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1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究
被引量：
1
1
作者
孔云川
周大勇
+4 位作者
澜清
刘金龙
苗振华
封松林
牛智川
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期551-554,共4页
用优化的MBE参数生长了 1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料 ,并制成发光二极管 ,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰 ,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明 ,由...
用优化的MBE参数生长了 1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料 ,并制成发光二极管 ,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰 ,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明 ,由于能态填充效应的影响 ,适当增大量子点发光器件有源区长度 ,更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。
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关键词
微米发光自组织
INAS/GAAS
量子点
电致
发光
发光
二极管
能态填充效应
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职称材料
题名
1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究
被引量：
1
1
作者
孔云川
周大勇
澜清
刘金龙
苗振华
封松林
牛智川
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期551-554,共4页
基金
国家自然科学基金 (No.6 0 176 0 0 6
6 0 0 2 5 410 )
中国科学院纳米科学与技术资助项目
文摘
用优化的MBE参数生长了 1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料 ,并制成发光二极管 ,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究。观察到两个明显的电致发光峰 ,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光。实验表明 ,由于能态填充效应的影响 ,适当增大量子点发光器件有源区长度 ,更有利于获得基态的光发射。这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法。
关键词
微米发光自组织
INAS/GAAS
量子点
电致
发光
发光
二极管
能态填充效应
Keywords
quantum dots
electroluminescence
LED
state filling effect
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究
孔云川
周大勇
澜清
刘金龙
苗振华
封松林
牛智川
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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