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WC-8.0%Co基底上微波等离子化学气相沉积金刚石膜 被引量:3
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作者 刘泉 周健 +1 位作者 余卫华 刘桂珍 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期116-119,共4页
研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子化学气相沉积金刚石涂层WC 8.0 %Co刀具质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,激光Raman光谱分析了金刚石涂层质量 ,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况。... 研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子化学气相沉积金刚石涂层WC 8.0 %Co刀具质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,激光Raman光谱分析了金刚石涂层质量 ,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况。结果表明 ,在 1∶3的稀盐酸中酸洗 15min后用氨水浸泡 10min的基片处理方法能有效地抑制金属钴的溢出 ,从而提高金刚石涂层的质量 ,并且使刀具使用寿命提高 10倍以上。 展开更多
关键词 WC-CO刀具 金刚石膜 微波等离子化学气相沉积
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微波等离子体化学气相沉积制备金刚石厚膜的研究及应用进展
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作者 刘富成 马莞杰 +3 位作者 黄江涛 张宗雁 韩培刚 何斌 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2025年第3期285-299,F0003,共16页
近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气... 近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气相沉积等。MPCVD技术因其生长的金刚石品质高,被认为是制备大面积、高质量金刚石厚膜的最佳方法。首先介绍MPCVD的基本原理和设备,比较几种主要MPCVD技术的优缺点,并对国内外的研究进展进行总结,包括金刚石生长工艺的研究,特别是国内外单晶/多晶金刚石厚膜的制备研究,然后总结近年来金刚石厚膜在电子、光学、热沉等高新技术领域的应用,最后对金刚石厚膜的发展前景进行展望。 展开更多
关键词 金刚石厚膜 微波等离子化学沉积(MPCVD) CVD设备
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子化学沉积 低温 镍基板
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微波等离子体辅助化学气相沉积法低温合成定向碳纳米管阵列 被引量:19
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作者 陈新 胡征 +4 位作者 王喜章 吴强 陈懿 杨绍光 都有为 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期731-733,共3页
Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter o... Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter or length of the nanotubes could be realized. The hollow structure and vertically aligned features have been verified by scanning electron and transmission electron microscopic images. In comparison with the reported fabrication methods, lower synthesis temperature (below 520 ℃) and simpler process (no negative dc bias applied) have been achieved, which could be of great importance for both theoretical research and pratical applications. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 微波等离子 化学沉积 低温合成 孔性氧化铝模板
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微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜 被引量:4
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作者 江锦春 程文娟 +2 位作者 张阳 朱鹤孙 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期930-934,939,共6页
