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线形同轴耦合式微波等离子体CVD法硬质合金微型钻头金刚石涂层沉积 被引量:2
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作者 黑立富 唐伟忠 +2 位作者 樊凤玲 耿春雷 吕反修 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期794-798,共5页
本文介绍了利用线形同轴耦合式微波等离子体CVD法在硬质合金微型钻头(微钻)上沉积金刚石涂层的初步实验结果。微型钻头的直径为0.5mm,其中WC晶粒的尺寸约为0.5μm。在沉积前,先用Murakam i溶液(10gKOH+10gK3[Fe(CN)6]+100m l H2O)对微... 本文介绍了利用线形同轴耦合式微波等离子体CVD法在硬质合金微型钻头(微钻)上沉积金刚石涂层的初步实验结果。微型钻头的直径为0.5mm,其中WC晶粒的尺寸约为0.5μm。在沉积前,先用Murakam i溶液(10gKOH+10gK3[Fe(CN)6]+100m l H2O)对微钻刻蚀10m in,使其表面粗化,然后用硫酸-双氧水溶液(10m l98wt%H2SO4+100m l 38%m/vH2O2)对其浸蚀60 s,以去除其表面的Co。在金刚石涂层过程中发现,由于微钻尖端在微波电磁场中产生较集中的辉光放电现象,因而在微钻尖端很难获得金刚石涂层。针对这种金刚石涂层过程中的“尖端效应”,尝试使用了金属丝屏蔽的方法以改变微钻周围的微波电磁场分布,克服了上述金刚石涂层过程中的“尖端效应”,首次成功地采用微波等离子体CVD法在微钻上沉积了厚度为1.5μm的金刚石涂层。 展开更多
关键词 金刚石涂层 微钻 线形微波等离子体cvd设备
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种晶类型对微波等离子体CVD法合成单晶体金刚石生长质量的影响 被引量:4
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作者 吴改 陈美华 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期88-96,共9页
采用辽宁瓦房店及山东蒙阴产天然金刚石、俄罗斯高温高压(HPHT)金刚石以及美国Element Six公司CVD金刚石作为种晶,进行红外光谱、激光拉曼光谱、光致发光光谱、XRD摇摆曲线以及原子力显微形貌测试,并选取三类样品各一颗,在相同条件下进... 采用辽宁瓦房店及山东蒙阴产天然金刚石、俄罗斯高温高压(HPHT)金刚石以及美国Element Six公司CVD金刚石作为种晶,进行红外光谱、激光拉曼光谱、光致发光光谱、XRD摇摆曲线以及原子力显微形貌测试,并选取三类样品各一颗,在相同条件下进行生长实验。测试结果表明,天然金刚石种晶均为Ia AB型,定向性好,其内应力及结晶质量差异较大;而HPHT以及CVD金刚石种晶分别为Ib型和IIa型,其生长面与(100)晶向均存在1~2.5度偏差,但晶体结构较天然金刚石好,且内应力及结晶质量差异较小,更加适合作为MPCVD法合成金刚石单晶的种晶。对生长后样品进行了高分辨率激光拉曼光谱测试,并使用光学显微镜及原子力显微镜对样品表面形貌进行了观察。结果表明,在碳氢氮生长体系中,辽宁瓦房店或山东蒙阴产Ia AB型天然金刚石种晶由于晶格匹配性较差,容易沉积多晶金刚石,且伴随有微晶石墨和非晶质碳成分;而使用俄罗斯产Ib型HPHT种晶以及美国Element Six产IIa型CVD种晶均能得到优质的CVD金刚石生长层;与HPHT种晶相比,使用CVD种晶得到金刚石生长层的拉曼位移半高宽更窄,非金刚石碳杂质含量更低,结晶质量更好。 展开更多
关键词 种晶 金刚石单晶 微波等离子体cvd 生长质量
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微波等离子体CVD法在非平面基体上生长金刚石膜
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作者 满卫东 孙蕾 +1 位作者 汪建华 谢鹏 《工具技术》 北大核心 2008年第2期12-14,共3页
介绍了在微波等离子体CVD装置中,用甲烷和氢气作为原料,在非平面基体(如钨丝、钻头、铣刀等)上生长金刚石薄膜的研究。在金刚石沉积过程中,由于"尖端效应",在基体的尖端很难沉积出金刚石膜。在采用金属丝屏蔽后,克服了"... 介绍了在微波等离子体CVD装置中,用甲烷和氢气作为原料,在非平面基体(如钨丝、钻头、铣刀等)上生长金刚石薄膜的研究。在金刚石沉积过程中,由于"尖端效应",在基体的尖端很难沉积出金刚石膜。在采用金属丝屏蔽后,克服了"尖端效应",成功地在非平面基体上沉积出了金刚石膜。用扫描电镜(SEM)和激光拉曼光谱(Raman)分析了金刚石膜的形貌和质量。结果表明:非平面基体不同位置金刚石的晶形不同,晶粒比较细小,膜的质量较高。 展开更多
关键词 非平面基体 金刚石薄膜 微波等离子体cvd
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CVD金刚石涂层附着性能研究
