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〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定
被引量：
1
1
作者
佟丽英
杨春明
+2 位作者
王春梅
史继祥
王聪
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期793-795,共3页
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试...
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。
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关键词
砷化镓单晶
微观图形
参考面
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职称材料
题名
〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定
被引量：
1
1
作者
佟丽英
杨春明
王春梅
史继祥
王聪
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期793-795,共3页
文摘
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。
关键词
砷化镓单晶
微观图形
参考面
Keywords
GaAs single crystal
microscopic figure
reference plane
分类号
TN305.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定
佟丽英
杨春明
王春梅
史继祥
王聪
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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