利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ... 利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ,结晶质量较好。X射线能谱证明了碳氮是以C─N和CN共价键的形式存在 ,氮碳元素的原子比均为 1 .3。X射线衍射确定出在衬底温度为 90 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .4 0 0 2nm) ,而在 95 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .3 984nm)。喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α C3N4,β 展开更多
关键词 立方 晶体薄膜 衬底温度 微波等离子化学沉积 原子 喇曼光谱 β-C3N4 结晶质量 X射线能谱
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微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列(英文) 被引量:2
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作者 程文娟 张阳 +1 位作者 江锦春 朱鹤孙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X... 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X射线衍射 (XRD)对样品的键合状态及结构进行表征 ,结果表明 ,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物。 展开更多
关键词 微波等离子化学沉积 制备 SiCN结晶膜 SiCN微米棒 CH4 H2 N2 氰化硅 甲烷
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增材制造陶瓷表面化学气相沉积SiC涂层的工艺与性能
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作者 杨辰倩 杨文轩 +7 位作者 孙策 章嵩 陈鹏 刘凯 涂溶 杨梅君 王春锦 史玉升 《中国表面工程》 北大核心 2025年第3期88-98,共11页
增材制造技术可实现陶瓷材料复杂构件的整体成形,但构件表面存在“增材痕迹”、多相分布、气孔等缺陷,后续表面精密加工困难,难以满足空间光学探测、半导体制造装备等对高性能碳化硅陶瓷构件的迫切需求。为此,提出化学气相沉积高纯高致... 增材制造技术可实现陶瓷材料复杂构件的整体成形,但构件表面存在“增材痕迹”、多相分布、气孔等缺陷,后续表面精密加工困难,难以满足空间光学探测、半导体制造装备等对高性能碳化硅陶瓷构件的迫切需求。为此,提出化学气相沉积高纯高致密碳化硅涂层修复增材制造陶瓷表面缺陷的新思路。系统研究沉积温度对增材制造碳化硅陶瓷表面涂层硬度、沉积效率、界面结合、微观形貌、可加工性的影响规律。结果表明,随着沉积温度的升高,涂层沉积速率加快,晶粒尺寸和表面硬度增大。但过高的沉积温度会导致涂层内部出现孔隙,致密度降低。沉积涂层与增材基底界面结合良好,当沉积温度1400℃时,界面处生成枝状晶,结合力较大,表面加工性较优。研究采用化学气相沉积涂层方法可有效改善增材制造碳化硅陶瓷的表面质量,为高端装备用高性能碳化硅复杂构件的工程应用奠定了基础。 展开更多
关键词 增材制造 碳化硅陶瓷 化学沉积 微观组织 结合力
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微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜研究 被引量:3
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作者 王建军 吕反修 +3 位作者 于文秀 佟玉梅 邬钦崇 王守国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期137-142,共6页
本文系统研究了石英钟罩式微波等离子体辅助化学气相沉积装置对沉积金刚石薄膜的影响。与石英管式微波等离子体沉积装置相比,该装置能使用较高的沉积气压、较大的气体流量和较高的微波功率。本文着重研究了沉积气压、气体流量和甲烷浓... 本文系统研究了石英钟罩式微波等离子体辅助化学气相沉积装置对沉积金刚石薄膜的影响。与石英管式微波等离子体沉积装置相比,该装置能使用较高的沉积气压、较大的气体流量和较高的微波功率。本文着重研究了沉积气压、气体流量和甲烷浓度对金刚石薄膜形貌和生长速度的影响。发现生长速度随着沉积气压和甲烷浓度的增大而增大,晶体形态随着甲烷浓度的增大而变差。并使用该装置成功地在400℃低温沉积了60mm的金刚石薄膜。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 微波等离子 化学沉积
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化学气相沉积法制备氮化硼纳米管研究进展
9
作者 黄潇阳 李亚格 +3 位作者 屈超 彭金琦 张少伟 张海军 《陶瓷学报》 北大核心 2025年第1期30-42,共13页