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作者 杨仕娥 边超 +4 位作者 马丙现 李会军 王小平 姚宁 张兵临 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 2003年第1期36-39,51,共5页
采用微波等离子体 CVD(MPCVD)法在 YG6 硬质合金基体表面沉积金刚石涂层 ,在金刚石的形核和生长阶段分别采用不同的沉积条件 ,研究了分步沉积工艺对金刚石涂层形核、质量及其附着性能的影响 .结果表明 :采用分步优化的沉积工艺 ,可明显... 采用微波等离子体 CVD(MPCVD)法在 YG6 硬质合金基体表面沉积金刚石涂层 ,在金刚石的形核和生长阶段分别采用不同的沉积条件 ,研究了分步沉积工艺对金刚石涂层形核、质量及其附着性能的影响 .结果表明 :采用分步优化的沉积工艺 ,可明显改善金刚石涂层与刀具基体之间的附着性能 ,这主要是由于基体表面形核密度的提高 ,增大了涂层与基体之间的实际接触面积 . 展开更多
关键词 金刚石涂层 形核密度 附着性能 微波等离子体cvd 沉积工艺 切削工具 附着力
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红外光学材料硫化锌衬底上沉积金刚石膜的研究 被引量:3
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作者 高旭辉 吕反修 +3 位作者 魏俊俊 李成明 陈广超 余怀之 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1398-1400,共3页
采用微波等离子体化学气相沉积法,在预镀陶瓷过渡层的硫化锌衬底上沉积金刚石膜。在以前的实验中,我们发现在陶瓷过渡层上沉积金刚石膜极其困难,但采用金刚石诱导形核方法后,我们已经在过渡层/硫化锌试样表面获得了很小面积(约1mm宽的... 采用微波等离子体化学气相沉积法,在预镀陶瓷过渡层的硫化锌衬底上沉积金刚石膜。在以前的实验中,我们发现在陶瓷过渡层上沉积金刚石膜极其困难,但采用金刚石诱导形核方法后,我们已经在过渡层/硫化锌试样表面获得了很小面积(约1mm宽的环状区域)的金刚石形核。本文对前期的诱导形核工作进行了一定改进,目前已经使形核生长范围大大增加,沉积面积超过原来10倍。此外,本文对金刚石/过渡层/硫化锌试样的红外透过特性以及金刚石膜质量等进行了评价。 展开更多
关键词 硫化锌(ZnS) 金刚石膜 陶瓷过渡层 诱导形核 微波等离子体cvd
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石英玻璃管外表面抗腐蚀纳米金刚石薄膜的制备
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作者 张磊 马志斌 吴利峰 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2009年第1期23-26,共4页
在具有新型谐振腔的微波等离子体CVD装置上,利用乙醇和氢气为工作气体在石英玻璃管外表面沉积了均匀、致密的纳米金刚石薄膜。采用扫描电子显微镜、Raman光谱及X射线衍射表征了金刚石薄膜的质量;设计腐蚀实验检验了金刚石薄膜的抗腐蚀... 在具有新型谐振腔的微波等离子体CVD装置上,利用乙醇和氢气为工作气体在石英玻璃管外表面沉积了均匀、致密的纳米金刚石薄膜。采用扫描电子显微镜、Raman光谱及X射线衍射表征了金刚石薄膜的质量;设计腐蚀实验检验了金刚石薄膜的抗腐蚀效果。结果表明:在反应气压为5.5 kPa、碳源浓度为8vol%、石英玻璃管温度为500℃的条件下,得到的纳米金刚石薄膜能有效增强石英玻璃管的抗腐蚀性能。 展开更多
关键词 石英玻璃管 微波等离子体cvd 金刚石膜 抗腐蚀
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多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制
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作者 贺德衍 罗靖 程文娟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z2期643-645,共3页
本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑... 本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑制带电粒子对薄膜生长表面的轰击是控制生长表面反应、制备高质量poly-Si薄膜的有效方法.用这种方法制备了H含量低达~1.0at.%、拉曼特征峰半高宽仅为~4.4 cm-1的poly-Si薄膜. 展开更多
关键词 poly-Si薄膜 生长表面反应 微波等离子体cvd
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