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平行缝焊微电子器件的光学检漏 被引量:1
1
作者 张泽丰 徐达 +2 位作者 谭亮 魏少伟 马紫成 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期285-291,共7页
光学检漏为非接触式封装漏率测量方法,且单次测试可同时完成粗检及细检,是一种快速的封装检漏技术。对光学检漏与氦质谱检漏的漏率计算公式进行了详细分析和对比。设计了多组实验探究如工装翘曲度、封装内空腔体积等因素对光学检漏检测... 光学检漏为非接触式封装漏率测量方法,且单次测试可同时完成粗检及细检,是一种快速的封装检漏技术。对光学检漏与氦质谱检漏的漏率计算公式进行了详细分析和对比。设计了多组实验探究如工装翘曲度、封装内空腔体积等因素对光学检漏检测结果的影响,分析了光学检漏的“充压”问题并给出解决方案,对比了光学检漏与氦质谱检漏的检测漏率。分析了光学检漏技术的优缺点,并通过实验验证了光学检漏的可行性及可靠性,为微电子器件的光学检漏应用提供参考。 展开更多
关键词 微电子器件 光学检漏 平行缝焊 密封 氦质谱检漏
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静电放电和方波EMP对微电子器件的效应 被引量:15
2
作者 原青云 武占成 +2 位作者 杨洁 张希军 薛田 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期47-50,共4页
为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对... 为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对是CB结;器件损伤时的灵敏参数是VBRCEO;又采用方波注入法对两晶体管进行实验比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP最敏感端对是CB结而非以往人们认为的EB结。 展开更多
关键词 微电子器件 静电放电 方波注入 敏感端对 人体模型
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塑封微电子器件失效机理研究进展 被引量:16
3
作者 李新 周毅 孙承松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期98-101,共4页
塑封器件在现在的封装产业中具有无可比拟的优势,相关研究引起了人们广泛关注。简要介绍了塑封微电子器件的发展史,以及国内外塑封器件可靠性的研究现状。对塑封器件的主要失效机理研究进展进行深入探讨,如腐蚀、分层、开裂等,提出了几... 塑封器件在现在的封装产业中具有无可比拟的优势,相关研究引起了人们广泛关注。简要介绍了塑封微电子器件的发展史,以及国内外塑封器件可靠性的研究现状。对塑封器件的主要失效机理研究进展进行深入探讨,如腐蚀、分层、开裂等,提出了几种提高塑封器件可靠性的措施。论述了用于塑封器件质量评估的试验方法,并展望了塑封器件在军工领域的潜在应用前景。 展开更多
关键词 失效机理 塑封 微电子器件
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微电子器件静电损伤实验 被引量:4
4
作者 杨士亮 张欣卉 +2 位作者 姬国庆 唐卫红 李汉军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期801-802,809,共3页
在不同的静电放电模型下,通过实验研究了几种典型的半导体器件的静电敏感端对的静电放电情况和灵敏参数,由于外部环境、材料、结构和加工工艺不同,器件的静电损伤模式不同,其最大未损伤阈值和最小损伤阈值也不尽相同。实验结果表明,对... 在不同的静电放电模型下,通过实验研究了几种典型的半导体器件的静电敏感端对的静电放电情况和灵敏参数,由于外部环境、材料、结构和加工工艺不同,器件的静电损伤模式不同,其最大未损伤阈值和最小损伤阈值也不尽相同。实验结果表明,对于高频低噪声npn型硅三极管来说,反向CB结的静电敏感度要高于反向EB结的静电敏感度;ESD电流注入硅器件不同端对时,灵敏参数一般包括反向击穿电压、直流电流放大系数和反向漏电流,而极间电容和噪声系数对静电不敏感。 展开更多
关键词 微电子器件 静电损伤 放电模型
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板壳状微电子器件的数字层析成像检测方法 被引量:4
5
作者 傅健 王宏钧 +1 位作者 李斌 江柏红 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1580-1584,共5页