氮化硼纳米管(BNNTs)具有与碳纳米管(CNTs)相似的管状纳米结构,因其优异的热稳定性、良好的生物相容性、优异的电绝缘性、高的热导率以及疏水疏渣等性能,在化工、冶金及生物医学等领域具有广泛的应用前景。BNNTs的合成方法众多,其中,化... 氮化硼纳米管(BNNTs)具有与碳纳米管(CNTs)相似的管状纳米结构,因其优异的热稳定性、良好的生物相容性、优异的电绝缘性、高的热导率以及疏水疏渣等性能,在化工、冶金及生物医学等领域具有广泛的应用前景。BNNTs的合成方法众多,其中,化学气相沉积(CVD)法具有设备简单、反应温度低和产物纯度高等特点,而成为合成BNNTs的最佳方法之一。综述了不同CVD技术、前驱体种类、实验装置、气体流量及衬底位置等工艺因素对制备BNNTs的影响。同时,也对该领域未来的研究发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 氮化硼 纳米管 化学沉积
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沉积时间对化学气相沉积石墨烯薄膜摩擦学性能的影响
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作者 高雪 史训旺 +5 位作者 赵艺蔓 李彬 贾洋磊 董璞 岳遂录 任二洲 《润滑与密封》 北大核心 2025年第10期88-97,共10页
为提高石墨烯薄膜与基底的结合强度,通过铜催化辅助化学气相沉积法(CVD)在不同的沉积时间下直接在硅基材表面制备4种石墨烯薄膜,通过往复式摩擦磨损试验机探究沉积时间对石墨烯薄膜摩擦学行为的影响。结果表明:制备的石墨烯薄膜均能一... 为提高石墨烯薄膜与基底的结合强度,通过铜催化辅助化学气相沉积法(CVD)在不同的沉积时间下直接在硅基材表面制备4种石墨烯薄膜,通过往复式摩擦磨损试验机探究沉积时间对石墨烯薄膜摩擦学行为的影响。结果表明:制备的石墨烯薄膜均能一定程度提升摩擦学性能;随着沉积时间的延长,石墨烯薄膜的缺陷呈现下降趋势,石墨烯薄膜与基底的结合力呈现先上升后下降的趋势;纯硅片的磨损率为9.74×10^(-5)mm^(3)/(N·m),沉积15 min的石墨烯薄膜的结合力最高(为12.81 N),磨损率最低(约为4.31×10^(-6)mm^(3)/(N·m)),相较纯硅片磨损率下降95.57%;沉积35 min的石墨烯薄膜缺陷最少,缺陷较少的石墨烯薄膜更有利于形成更有序的摩擦界面,以及缺陷更少的石墨烯转移膜,从而有利于维持低且平稳的摩擦因数。 展开更多
关键词 石墨烯 摩擦学性能 化学沉积 结构缺陷 结合强度
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不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究
11
作者 李雄杰 宁平凡 +4 位作者 陈世澳 乔思博 程红娟 王英民 牛萍娟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期255-262,共8页
采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-... 采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的温度窗口分别为420~480、480~550、590~600、540~600℃;对应纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙分别为5.12、5.23、5.25、5.21 eV。研究发现与C面蓝宝石衬底相比,在M、A、R面蓝宝石衬底上外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜需要更高的生长温度,同时在M、A、R面蓝宝石衬底上获得的薄膜禁带宽度更大。样品表面形貌的SEM表征结果显示,不同晶面的α-Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌差异显著,C面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)薄膜存在“连续薄膜+大尺寸柱状岛”结构。本文关于不同晶面蓝宝石衬底外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜的研究对α-Ga_(2)O_(3)材料的应用有一定参考价值。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) 蓝宝石衬底 化学沉积 异质外延 生长温度 禁带宽度
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串联谐振式DBD型化学气相沉积供电电源研究
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作者 许天赐 周洁敏 +3 位作者 洪峰 刘悦 罗祥瑞 代海杰 《电光与控制》 北大核心 2025年第10期110-114,共5页
介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-CVD)技术作为一种新兴的材料制备方法,近年来在航空材料制备领域引起了广泛的关注。为了给DBD-CVD技术提供结构简单的高性能供电电源,详细分析了DBD负载在串联谐振拓扑下输出功率的频率响应曲线。分析了... 介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-CVD)技术作为一种新兴的材料制备方法,近年来在航空材料制备领域引起了广泛的关注。为了给DBD-CVD技术提供结构简单的高性能供电电源,详细分析了DBD负载在串联谐振拓扑下输出功率的频率响应曲线。分析了电路调节特性,采用PFM控制方法实现了恒功率闭环,通过改变功率闭环目标值,实现薄膜沉积速度的线性调节,以此来实现对薄膜沉积反应物流量的精确控制。 展开更多
