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微波等离子体化学气相沉积法制备石墨烯的研究进展 被引量:3
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作者 涂昕 满卫东 +1 位作者 游志恒 阳朔 《真空与低温》 2014年第2期63-70,76,共9页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点,是大面积、高速率、高质量石墨烯制备的首选。首先通过比较制备石墨烯的几种主要CVD方法得出MPCVD法的优势,然后阐述了MPCVD法制备石墨烯的研究,最... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点,是大面积、高速率、高质量石墨烯制备的首选。首先通过比较制备石墨烯的几种主要CVD方法得出MPCVD法的优势,然后阐述了MPCVD法制备石墨烯的研究,最后介绍了MPCVD法制备的石墨烯的应用并对MPCVD法制备石墨烯的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 石墨烯 研究 应用
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微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石管及其表征
2
作者 高旭辉 魏俊俊 吕反修 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期383-383,共1页
关键词 微波等离子体化学气相沉积 金刚石 制备 表征 钨丝 焦点
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微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展 被引量:6
3
作者 牟草源 李根壮 +4 位作者 谢文良 王启亮 吕宪义 李柳暗 邹广田 《电子与封装》 2023年第1期30-39,共10页
金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPC... 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学气相沉积 三维生长 拼接生长 异质外延
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新型微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置 被引量:9
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作者 吕庆敖 邬钦崇 +4 位作者 隋毅峰 匡靖安 周永成 俞世吉 王守国 《真空与低温》 1998年第1期35-37,共3页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积,在国内首次研制成功了5kW带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式MPCVD装置。初步用该装置成功在硅基... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石薄膜的一种重要方法。为了获得金刚石薄膜的高速率大面积沉积,在国内首次研制成功了5kW带有石英真空窗的天线耦合水冷却不锈钢反应室式MPCVD装置。初步用该装置成功在硅基片上沉积得到了金刚石薄膜。 展开更多
关键词 微波等离子体 化学沉积 金刚石 薄膜
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微波等离子体化学气相沉积β-C_3N_4超硬膜的研究 被引量:1
5
作者 张永平 顾有松 +5 位作者 常香荣 田中卓 时东霞 马立平 张秀芳 袁磊 《河北科技大学学报》 CAS 1999年第4期1-4,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌... 采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),用高纯氮气(99.999% )和甲烷(99.9% )作反应气体,在多晶铂(Pt)基片上沉积C3N4 薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。X射线能谱(EDX)分析了这种晶态C-N膜的化学成分。对不同样品不同区域的分析结果表明,N/C比接近于4/3。X射线衍射结构分析说明该膜主要由β-C3N4 和α-C3N4 组成。利用Nano indenter Ⅱ测得C3N4 膜的体弹性模量B达到349 GPa,接近c-BN(367 GPa)的体弹性模量,证明C3N4 化合物是超硬材料家族中的一员。 展开更多
关键词 微波 等离子体 化学沉积 薄膜 沉积
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微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置的研究进展 被引量:9
6
作者 黄建良 汪建华 满卫东 《真空与低温》 2008年第1期1-5,共5页
综述了各种微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石膜装置的结构及工作原理,并对它们各自的优缺点做了比较分析;基于MPCVD金刚石膜装置的发展现状,构想设计了一种新型高效的大功率大面积快速沉积CVD金刚石膜装置,并对其可行性做了初步... 综述了各种微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石膜装置的结构及工作原理,并对它们各自的优缺点做了比较分析;基于MPCVD金刚石膜装置的发展现状,构想设计了一种新型高效的大功率大面积快速沉积CVD金刚石膜装置,并对其可行性做了初步分析研究。 展开更多
