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微波电子回旋共振等离子体的阻抗特性分析
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作者 胡海天 邬钦崇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期194-197,共4页
基于微波电子回旋共振(ECR)等离子体中的物理和化学性质变化会引起微波传输线阻抗的变化,采用微波三探针研究了ECR等离子体的微波阻抗随装置运行参数的变化情况,并通过一个简单的放电等效电路将阻抗的变化和等离子体性质的变化联系... 基于微波电子回旋共振(ECR)等离子体中的物理和化学性质变化会引起微波传输线阻抗的变化,采用微波三探针研究了ECR等离子体的微波阻抗随装置运行参数的变化情况,并通过一个简单的放电等效电路将阻抗的变化和等离子体性质的变化联系起来。实验结果表明,通过对ECR等离子体进行阻抗特性分析,可以在不对其产生干扰的情况下了解其性质的变化。阻抗特性分析为ECR等离子体的机理研究提供了一种新的诊断途径,有利于ECR等离子体工艺的推广和应用。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 微波阻抗 诊断
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传输法模拟滤波器型输出回路的间隙阻抗频率特性 被引量:3
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作者 曹静 丁耀根 +2 位作者 刘濮鲲 沈斌 高冬平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期399-403,共5页
利用传输法把滤波器型输出回路等效为双端口微波网络问题,通过理论分析,数值模拟和冷测实验证明了S21平方后的曲线能定性反映滤波器型输出回路的间隙阻抗频率特性。从而在仿真设计阶段,可将S21设为优化目标,利用三维电磁仿真软件的参数... 利用传输法把滤波器型输出回路等效为双端口微波网络问题,通过理论分析,数值模拟和冷测实验证明了S21平方后的曲线能定性反映滤波器型输出回路的间隙阻抗频率特性。从而在仿真设计阶段,可将S21设为优化目标,利用三维电磁仿真软件的参数优化功能实现精确设计滤波器结构,比相位法,场分析法更加快捷准确。传输法同样适用于矢量网络分析仪冷测滤波器的实验,可消除系统拆装及波导元件引起的误差,使测量更加方便准确。 展开更多
关键词 S参数间隙阻抗微波系统网络端口 滤波器型输出回路
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Ultrasonic power features of wire bonding and thermosonic flip chip bonding in microelectronics packaging 被引量:2
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作者 李军辉 韩雷 钟掘 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2008年第5期684-688,共5页
The driving voltage and current signals of piezoceramic transducer (PZT) were measured directly by designing circuits from ultrasonic generator and using a data acquisition software system. The input impedance and pow... The driving voltage and current signals of piezoceramic transducer (PZT) were measured directly by designing circuits from ultrasonic generator and using a data acquisition software system. The input impedance and power of PZT were investigated by using root mean square (RMS) calculation. The vibration driven by high frequency was tested by laser Doppler vibrometer (PSV-400-M2). And the thermosonic bonding features were observed by scanning electron microscope (JSM-6360LV). The results show that the input power of bonding is lower than that of no load. The input impedance of bonding is greater than that of no load. Nonlinear phase, plastic flow and expansion period, and strengthening bonding process are shown in the impedance and power curves. The ultrasonic power is in direct proportion to the vibration displacement driven by the power, and greater displacements driven by high power (>5 W) result in welding failure phenomena, such as crack, break, and peeling off in wedge bonding. For thermosonic flip chip bonding, the high power decreases position precision of bonding or results in slippage and rotation phenomena of bumps. To improve reliability and precision of thermosonic bonding, the low ultrasonic power (about 1-5 W) should be chosen. 展开更多
关键词 ultrasonic power wedge bonding thermosonic flip chip input impedance FAILURE
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