传统工业CT(industrial computed tomography,ICT)成像方法受扫描原理和探测器、射线源等硬件条件的限制,难以对芯片、印刷电路板等板、壳状微电子器件实施有效的数字层析成像检测.为此,讨论了一种基于锥束射线倾斜扫描和代数重建技术(A... 传统工业CT(industrial computed tomography,ICT)成像方法受扫描原理和探测器、射线源等硬件条件的限制,难以对芯片、印刷电路板等板、壳状微电子器件实施有效的数字层析成像检测.为此,讨论了一种基于锥束射线倾斜扫描和代数重建技术(Algebraic Reconstruction Technique,ART)的薄板层析成像(Computed Laminography,CL)方法,研究了其基于投影凸集理论的投影预处理方法及基于不同区域相似性的重建图像非局部平均降噪后处理方法,建立了基于非晶硅面阵探测器的实验系统,并完成了CPU芯片和印刷电路板的CL成像.实验结果证明了该方法的正确性. 展开更多
关键词 层析成像 薄板层析成像 代数重建技术 投影凸集 板壳状微电子器件
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微电子器件内连接技术与材料的发展展望 被引量:2
6
作者 陈方 杜长华 +1 位作者 黄福祥 杜云飞 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期8-10,25,共4页
内引线连接是微电子器件制造过程中的重要环节之一。综述了微电子器件内引线连接技术的特点和方法,重点介绍了引线键合和倒装焊材料的研究进展,并指出了未来的发展方向。
关键词 微电子器件 内引线连接 引线键合材料 倒装焊材料
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真空微电子器件的进展与问题 被引量:3
7
作者 庄学曾 夏善红 刘光诒 《电子科学学刊》 CSCD 1997年第5期688-694,共7页
本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容... 本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题. 展开更多
关键词 真空微电子 场发射阵列 真空微电子器件
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氮化镓在光电子和微电子器件中的应用 被引量:6
8
作者 袁明文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期16-19,39,共5页
综述了优良的宽禁带半导体材料 GaN在光电子和微电子器件中的应用。
关键词 氮化镓 电子 微电子器件
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面向微电子器件封装作业的三自由度串并联混合式高速高精度机器人
9
作者 孙立宁 丁庆勇 +1 位作者 祝宇虹 刘新宇 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期20-24,共5页
针对微电子器件封装作业对高速高精度自动设备的需求,提出了一种由平行四边形支链的平面并联机构和直线运动模块组成的新型三自由度串并联混合式机器人.机器人采用两个集成了高分辨率角位移反馈元件的旋转直接驱动电机和直线音圈电机作... 针对微电子器件封装作业对高速高精度自动设备的需求,提出了一种由平行四边形支链的平面并联机构和直线运动模块组成的新型三自由度串并联混合式机器人.机器人采用两个集成了高分辨率角位移反馈元件的旋转直接驱动电机和直线音圈电机作为驱动元件.结合了并联机构和直接驱动的优点来实现高速高精度的三自由度平动运动.实验结果表明平面并联机构具有较高的重复定位精度、加速度和较短的建立时间. 展开更多
关键词 机器人 高速高精 三自由度 混合式 平面并联机构 封装 音圈电机 微电子器件 建立时间 高分辨率
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微电子器件金属化系统失效的电子显微分析
10
作者 吉元 徐学东 +2 位作者 张炜 程尧海 李学信 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期150-150,共1页
随着微电子器件向着超高频,超高速和高集成度化方向发展,电徒动引起的器件金属化系统失效问题变得日益突出。所谓电徒动是指高电流密度作用下,金属导体中发生质量输运的现象。电徒动使器件的内部金属化系统条状铝薄膜上出现小丘。晶须(... 随着微电子器件向着超高频,超高速和高集成度化方向发展,电徒动引起的器件金属化系统失效问题变得日益突出。所谓电徒动是指高电流密度作用下,金属导体中发生质量输运的现象。电徒动使器件的内部金属化系统条状铝薄膜上出现小丘。晶须(质量堆积)和空洞(质量耗尽)现象,造成短路和开路失效。本文叙述了AL-Cu金属化系统电徒动寿命的测试和电镜分析。从实验获得了在300C.氮气环境中,高电流密度(0.6×10~6和1.2×10~6A.cm^(-2)作用下的Al-Cu薄膜电阻随时间的变化率,并计算了薄膜中值电徒动失效前的时间。用SEM和TEM观察和分析了钝化层覆盖效应。 展开更多