关键词 金刚石膜 微波 化学沉积 装置
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高定向纳米金刚石膜的高功率微波等离子体化学气相沉积研究
7
作者 唐春玖 侯海虹 +1 位作者 李明法 李文浩 《常熟理工学院学报》 2017年第2期11-15,共5页
采用高功率微波等离子体化学气相沉积法制备了高定向的纳米金刚石膜,研究了制备过程中促进<100>高定向纳米金刚石膜的生长条件与生长规律间的关联,并采用扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪对在不同实验条件下选择相... 采用高功率微波等离子体化学气相沉积法制备了高定向的纳米金刚石膜,研究了制备过程中促进<100>高定向纳米金刚石膜的生长条件与生长规律间的关联,并采用扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪对在不同实验条件下选择相同的氮气和氧气添加比例所制备的样品形貌、光学性质和晶向织构进行表征分析.研究结果表明,<100>高定向纳米金刚石膜的形成是各种生长条件的综合效应,相同的氮气和氧气添加并非是其形成的必然条件. 展开更多
关键词 纳米金刚石 高定向 和氧添加 微波等离子体化学气相沉积
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微波等离子体化学气相沉积装置的工作原理 被引量:8
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作者 吕庆敖 邬钦崇 《真空与低温》 1997年第2期74-76,共3页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石膜的一种重要方法。用简单实验方法给出了MPCVD装置中微波模式转换、微波与等离子体耦合等工作原理。矩形波导中的TE10模式经微波模式转换器转变为同轴线中的TEM模式,... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)是制备金刚石膜的一种重要方法。用简单实验方法给出了MPCVD装置中微波模式转换、微波与等离子体耦合等工作原理。矩形波导中的TE10模式经微波模式转换器转变为同轴线中的TEM模式,再由TEM模式转变为圆波导的TM01模式。TM01模式激发低压气体形成等离子体,等离子体严重影响微波模式分布。在国内首次成功运行了5kW天线耦合石英窗式MPCVD装置。 展开更多
关键词 化学沉积 装置 金刚石 薄膜 MPCVD
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行波管夹持杆微波等离子体化学气相沉积金刚石厚膜改善散热性能研究 被引量:2
9
作者 谢扩军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期85-87,77,共4页
采用微波等离子体化学气相沉积法在行波管Al2 O3 夹持杆上沉积金刚石厚膜 ,取代传统有毒的氧化铍陶瓷杆 ,用于宽带大功率行波管改善其散热性能 .经材料性能测试 ,慢波组件装配及性能测试 ,获得了较好的实验结果 :导热率大于 12W/cm .℃ ... 采用微波等离子体化学气相沉积法在行波管Al2 O3 夹持杆上沉积金刚石厚膜 ,取代传统有毒的氧化铍陶瓷杆 ,用于宽带大功率行波管改善其散热性能 .经材料性能测试 ,慢波组件装配及性能测试 ,获得了较好的实验结果 :导热率大于 12W/cm .℃ ,介电常数为 5 0~ 5 5 ,介质损耗为 1× 10 -3 ,体积电阻率大于 10 13 Ω/cm ;慢波组件导热性能与同结构的BeO组件相比提高 3 0倍 .整管冷测参数全部合格 ;整管热测在C波段测得Po =95W ,G =35db . 展开更多
关键词 微波等离子体 化学沉积 金刚石 行波管
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微波等离子体化学气相沉积——一种制备金刚石膜的理想方法 被引量:33
10
作者 满卫东 汪建华 +1 位作者 马志斌 王传新 《真空与低温》 2003年第1期50-56,共7页
综述了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备金刚石膜技术,表明MPCVD是高速、大面积、高质量制备金刚石膜的首选方法。介绍了几种常用的MPCVD装置类型,从MPCVD装置的结构特点可以看到,用该类型装置在生长CVD金刚石膜时显示出独特的优... 综述了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备金刚石膜技术,表明MPCVD是高速、大面积、高质量制备金刚石膜的首选方法。介绍了几种常用的MPCVD装置类型,从MPCVD装置的结构特点可以看到,用该类型装置在生长CVD金刚石膜时显示出独特的优越性和灵活性。用MPCVD法制备出的金刚石膜其性能接近甚至超过天然金刚石,并在多个领域得到广泛应用。 展开更多
关键词 金刚石膜 化学沉积 微波
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微波等离子体化学气相沉积合成TiN超细颗粒 被引量:3
11
作者 古宏晨 胡黎明 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1994年第2期141-144,共4页
热力学计算表明,H_2、N_2的过量有助于提高TiN的产率,但能耗也相应增加。为此考察了温度、流量、TiCl_4携带量、混合方式对产物性能的影响。结果表明,流量增加、温度升高、TiCl_4携带量增加、混合愈好,则产物... 热力学计算表明,H_2、N_2的过量有助于提高TiN的产率,但能耗也相应增加。为此考察了温度、流量、TiCl_4携带量、混合方式对产物性能的影响。结果表明,流量增加、温度升高、TiCl_4携带量增加、混合愈好,则产物粒径愈小。在此基础上采用微波等离子体化学气相沉积法,合成了粒径为123~284nm的TiN超细颗粒。 展开更多