关键词 串联谐振 介质阻挡放电 恒功率闭环 化学沉积
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微波等离子体化学气相沉积β-C_3N_4超硬膜的研究 被引量:1
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作者 张永平 顾有松 +5 位作者 常香荣 田中卓 时东霞 马立平 张秀芳 袁磊 《河北科技大学学报》 CAS 1999年第4期1-4,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌... 采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。X射线能谱(EDX)分析了这种晶态C-N膜的化学成分。对不同样品不同区域的分析结果表明,N/C比接近于4/3。X射线衍射结构分析说明该膜主要由β-C3N4 和α-C3N4 组成。利用Nano indenter Ⅱ测得C3N4 膜的体弹性模量B达到349 GPa,接近c-BN(367 GPa)的体弹性模量,证明C3N4 化合物是超硬材料家族中的一员。 展开更多
关键词 微波 等离子 化学沉积 薄膜 沉积
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c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
14
作者 王子铭 张雅超 +6 位作者 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期420-425,共6页
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_... 本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_(3)物相构成,在生长温度从360℃变化至425℃均能观察到β-Ga_(2)O_(3)(402)峰,而在370~410℃还能观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰。其中,380和390℃时的样品具有更强的ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰和更低的半峰全宽,以及更低的表面粗糙度。两步生长法为以380℃生长的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜作为缓冲层,而后在400~430℃继续生长ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰强度均高于单步生长法且半峰全宽均更低,在430℃时薄膜的(004)峰摇摆曲线半峰全宽达到0.49°。进一步改变单步生长法的压强,明确缓冲层有效促进ε-Ga_(2)O_(3)沿c轴生长。 展开更多
关键词 ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜
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微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的进展 被引量:4
15
作者 郑怀礼 《表面技术》 EI CAS CSCD 1997年第3期4-5,35,共3页
评述了用微波等离子体化学气相沉积法制备高质量人造金刚石薄膜的最新动态和发展趋势。介绍的内容包括:制备仪器、应用领域、沉积条件等。
关键词 化学沉积 微波等离子 金刚石薄膜 镀膜
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化学气相沉积法制备硅碳负极的研究进展 被引量:1
16
作者 邓拓 周海平 +3 位作者 刘煜 刘畅 李梓恺 吴孟强 《储能科学与技术》 北大核心 2025年第9期3354-3372,共19页
硅因具有高的理论比容量、高的元素丰度以及环境友好等特点而成为当前锂离子电池最有潜力的负极之中备受关注的材料,但由于其低导电性、体积膨胀、电极粉化等问题限制了其大规模应用。为解决以上问题,一方面可以通过尺寸效应将硅颗粒纳... 硅因具有高的理论比容量、高的元素丰度以及环境友好等特点而成为当前锂离子电池最有潜力的负极之中备受关注的材料,但由于其低导电性、体积膨胀、电极粉化等问题限制了其大规模应用。为解决以上问题,一方面可以通过尺寸效应将硅颗粒纳米化,当粒径小于150 nm时,可显著抑制材料在充放电过程中的粉化现象,同时缓解其体积膨胀效应;另一方面,通过高强度材料的限域作用,束缚硅的体积膨胀并提高导电性。化学气相沉积(CVD)法制备的硅碳复合材料综合了两者优点,通过多孔碳基体的丰富微孔结构实现硅颗粒的原位限域生长,同时得益于碳材料优异的导电性能和机械强度,使得CVD硅碳复合材料作为负极展现出卓越的比容量和循环稳定性。这种独特的结构设计和性能优势使其成为新一代硅碳负极材料领域备受关注的前沿制备技术。然而,当前针对CVD硅碳负极的系统性研究仍显不足,其研究体系尚未形成完整框架,特别是在沉积动力学机制(如碳基体结构对沉积动力学的调控作用、硅沉积的微观结构演变规律)与工程化应用之间的构效关系方面,相关关键机理尚未完全阐明。基于上述研究背景,本文系统梳理了CVD硅碳负极技术的研究体系,建立多维分析框架:(1)碳基体结构与硅源特性对沉积动力学的协同调控机制;(2)高能量密度电极的界面工程策略与结构优化方法;(3)规模化制备工艺的关键技术瓶颈。通过整合现有研究成果,构建了从基础研究到工程应用的知识体系,揭示现阶段产业化进程中的核心矛盾,并提出工艺优化路径,为新一代CVD硅碳负极的理性设计与可控制造提供科学指导。 展开更多