关键词 微电子器件 金属化系统 失效分析
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微电子器件尺寸对池内饱和沸腾传热临界热流形成机理的影响
11
作者 闫水保 何谷元 《华北水利水电学院学报》 1997年第1期77-81,共5页
动力学不稳定性模型被推广到有限几何形状的加热面,以解释微电子器件尺寸对池内沸腾换热临界热流形成机理的影响。随特性尺寸的减小,将出现不同的机理。对于不同几何形状的加热器件,其无因次临界热流与尺寸的关系均可以用相似的函数... 动力学不稳定性模型被推广到有限几何形状的加热面,以解释微电子器件尺寸对池内沸腾换热临界热流形成机理的影响。随特性尺寸的减小,将出现不同的机理。对于不同几何形状的加热器件,其无因次临界热流与尺寸的关系均可以用相似的函数形式进行关联。 展开更多
关键词 微电子器件尺寸 临界热流 传热 沸腾传热
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微电子器件散热控制及设计的一个理论模型 被引量:3
12
作者 柴清和 柴立和 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期303-304,331,共3页
在微电子工业中,广泛运用多孔介质表面被强化微电子器件的相变散热,特别是强化提高其临界热负荷的值。针对多孔介质表面的沸腾,提出了新的多孔介质临界热负荷模型,理论上解析了表面多孔参数对临界热负荷的影响,理论模型与实验结果吻合... 在微电子工业中,广泛运用多孔介质表面被强化微电子器件的相变散热,特别是强化提高其临界热负荷的值。针对多孔介质表面的沸腾,提出了新的多孔介质临界热负荷模型,理论上解析了表面多孔参数对临界热负荷的影响,理论模型与实验结果吻合得很好。研究无疑对电子安全系统技术、安全控制技术和设计技术有重要指导意义。 展开更多
关键词 微电子器件 多孔介质 散热
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微电子器件工业生产中的静电防护研究 被引量:2
13
作者 刘军霞 张新焕 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第S1期91-93,108,共4页
从ESD过程分析入手,对微电子器件工业生产中的静电来源以及泄放途径进行了剖析,介绍了4种静电放电模型,进而阐述了微电子器件工业生产中的静电防护技术以及静电防护体系,以确保静电防护的有效性。
关键词 静电放电 微电子器件 可靠性
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激光在微电子器件制造中的应用 被引量:1
14
作者 黄印权 《红外与激光技术》 CSCD 1991年第3期1-5,共5页
本文简要综述激光辅助的加工技术在微电子器件制造中的应用,包括激光修复电路和掩模、激光制版、激光光刻,以及激光直接投影作图加工等情况。值得注意的是,作为微细加工关键设备的以准分子激光器为光源的分步重复光刻机近年来有了突破... 本文简要综述激光辅助的加工技术在微电子器件制造中的应用,包括激光修复电路和掩模、激光制版、激光光刻,以及激光直接投影作图加工等情况。值得注意的是,作为微细加工关键设备的以准分子激光器为光源的分步重复光刻机近年来有了突破性进展,达到的分辨率为0.5~0.25μm,视场约15mm×15mm,能对Φ200mm的硅片以每小时十几片的生产率进行光刻,这已为生产16M DRAM(动态随机存储器)作好准备。 展开更多
关键词 微电子器件 制造 激光
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基于超表面的新型微电子器件 被引量:1
15
《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期254-254,377,共2页
借助人工构建超表面,有望实现无半导体的微电子器件。由于现有微电子器件的性能受到其构成材料——自然半导体的限制,加州大学圣地亚哥分校Dan Sievenpiper教授领导的研究团队提出了基于光电子发射的器件,并且制造了第一个光控微电子器... 借助人工构建超表面,有望实现无半导体的微电子器件。由于现有微电子器件的性能受到其构成材料——自然半导体的限制,加州大学圣地亚哥分校Dan Sievenpiper教授领导的研究团队提出了基于光电子发射的器件,并且制造了第一个光控微电子器件,该器件由人工构建超表面而不是半导体组成,该超表面由平行金条阵列上的金蘑菇状纳米结构阵列制成。当这种由超材料组成的微电子器件被低电压和低功率激光激活时,可以增加1000%的导电率, 展开更多
