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激光直写制备金属与碳材料微纳结构与器件研究进展
被引量：
9
1
作者
周伟平
白石
+2 位作者
谢祖武
刘明伟
胡安明
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期38-50,共13页
激光直写技术作为一种新兴的低成本、高效、高精度的加工技术,可以适用于几乎任意自由度的二维或者三维微纳结构快速成型制备。这对光电子以及半导体微纳结构与器件的制备具有重大的意义。金属微纳结构在电子学和光子学中有着广泛的应...
激光直写技术作为一种新兴的低成本、高效、高精度的加工技术,可以适用于几乎任意自由度的二维或者三维微纳结构快速成型制备。这对光电子以及半导体微纳结构与器件的制备具有重大的意义。金属微纳结构在电子学和光子学中有着广泛的应用。本文综述了激光直写制备金属微纳结构相关研究进展。主要包括激光直写制备金、银、铜以及复合材料微纳结构与器件。随后重点综述了激光直写表面增强拉曼光谱微流道芯片相关的研究进展。随着环保要求的不断提高,功能性碳材料将会在更多领域得到广泛的应用。与传统的热碳化方法相比,激光直写工艺可以在材料的表面上实现精细的图案化微纳结构的制备。本文进一步综述了激光碳化直写碳功能材料相关研究进展。主要包括激光直写原位还原氧化石墨烯、激光碳化木材、叶子等木质材料。通过对本课题组的研究以及目前相关的研究成果进行综述,本文可为激光直写制备金属与碳材料微纳结构与器件研究及应用提供参考。
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关键词
激光直写
微
纳
结构
与
器件
金属
微
纳
结构
碳材料
表面增强拉曼
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职称材料
原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展
被引量：
2
2
作者
李惠琴
陈晓勇
+6 位作者
王成
穆继亮
许卓
杨杰
丑修建
薛晨阳
刘俊
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期60-67,共8页
原子层沉积(ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。...
原子层沉积(ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理,介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展,涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域,对ALD技术当前存在的问题进行了分析,并展望了未来发展方向。
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关键词
原子层沉积
薄膜技术
高深宽比
结构
纳
米多孔
结构
微纳结构器件
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职称材料
题名
激光直写制备金属与碳材料微纳结构与器件研究进展
被引量：
9
1
作者
周伟平
白石
谢祖武
刘明伟
胡安明
机构
湖南科技大学物理与电子科学学院
理化学研究所光量子工学研究中心先进激光加工研究团队
先进制造与纳米工程实验室
出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期38-50,共13页
基金
湖南省教育厅一般项目(19C0763)
湖南科技大学博士启动基金资助项目(E52060)。
文摘
激光直写技术作为一种新兴的低成本、高效、高精度的加工技术,可以适用于几乎任意自由度的二维或者三维微纳结构快速成型制备。这对光电子以及半导体微纳结构与器件的制备具有重大的意义。金属微纳结构在电子学和光子学中有着广泛的应用。本文综述了激光直写制备金属微纳结构相关研究进展。主要包括激光直写制备金、银、铜以及复合材料微纳结构与器件。随后重点综述了激光直写表面增强拉曼光谱微流道芯片相关的研究进展。随着环保要求的不断提高,功能性碳材料将会在更多领域得到广泛的应用。与传统的热碳化方法相比,激光直写工艺可以在材料的表面上实现精细的图案化微纳结构的制备。本文进一步综述了激光碳化直写碳功能材料相关研究进展。主要包括激光直写原位还原氧化石墨烯、激光碳化木材、叶子等木质材料。通过对本课题组的研究以及目前相关的研究成果进行综述,本文可为激光直写制备金属与碳材料微纳结构与器件研究及应用提供参考。
关键词
激光直写
微
纳
结构
与
器件
金属
微
纳
结构
碳材料
表面增强拉曼
Keywords
laser direct writing
micro/nano structures and devices
metal micro/nano structures
carbon materials
surface-enhanced Raman spectroscopy
分类号
TN249 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展
被引量：
2
2
作者
李惠琴
陈晓勇
王成
穆继亮
许卓
杨杰
丑修建
薛晨阳
刘俊
机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
中北大学电子测试技术重点实验室
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期60-67,共8页
基金
国家自然科学基金重点支持项目(91123036)
国家自然科学基金杰出青年基金(51225504)
国家自然科学基金(91123016)~~
文摘
原子层沉积(ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理,介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展,涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域,对ALD技术当前存在的问题进行了分析,并展望了未来发展方向。
关键词
原子层沉积
薄膜技术
高深宽比
结构
纳
米多孔
结构
微纳结构器件
Keywords
atomic layer deposition
thin-film preparation technology
high aspect-ratio structure
nano-porous structure
micro-nano structure devices
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光直写制备金属与碳材料微纳结构与器件研究进展
周伟平
白石
谢祖武
刘明伟
胡安明
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2022
9
在线阅读
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职称材料
2
原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展
李惠琴
陈晓勇
王成
穆继亮
许卓
杨杰
丑修建
薛晨阳
刘俊
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
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职称材料
已选择
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