关键词 硅碳负极 化学沉积 离子电池 多孔碳
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行波管夹持杆微波等离子体化学气相沉积金刚石厚膜改善散热性能研究 被引量:2
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作者 谢扩军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期85-87,77,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积法在行波管Al2 O3 夹持杆上沉积金刚石厚膜 ,取代传统有毒的氧化铍陶瓷杆 ,用于宽带大功率行波管改善其散热性能 .经材料性能测试 ,慢波组件装配及性能测试 ,获得了较好的实验结果 :导热率大于 12W/cm .℃ ... 采用微波等离子体化学气相沉积法在行波管Al2 O3 夹持杆上沉积金刚石厚膜 ,取代传统有毒的氧化铍陶瓷杆 ,用于宽带大功率行波管改善其散热性能 .经材料性能测试 ,慢波组件装配及性能测试 ,获得了较好的实验结果 :导热率大于 12W/cm .℃ ,介电常数为 5 0~ 5 5 ,介质损耗为 1× 10 -3 ,体积电阻率大于 10 13 Ω/cm ;慢波组件导热性能与同结构的BeO组件相比提高 3 0倍 .整管冷测参数全部合格 ;整管热测在C波段测得Po =95W ,G =35db . 展开更多
关键词 微波等离子 化学沉积 金刚石 行波管
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低压化学气相沉积的B掺杂ZnO薄膜的光电性能
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作者 许亚军 马浩然 +1 位作者 吴珺 沈鸿烈 《功能材料》 北大核心 2025年第7期7217-7222,共6页
研究了LPCVD沉积硼掺杂氧化锌薄膜的生长条件和退火条件对于薄膜性能的影响。分别研究了在FGA、N_(2)和空气退火下对薄膜迁移率和体载流浓度的影响。研究证明了ALD沉积的Al_(2)O_(3)/ZnO:B叠层的钝化特性与Al_(2)O_(3)厚度、界面氧化物... 研究了LPCVD沉积硼掺杂氧化锌薄膜的生长条件和退火条件对于薄膜性能的影响。分别研究了在FGA、N_(2)和空气退火下对薄膜迁移率和体载流浓度的影响。研究证明了ALD沉积的Al_(2)O_(3)/ZnO:B叠层的钝化特性与Al_(2)O_(3)厚度、界面氧化物状态和退火条件密切相关。在最佳退火条件下,当Al_(2)O_(3)厚度仅为2 nm左右时,叠层的iVoc值可达到687 mV。通过测量不同测试结构的接触电阻率,发现ZnO:B与ITO/Ag的接触电阻率最低可至2.9 mΩ·cm^(2)。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 低压化学沉积 钝化接触 接触电阻率
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化学气相沉积铝化物涂层组织结构及形成机制
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作者 孟国辉 齐浩雄 +6 位作者 杜撰 刘梅军 杨冠军 吴勇 孙清云 夏思瑶 董雪 《中国材料进展》 北大核心 2025年第3期275-281,共7页
提高铝化物涂层抗高温氧化和耐热腐蚀性能的关键在于明确铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。采用化学气相沉积法在镍基高温合金Mar-M-247表面制备了铝化物涂层。结合材料热力学模拟软件JMatPro和扫描电子显微镜表征并分析了铝化物涂... 提高铝化物涂层抗高温氧化和耐热腐蚀性能的关键在于明确铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。采用化学气相沉积法在镍基高温合金Mar-M-247表面制备了铝化物涂层。结合材料热力学模拟软件JMatPro和扫描电子显微镜表征并分析了铝化物涂层的微观组织结构及形成机制。结果表明,Mar-M-247高温合金表面生成的铝化物涂层具有双层结构,外层由单一的β-NiAl相组成,内层主要由β-NiAl相、σ相和μ相组成。铝化物涂层的外层β-NiAl相是Mar-M-247高温合金大量Ni元素外扩散至合金表面,与环境中的Al元素反应生成的。从而使得高温合金中的γ-Ni相和γ′-Ni_(3)Al相含量减少。当Ni元素的体积分数分别降低至55%,52%和38%时,高温合金中顺序析出μ相、β-NiAl相和σ相。最终,当高温合金中Ni元素的体积分数降低至32%时,高温合金完全转变为由β-NiAl相、σ相、μ相和少量碳化物相MC组成的铝化物内层。 展开更多
关键词 镍基高温合金 化学沉积 铝化物涂层 微观组织结构 热力学
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微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石管及其表征
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作者 高旭辉 魏俊俊 吕反修 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期383-383,共1页
关键词 微波等离子化学沉积 金刚石 制备 表征 钨丝 焦点
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