关键词 微电子器件 人工构建 构成材料 超材料 蘑菇状 导电率 California engineered INNOVATIVE PHOTOVOLTAIC
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美开发出不依赖半导体的微电子器件
16
《航天器工程》 CSCD 北大核心 2017年第1期144-144,共1页
据科技部网站2016年12月14日报道,美国加州大学圣地亚哥分校的研究团队开发出一款基于纳米结构、不依赖半导体传导的光控微电子器件,在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。相关论文发表在《自然... 据科技部网站2016年12月14日报道,美国加州大学圣地亚哥分校的研究团队开发出一款基于纳米结构、不依赖半导体传导的光控微电子器件,在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。相关论文发表在《自然·通讯》杂志。 展开更多
关键词 半导体器件 微电子器件 开发 美国加州大学 纳米结构 圣地亚哥 激光激发 论文发表
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微机和微电子器件的地线
17
作者 薛仁经 《控制工程(北京)》 1992年第1期26-33,共8页
关键词 微机 微电子器件 地线
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真空微电子器件
18
作者 唐功文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期64-64,F003,共2页
最近两年里,微电子器件家族增添了一个新成员,它是半导体技术与真空技术相结合的产物,这就是真空微电子器件或真空半导体器件.由于它具有明显的优点和潜在的应用领域,特别是它采用类似于集成电路工艺就可以制造出来,引起了美国、法国和... 最近两年里,微电子器件家族增添了一个新成员,它是半导体技术与真空技术相结合的产物,这就是真空微电子器件或真空半导体器件.由于它具有明显的优点和潜在的应用领域,特别是它采用类似于集成电路工艺就可以制造出来,引起了美国、法国和苏联等国家的注意,并且积极地进行着这种新型器件的研究.1986年12月美国宣布制成了第一支真空FET. 展开更多
关键词 真空 微电子器件
全文增补中
微电子工艺和器件仿真实验课程体系的建设 被引量:6
19
作者 张林 汪贵平 +2 位作者 闫茂德 邱彦章 李清华 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2018年第5期202-204,208,共4页
为了解决传统微电子工艺和器件实验课程对硬件条件要求高、费用高、耗时长、效果差等问题,将仿真技术应用于微电子工艺和器件实验课程体系建设,设计并实践了包括演示性、验证性、设计性以及综合性等在内的多种类型的实验。相比于工艺和... 为了解决传统微电子工艺和器件实验课程对硬件条件要求高、费用高、耗时长、效果差等问题,将仿真技术应用于微电子工艺和器件实验课程体系建设,设计并实践了包括演示性、验证性、设计性以及综合性等在内的多种类型的实验。相比于工艺和测试的实验方法,应用仿真技术的实验可以更灵活的形式和更丰富的内容覆盖更广的专业课程知识,并与专业课程知识紧密衔接,同时也易于提升实验的开放性。从而有助于提升学生的动手实践能力、增强学生对微电子工艺和器件课程理论知识的理解、提升学习兴趣。 展开更多
关键词 微电子工艺 微电子器件 实验 仿真
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纳米电子器件呼唤真空化学研究 被引量:9
20
作者 李建昌 侯士敏 +1 位作者 张兆祥 薛增泉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第6期421-426,共6页
纳米电子器件是微电子器件发展的下一代 ,现有微电子器件的主要材料是极纯的硅、锗和镓砷等晶体半导体。纳米电子器件有可能是以有机或有机 /无机复合晶体薄膜为主要材料 ,要求纯度更高 ,结构更完善。真空制备的清洁环境 ,有希望加工组... 纳米电子器件是微电子器件发展的下一代 ,现有微电子器件的主要材料是极纯的硅、锗和镓砷等晶体半导体。纳米电子器件有可能是以有机或有机 /无机复合晶体薄膜为主要材料 ,要求纯度更高 ,结构更完善。真空制备的清洁环境 ,有希望加工组装出纳米电子器件所要求的结构。 展开更多
关键词 真空化学 纳米电子 有机薄膜 微电子器件
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