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题名芯片原子钟MEMS原子气室数字温控系统设计
被引量：1
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作者
刘召军
李坤
李云超
胡旭文
闫树斌
张彦军
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机构
中北大学电子测试技术国防科技重点实验室
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
北京动力机械研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期410-414,420,共6页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0503200)
山西省自然基金资助项目(201701D121065)
领域基金公开项目(61400030601)
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文摘
芯片原子钟(CSAC)可以提供精准的时间基准,具有较好的应用前景。利用微型PIC~?单片机和增量式比例-微分-积分(PID)算法设计了一种CSAC微电子机械系统(MEMS)原子气室数字温控系统,并通过磁控溅射方法制作了MEMS原子气室专用的氧化铟锡(ITO)加热玻璃。温度是影响CSAC稳定度的一个重要因素,解决了CSAC系统气室温控的加热不均匀问题,温控精度达到了0.10℃,达到了CSAC温控精度优于0.15℃的要求。通过饱和吸收光谱实验,获得了明显的饱和吸收谱线。实验结果为高性能CSAC的研究提供了参考。
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关键词
芯片原子钟(CSAC)
数字温控
饱和吸收
微电子机械系统(mems)原子气室
氧化铟锡(ITO)加热玻璃
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Keywords
chip scale atomic clock ( CSAC )
digital temperature control
saturated absorption
mems atomic vapor cell
ITO heating glass
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名3D MIM电容器原子层沉积可控生长及电学性能
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作者
穆继亮
徐方良
孙雅薇
李芬
丑修建
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机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
北方自动控制技术研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期517-522,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61471326)
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文摘
为提高电容器的比电容,设计了基于三维（3D）结构的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。采用原子层沉积（ALD）技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟合得到了原子层沉积过程中薄膜覆盖率与3D结构之间的依赖关系。基于该模型优化了工艺参数,制备了不同介质层厚度的电容器,并对器件进行了C-V和I-V特性测试,得到电容器击穿场强和介电常数均值分别为6.68 MV/cm和7.95。同时,制备的3D MIM电容器的比电容达到212.5 fF/μm2,相比常规平面电容器,其电容密度提高了一个数量级。且该电容器击穿场强和介电常数与薄膜厚度之间具有良好的线性关系,表明理论模型合理,实现了基于3D结构的原子层沉积薄膜可控生长。
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关键词
原子层沉积(ALD)
三维结构
金属-绝缘体-金属(MIM)电容器
微电子机械系统(mems)
电学性能
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Keywords
atomic layer deposition （ALD）
three-dimensional structure
metal-insulator-metal（MIM） capacitor
micro-electromechanical system （mems）
electrical property
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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