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微波ECR等离子体源离子注入法制备DLC薄膜被引量：4: 1; 作者王金刚马国佳 +2 位作者邓新绿李新唐祯安《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期429-431,共3页; 用微波ECR等离子体源离子注入 (PSII)法 ,在硅片 ( 10 0 )上制备了类金刚石 (DLC)薄膜 ,工作气体采用CH4气体 ,研究了不同的气体流量对薄膜的影响。对制备的DLC薄膜 ,用拉曼光谱、FT IR光谱、AFM以及纳米压痕等手段对化学成分、化学键... 展开更多; 关键词类金刚石薄膜电子回旋共振微波ecr等离子体源离子注入法 DLC薄膜拉曼光谱纳米压痕; 在线阅读下载PDF 职称材料

ECR-RF双功率源等离子体化学气相沉积制备类金刚石薄膜的研究被引量：5: 2; 作者桑利军陈强《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期25-27,共3页; 利用微波ECR加射频功率源等离子体化学气相沉积技术,以CH4为碳源气体,Ar气为稀释气体,在硅片(100)上制备了类金刚石薄膜。Raman光谱证实了薄膜的类金刚石特性;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在明显的C—H键结构。采用AFM观察了表面形貌... 展开更多; 关键词微波ecr等离子体化学气相沉积类金刚石薄膜平均摩擦系数; 在线阅读下载PDF 职称材料

ECR微波等离子体对单晶金刚石表面的碳纳米墙修饰被引量：1: 3; 作者衡凡廖学红 +4 位作者曹为付秋明许传波赵洪阳马志斌《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第1期34-38,共5页; 利用电子回旋共振(ECR)微波等离子体,在CH4/H2体系下,对高温高压单晶金刚石表面进行了碳纳米墙修饰。通过等离子体发射光谱研究ECR等离子体内基团的谱线强度在不同工作气压、CH4浓度下的变化规律,结合扫描电子显微镜对单晶金刚石表面的... 展开更多; 关键词 ecr微波等离子体单晶金刚石碳纳米墙修饰; 在线阅读下载PDF 职称材料

