忆阻器作为第4类无源电子器件,具有结构简单、存储速度快、集成密度高等优点,被认为是下一代非易失性存储器和人工突触器件的有力竞争者。目前,基于电阻、电容、电感3种无源电子器件构建的电阻式、电容式、电感式传感器原理清晰、研究深入、应用广泛。然而,基于忆阻器的忆阻式传感器的研究却处于起步阶段。首先从简要介绍忆阻器的性能、材料、机理和应用出发,基于忆阻器在传感领域的探索研究引出并阐明忆阻式传感器的概念;然后重点综述利用忆阻器进行物理参量、化学参量、生物参量等传感特性研究的国内外进展;最后,根据忆阻式传感器发展现状的分析总结,指出其面临的挑战与相应的展望,为未来忆阻式传感器研究提供可行的方向。
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关键词
忆
阻
器
阻
变存储器
忆阻式传感器
阻
变特性
传感性能
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职称材料
题名
忆阻式传感器的研究进展与展望
1
作者
胡伟
王又弘
康开进
董彩丽
何邕
机构
重庆大学光电工程学院
出处
《仪器仪表学报》
CSCD
北大核心
2024年第12期1-11,共11页
基金
国家自然科学基金(92471207)
重庆市自然科学基金创新发展联合基金(市教委)(CSTB2022NSCQ-LZX0075)
中央高校基本科研业务费(2024CDJGF-020)项目资助。
文摘
忆阻器作为第4类无源电子器件,具有结构简单、存储速度快、集成密度高等优点,被认为是下一代非易失性存储器和人工突触器件的有力竞争者。目前,基于电阻、电容、电感3种无源电子器件构建的电阻式、电容式、电感式传感器原理清晰、研究深入、应用广泛。然而,基于忆阻器的忆阻式传感器的研究却处于起步阶段。首先从简要介绍忆阻器的性能、材料、机理和应用出发,基于忆阻器在传感领域的探索研究引出并阐明忆阻式传感器的概念;然后重点综述利用忆阻器进行物理参量、化学参量、生物参量等传感特性研究的国内外进展;最后,根据忆阻式传感器发展现状的分析总结,指出其面临的挑战与相应的展望,为未来忆阻式传感器研究提供可行的方向。
关键词
忆
阻
器
阻
变存储器
忆阻式传感器
阻
变特性
传感性能
Keywords
memristor
resistive random access memory
memristive sensor
resistive switching property
sensing performance
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TH89 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
忆阻式传感器的研究进展与展望
胡伟
王又弘
康开进
董彩丽
何邕
《仪器仪表学报》
CSCD
北大核心
2024
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职称材料
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