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微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
1
作者
严北平
张鹤鸣
戴显英
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期132-133,136,共3页
利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流...
利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流增益截止频率fT 大于 30GHz,最高振荡频率fmax约为 5 0GHz.
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关键词
ALGAAS/GAAS
异质结
双极晶体管
微空气桥隔离
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职称材料
题名
微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
1
作者
严北平
张鹤鸣
戴显英
机构
西安电子科技大学微电子学研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期132-133,136,共3页
基金
国家自然科学基金 !(No .696760 33)
文摘
利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 (Offsetvoltage)2 0 0mV ;电流增益截止频率fT 大于 30GHz,最高振荡频率fmax约为 5 0GHz.
关键词
ALGAAS/GAAS
异质结
双极晶体管
微空气桥隔离
Keywords
AlGaAs/GaAs HBT
self aligned structure
micro airbridge isolation
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
严北平
张鹤鸣
戴显英
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
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