沉积参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响被引量：3: 4; 作者朴勇梁宏军 +4 位作者高鹏丁万昱陆文琪马腾才徐军《应用光学》 CAS CSCD 2006年第4期274-280,共7页; 利用微波电子回旋共振（MW-ECR）等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅（SiCN）薄膜。研究结果表明：硅靶溅射功率和氮气流量对薄膜化学结构、光学、力学等性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱（FT-IR）和X射线光电子能谱（XPS... 展开更多; 关键词 SiCN薄膜微波ecr等离子体沉积参数光学带隙; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响被引量：3: 5; 作者朴勇徐军 +3 位作者高鹏丁万昱陆文琪马腾才《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期526-529,共4页; 利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜。研究结果表明,碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着碳靶溅射偏压由-450 ... 展开更多; 关键词 SICN 微波ecr等离子体化学结构力学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波ECR等离子体源离子注入法制备DLC薄膜被引量：4: 1; 作者王金刚马国佳邓新绿李新唐祯安; 机构大连理工大学; 出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第6期429-431,共3页; 基金国家自然科学基金重点项目 5 0 13 5 0 40; 文摘用微波ECR等离子体源离子注入 (PSII)法 ,在硅片 ( 10 0 )上制备了类金刚石 (DLC)薄膜 ,工作气体采用CH4气体 ,研究了不同的气体流量对薄膜的影响。对制备的DLC薄膜 ,用拉曼光谱、FT IR光谱、AFM以及纳米压痕等手段对化学成分、化学键结构。; 关键词类金刚石薄膜电子回旋共振微波ecr等离子体源离子注入法 DLC薄膜拉曼光谱纳米压痕; Keywords Diamond like carbon(DLC),ecr,Plasma source ion implantation(PSII), sp3; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ECR-RF双功率源等离子体化学气相沉积制备类金刚石薄膜的研究被引量：5: 2; 作者桑利军陈强; 机构北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室; 出处《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期25-27,共3页; 文摘利用微波ECR加射频功率源等离子体化学气相沉积技术,以CH4为碳源气体,Ar气为稀释气体,在硅片(100)上制备了类金刚石薄膜。Raman光谱证实了薄膜的类金刚石特性;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在明显的C—H键结构。采用AFM观察了表面形貌,均方根粗糙度大约为1.489nm,表明薄膜表面比较光滑。最后对其进行了摩擦性能测试,薄膜的平均摩擦系数为0.102。; 关键词微波ecr等离子体化学气相沉积类金刚石薄膜平均摩擦系数; Keywords diamond-like carbon films RF negative bias structure and performance; 分类号 TB43 [一般工业技术] TB484.5 [一般工业技术—包装工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ECR微波等离子体对单晶金刚石表面的碳纳米墙修饰被引量：1: 3; 作者衡凡廖学红曹为付秋明许传波赵洪阳马志斌; 机构武汉工程大学材料科学与工程学院黄冈师范学院化学化工学院; 出处《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第1期34-38,共5页; 基金国家自然科学基金(批准号11575134) 中国电子科技集团公司第四十六研究所创新基金(CJ20150701); 文摘利用电子回旋共振(ECR)微波等离子体,在CH4/H2体系下,对高温高压单晶金刚石表面进行了碳纳米墙修饰。通过等离子体发射光谱研究ECR等离子体内基团的谱线强度在不同工作气压、CH4浓度下的变化规律,结合扫描电子显微镜对单晶金刚石表面的微观形貌进行分析,进一步研究了工作气压和CH4浓度对碳纳米墙修饰结果的影响。结果表明:碳纳米墙的取向性受工作气压影响大,低气压(0.07 Pa)条件下生长的碳纳米墙垂直取向明显,金刚石表面也出现垂直刻蚀形貌;在高气压(5 Pa)条件下生长的碳纳米墙取向性较差。同时,碳纳米墙生长的临界CH4浓度也与工作气压有关:低气压条件下碳纳米墙生长的临界CH4浓度高,工作气压为0.07 Pa时,碳纳米墙生长的临界CH4浓度为3%;工作气压升至5 Pa时,碳纳米墙生长的临界CH4浓度降为1%,碳纳米墙密度随CH4浓度升高而增大。; 关键词 ecr微波等离子体单晶金刚石碳纳米墙修饰; Keywords ecr microwave plasma single crystal diamond carbon nanowalls modification; 分类号 O78 [理学—晶体学] TQ164 [化学工程—高温制品工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名沉积参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响被引量：3: 4; 作者朴勇梁宏军高鹏丁万昱陆文琪马腾才徐军; 机构大连理工大学三束材料改性国家重点实验室西安通信学院数理教研室; 出处《应用光学》 CAS CSCD 2006年第4期274-280,共7页; 基金国家自然科学基金(批准号:60576022 50572012和50390060)资助课题; 文摘利用微波电子回旋共振（MW-ECR）等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅（SiCN）薄膜。研究结果表明：硅靶溅射功率和氮气流量对薄膜化学结构、光学、力学等性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱（FT-IR）和X射线光电子能谱（XPS）表征显示,随着硅靶溅射功率由150W增加到 350 W,薄膜中C-Si-N键含量由14.3%增加到43.6%;氮气流量的增大（2～15 sccm）易于形成更多的sp2C=N键和sp1C≡N键.在改变硅靶溅射功率和氮气流量的条件下,薄膜光学带隙最大值分别达到2.1 eV和2.8 eV。; 关键词 SiCN薄膜微波ecr等离子体沉积参数光学带隙; Keywords silicon carbonitride film, microwave-ecr plasma, deposition paramaters, opticalband; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响被引量：3: 5; 作者朴勇徐军高鹏丁万昱陆文琪马腾才; 机构大连理工大学三束材料改性国家重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期526-529,共4页; 基金国家自然科学基金(No.60576022No.50390060)资助课题; 文摘利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜。研究结果表明,碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着碳靶溅射偏压由-450 V提高到-650 V,薄膜中碳含量由19.0%增加到27.1%,sp3C-N键含量增多,薄膜生长速率由3.83 nm/min提高到5.83 nm/min,硬度在-600 V时达到最大值25.36 GPa。上述结果表明,提高碳靶溅射偏压,可以提高薄膜含碳量,得到性能较好的SiCN薄膜。; 关键词 SICN 微波ecr等离子体化学结构力学性能; Keywords Silicon Carbonitride, Microwave-ecr Plasma, Chemical Structure, Mechanical properties; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] O484.2 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	微波ECR等离子体源离子注入法制备DLC薄膜	王金刚马国佳邓新绿李新唐祯安	《真空科学与技术》 CSCD 北大核心	2003	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	ECR-RF双功率源等离子体化学气相沉积制备类金刚石薄膜的研究	桑利军陈强	《包装工程》 CAS CSCD 北大核心	2008	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	ECR微波等离子体对单晶金刚石表面的碳纳米墙修饰	衡凡廖学红曹为付秋明许传波赵洪阳马志斌	《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	沉积参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响	朴勇梁宏军高鹏丁万昱陆文琪马腾才徐军	《应用光学》 CAS CSCD	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响	朴勇徐军高鹏丁万昱陆文琪马腾才	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料