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光学工艺 微细加工技术与设备
1
《中国光学》
EI
CAS
2006年第6期75-75,共1页
TN305．2 2006065454一种改进的测量硅片亚表面损伤的角度抛光方法=An improved angle polishing method for measuring subsurface damage in silicon wafers[刊,英]/霍凤伟(大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室．辽宁,大连(11...
TN305．2 2006065454一种改进的测量硅片亚表面损伤的角度抛光方法=An improved angle polishing method for measuring subsurface damage in silicon wafers[刊,英]/霍凤伟(大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室．辽宁,大连(116024)),康仁科…//半导体学报．—2006,27(3)．—506-510提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤。其原理是：经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准；
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技术
与设备
激光直写
损伤深度
微
细加工
测量
光学工艺
化学机械抛光
国家重点实验室
半导体
微立体光刻技术
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职称材料
题名
光学工艺 微细加工技术与设备
1
出处
《中国光学》
EI
CAS
2006年第6期75-75,共1页
文摘
TN305．2 2006065454一种改进的测量硅片亚表面损伤的角度抛光方法=An improved angle polishing method for measuring subsurface damage in silicon wafers[刊,英]/霍凤伟(大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室．辽宁,大连(116024)),康仁科…//半导体学报．—2006,27(3)．—506-510提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤。其原理是：经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准；
关键词
技术
与设备
激光直写
损伤深度
微
细加工
测量
光学工艺
化学机械抛光
国家重点实验室
半导体
微立体光刻技术
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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1
光学工艺 微细加工技术与设备
《中国光学》
EI
CAS
2006
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