关键词 氮化钛 超细粉 化学沉积
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微波等离子体化学气相沉积金刚石簿膜 被引量:1
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作者 孙亦宁 郭晓土 李敬起 《真空与低温》 1994年第4期198-200,共3页
建立了一台微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的设备。该实验装置由以下几部分组成:微波源及传输系统、反应室、供气系统、真空系统和检测等五部分组成。沉积室是由长70mm直径46mm的石英管组成的。分别采用CH4/H2和C... 建立了一台微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的设备。该实验装置由以下几部分组成:微波源及传输系统、反应室、供气系统、真空系统和检测等五部分组成。沉积室是由长70mm直径46mm的石英管组成的。分别采用CH4/H2和CO/H2混合气体进行了沉积试验;研究了沉积参数对沉积金刚石膜的影响。在直径30mm的单晶硅片和石英片上沉积出了均匀的金刚石膜。采用CH4/C2混合气体时,沉积速率在0.5~1.0μm/h之间,这与原有的热灯丝方法相近。采用CO/H2混合气体时,沉积速率可达到1.7μm/h。 展开更多
关键词 金刚石膜 微波等离子体 化学沉积
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一种金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积方法及装置
13
《化学分析计量》 CAS 2018年第1期67-67,共1页
本发明提供了一种利用磁控技术提高金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积设备沉积速率的方法和装置。该方法包含以下步骤:在微波等离子体化学气相沉积工艺中利用磁场形成电子捕集阱,电子在捕集阱的约束下,在衬底上方固定区域作封闭的曲... 本发明提供了一种利用磁控技术提高金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积设备沉积速率的方法和装置。该方法包含以下步骤:在微波等离子体化学气相沉积工艺中利用磁场形成电子捕集阱,电子在捕集阱的约束下,在衬底上方固定区域作封闭的曲线运动,电子在运动过程中碰撞反应气体碰撞生成前驱反应基团和石墨组织抑制基团,从而提高反应基团浓度,实现金刚石薄膜沉积速率的提高。使用该方法的反应腔装置由微波源、螺钉调配器、定向耦合器、同轴天线、波导装置、调节活塞、谐振腔、石英罩、磁场发生装置等组成。本发明优点是可以显著提高金刚石微波等离子体化学气相沉积工艺的薄膜沉积速率,工艺和装置简单,便于实施。 展开更多
关键词 化学沉积方法 微波等离子体 金刚石薄膜 装置 反应 沉积速率 沉积工艺 沉积设备
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微波等离子体辅助化学气相沉积法低温合成定向碳纳米管阵列 被引量:19
14
作者 陈新 胡征 +4 位作者 王喜章 吴强 陈懿 杨绍光 都有为 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期731-733,共3页
Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter o... Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter or length of the nanotubes could be realized. The hollow structure and vertically aligned features have been verified by scanning electron and transmission electron microscopic images. In comparison with the reported fabrication methods, lower synthesis temperature (below 520 ℃) and simpler process (no negative dc bias applied) have been achieved, which could be of great importance for both theoretical research and pratical applications. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 微波等离子体 化学沉积 低温合成 孔性氧化铝模板
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微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量:2
15
作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强型化学沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜
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取向碳纳米管阵列的等离子体复合化学气相沉积法制备 被引量:4
16
作者 陈易明 张海燕 +3 位作者 朱清锋 陈雨婷 陈列春 杨大勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期470-474,共5页
