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大气氛围低温Au-Au薄膜键合的表面活化处理研究: 1; 作者陈孔杰聂君扬 +5 位作者罗灿琳周雄图孙捷严群吴朝兴张永爱《光电子技术》 CAS 2023年第1期42-47,共6页; 提出了一种在大气氛围和低温条件下实现Au-Au薄膜的金属键合技术,研究了不同表面活化处理时间对Au-Au薄膜表面粗糙度、Au-Au薄膜的键合质量和可靠性的影响。实验结果表明,Au薄膜表面粗糙度随着表面活化处理时间的增加先减少后增大,当表... 展开更多; 关键词薄膜键合表面活化处理粗糙度剪切强度微米级发光二极管器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

Mini-LED:助力下一轮LCD技术发展被引量：13: 2; 作者吴诗聪《光电子技术》 CAS 北大核心 2018年第3期145-148,共4页; Mini-LED由高密度LED二维阵列制成。它是一种全固态有源发光器件,具有工作电压低、发光效率高、响应快、性能可靠和工作温度范围宽等优点。文章结合应用讨论Mini-LED的设计和制程。; 关键词次毫米级发光二极管显示微米级发光二极管显示有机发光二极管显示液晶显示; 在线阅读下载PDF 职称材料

液态淀积法制备氧化铪薄膜: 3; 作者刘义锋聂君扬 +4 位作者张恺馨林畅李敏严群孙捷《光电子技术》 CAS 2023年第3期212-217,共6页; 采用成本低廉、操作简单的液态淀积法成功制备了HfO_(2)薄膜,分析了液态淀积法制备氧化铪薄膜的反应机理,测试了薄膜的表面形貌、组成成分,以及光学特性和电学性能。结果表明:液态淀积法制备的氧化铪薄膜结构致密且连续,化学组分纯正;经... 展开更多; 关键词液态淀积法氧化铪薄膜微米级发光二极管显示器; 在线阅读下载PDF 职称材料

(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术: 4; 作者杜佳怡聂君扬 +5 位作者孙捷林畅吴大磊杨天溪黄忠航严群《光电子技术》 CAS 2023年第1期1-6,共6页; 采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不... 展开更多; 关键词硅基微米级发光二极管巨量转移硅基互补金属氧化物半导体热压键合选择性刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大气氛围低温Au-Au薄膜键合的表面活化处理研究: 1; 作者陈孔杰聂君扬罗灿琳周雄图孙捷严群吴朝兴张永爱; 机构福州大学物理与信息工程学院中国福建光电信息科学与技术创新实验室; 出处《光电子技术》 CAS 2023年第1期42-47,共6页; 基金国家重点研发计划(2021YFB3600104) 闽都创新实验室自主部署项目(2021ZZ111,2021ZZ130)。; 文摘提出了一种在大气氛围和低温条件下实现Au-Au薄膜的金属键合技术,研究了不同表面活化处理时间对Au-Au薄膜表面粗糙度、Au-Au薄膜的键合质量和可靠性的影响。实验结果表明,Au薄膜表面粗糙度随着表面活化处理时间的增加先减少后增大,当表面活化处理时间为20min时,Au薄膜表面粗糙度均方根为6.9 nm,悬挂键数量和粗糙度达到一个相对平衡的关系,Au-Au薄膜键合后的平均剪切强度为131.8 MPa,最大剪切强度高达159.1 MPa。因此,Au薄膜表面理想的表面活化处理时间可有效地提高Au-Au薄膜键合质量和稳定性,为实现混合集成Micro-LED器件的低温金属键合提供理论指导。; 关键词薄膜键合表面活化处理粗糙度剪切强度微米级发光二极管器件; Keywords thin film bonding surface activation treatment roughness shear strength Micro-LED devices; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Mini-LED:助力下一轮LCD技术发展被引量：13: 2; 作者吴诗聪; 机构中佛罗里达大学光电学院; 出处《光电子技术》 CAS 北大核心 2018年第3期145-148,共4页; 文摘 Mini-LED由高密度LED二维阵列制成。它是一种全固态有源发光器件,具有工作电压低、发光效率高、响应快、性能可靠和工作温度范围宽等优点。文章结合应用讨论Mini-LED的设计和制程。; 关键词次毫米级发光二极管显示微米级发光二极管显示有机发光二极管显示液晶显示; Keywords Mini LED Micro-LED OLED LCD; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名液态淀积法制备氧化铪薄膜: 3; 作者刘义锋聂君扬张恺馨林畅李敏严群孙捷; 机构福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室中国福建光电信息科学与技术创新实验室瑞典查尔摩斯理工大学西安交通大学电信学部晋江市博感电子科技有限公司; 出处《光电子技术》 CAS 2023年第3期212-217,共6页; 基金福建省科技厅项目(2021HZ0114,2021J01583,2021L3004) 中国福建光电信息科学与技术创新实验室项目(2021ZZ122)。; 文摘采用成本低廉、操作简单的液态淀积法成功制备了HfO_(2)薄膜,分析了液态淀积法制备氧化铪薄膜的反应机理,测试了薄膜的表面形貌、组成成分,以及光学特性和电学性能。结果表明:液态淀积法制备的氧化铪薄膜结构致密且连续,化学组分纯正;经过500℃退火后,氧化铪薄膜的透光率在92%以上;以40 nm氧化铪为电介质制成平板电容后,当电压为1 V时漏电流密度是3.56×10^(-7)A/cm^(2);1 MHz频率下的电容值为1.05 nF,经计算得出介电常数为18.9。液态淀积法制备氧化铪薄膜的成功,为使用氧化铪薄膜作为Micro LED器件的侧壁钝化层提供了一种成本低廉、工艺简便的方法。; 关键词液态淀积法氧化铪薄膜微米级发光二极管显示器; Keywords liquid deposition method HfO_(2)film Micro LED; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学] O711 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术: 4; 作者杜佳怡聂君扬孙捷林畅吴大磊杨天溪黄忠航严群; 机构福州大学中国福建光电信息科学与技术创新实验室瑞典查尔摩斯理工大学西安交通大学; 出处《光电子技术》 CAS 2023年第1期1-6,共6页; 基金福建省科技厅项目(2021HZ0114,2021J01583,2021L3004) 中国福建光电信息科学与技术创新实验室项目(2021ZZ122)。; 文摘采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。; 关键词硅基微米级发光二极管巨量转移硅基互补金属氧化物半导体热压键合选择性刻蚀; Keywords silicon-based micro-LED mass transfer silicon-based CMOS hot press bonding selective etching; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学] O711 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	大气氛围低温Au-Au薄膜键合的表面活化处理研究	陈孔杰聂君扬罗灿琳周雄图孙捷严群吴朝兴张永爱	《光电子技术》 CAS	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Mini-LED:助力下一轮LCD技术发展	吴诗聪	《光电子技术》 CAS 北大核心	2018	13	在线阅读下载PDF 职称材料
3	液态淀积法制备氧化铪薄膜	刘义锋聂君扬张恺馨林畅李敏严群孙捷	《光电子技术》 CAS	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术	杜佳怡聂君扬孙捷林畅吴大磊杨天溪黄忠航严群	《光电子技术》 CAS	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料