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L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
被引量：
4
1
作者
黄雒光
董四华
+1 位作者
刘英坤
郎秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期494-497,共4页
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi...
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
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关键词
硅
微波脉冲功率晶体管
加速老化
可靠性
寿命试验
Arrhenius模型
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职称材料
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
2
作者
邓建国
刘英坤
+5 位作者
张鸿亮
潘茹
马红梅
李明月
胡顺欣
崔现锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期477-479,共3页
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc...
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc=36 V时，宽带输出功率大于64 W，增益大于8.5 dB，效率大于36%，抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁，表现出了良好的微波性能和高的可靠性。
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关键词
硅
等平面自对准工艺
微波脉冲功率晶体管
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职称材料
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量：
3
3
作者
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
关键词
L波段
硅
微波脉冲功率晶体管
功率
增益
性能
功率
密度
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职称材料
题名
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
被引量：
4
1
作者
黄雒光
董四华
刘英坤
郎秀兰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期494-497,共4页
文摘
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
关键词
硅
微波脉冲功率晶体管
加速老化
可靠性
寿命试验
Arrhenius模型
Keywords
Si microwave pulse power transistor
accelerated fatigue
reliability
lifetime test
Arrhenius model
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
2
作者
邓建国
刘英坤
张鸿亮
潘茹
马红梅
李明月
胡顺欣
崔现锋
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期477-479,共3页
文摘
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc=36 V时，宽带输出功率大于64 W，增益大于8.5 dB，效率大于36%，抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁，表现出了良好的微波性能和高的可靠性。
关键词
硅
等平面自对准工艺
微波脉冲功率晶体管
Keywords
Si
equi-planar and self-aligned technology
microwave pulsed power transistor
分类号
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量：
3
3
作者
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
关键词
L波段
硅
微波脉冲功率晶体管
功率
增益
性能
功率
密度
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
黄雒光
董四华
刘英坤
郎秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
邓建国
刘英坤
张鸿亮
潘茹
马红梅
李明月
胡顺欣
崔现锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
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职称材料
已选择
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