采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析... 采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析,用透射电子显微镜和拉曼光谱对碳纳米管进行表征.结果表明,在H2-N2气氛中热还原后硅片上的催化剂粒径均匀,排列致密,利用该法制备的碳纳米管为竹节型多壁碳纳米管,管径分布均匀,管长约5μm.碳纳米管阵列薄膜垂直于硅片衬底生长,生长排列均匀致密,具有良好的取向性. 展开更多
关键词 取向碳纳米管阵列 热丝射频等离子体复合化学沉积 旋涂法
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一种新型的激光——等离子体辅助化学气相沉积装置的研究 被引量:3
17
作者 陆宗仪 李文梅 +4 位作者 安世民 郭宝海 夏元良 徐军 梅雨 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1997年第1期90-94,共5页
为探索用激光和等离子体共同辅助化学气相沉积(CVD)过程以实现室温沉积的可能性,设计并制造了一种新型的CVD装置,实际进行了由SiH4-NH3-N2体系制取Si3N4膜的试验。结果表明,激光和等离子体是可以相互促进、... 为探索用激光和等离子体共同辅助化学气相沉积(CVD)过程以实现室温沉积的可能性,设计并制造了一种新型的CVD装置,实际进行了由SiH4-NH3-N2体系制取Si3N4膜的试验。结果表明,激光和等离子体是可以相互促进、共同辅助CVD过程的,且两者均处于较低的能量水平;整个沉积过程在室温下进行,仅在试样表面局部区域有升温,从而可以实现保持基体原有性能的沉积和选区沉积,拓宽CVD的应用前景。 展开更多
关键词 化学沉积 激光 等离子体 氮化硅膜
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采用空心阴极放电等离子体化学气相沉积方法制备a-CH薄膜 被引量:2
18
作者 陈志梅 吴卫东 +3 位作者 唐永建 许华 唐晓虹 李常明 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期611-614,共4页
 研究了不同衬底 阴极距离、直流电压和H2流量对a CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底 阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之...  研究了不同衬底 阴极距离、直流电压和H2流量对a CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底 阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低。用AFM观察了以该方法制得的448.4nmCH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm。最后测出了不同条件下CH薄膜的UV VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率。 展开更多
关键词 等离子体 化学沉积 空心阴极放电 CH薄膜
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偏压对低气压等离子体增强化学气相沉积TiO_2薄膜的结构和性能的影响 被引量:4
19
作者 刘伟 李岩 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期103-107,共5页
使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉... 使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉冲偏压的情况下成膜的比较.在沉积的过程中,利用USB-2000型光纤光谱仪对等离子体的发射光谱进行测量,定性分析等离子体沉积过程中的成分组成.用UV-1901探讨薄膜的光学特性,发现紫外和近紫外区域有一定吸收;用扫描电镜分析薄膜表面形貌的变化,可以看到偏压下的薄膜致密无孔,而远离偏压下的薄膜形貌粗糙;用红外光谱分析薄膜的结构组成,可以看到明显的Ti—O吸收峰.脉冲偏压下得到的薄膜在化学、光学以及电学方面有很好应用前景. 展开更多
关键词 TiO2 等离子体 脉冲偏压 等离子体增强化学沉积(PE—CVD)
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非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜 被引量:2
20
作者 谭必松 马志斌 +1 位作者 沈武林 吴振辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1887-1890,共4页
分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀... 分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀,并研究了刻蚀机理。结果表明:电子温度为5~10 eV,离子温度为1 eV左右,而等离子体数密度在1010cm-3数量级。随气压的升高,电子和离子温度降低,而电子数密度先增大后减小。在低气压下等离子体数密度空间分布更均匀,优化的刻蚀气压为0.1 Pa。刻蚀过程中,离子的回旋运动特性得到了加强,有利于平行于金刚石膜表面的刻蚀,有效地保护了金刚石膜的晶界和缺陷。 展开更多
关键词 非对称磁镜场 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 化学沉积
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