微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量：2

1

作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页

利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积 低温 直接制备 多晶硅薄膜

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永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统 被引量：5

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作者 吴振宇 刘毅 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期317-320,共4页

研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学... 研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。 展开更多

关键词 电子回旋共振 等离子体化学气相沉积 膜厚均匀性 同轴 表面波 ECR 氮化硅薄膜 高密度等离子体 FTIR光谱 强磁场

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非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体刻蚀化学气相沉积金刚石膜 被引量：2

3

作者 谭必松 马志斌 +1 位作者 沈武林 吴振辉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1887-1890,共4页

分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀... 分别应用郎缪尔双探针和离子灵敏探针对非对称磁镜场电子回旋共振氧等离子体的电子参数、空间分布和离子参数进行了测量,分析了气压对等离子体参数及空间分布的影响。利用该等离子体在优化的气压条件下对化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀,并研究了刻蚀机理。结果表明：电子温度为5～10 eV,离子温度为1 eV左右,而等离子体数密度在1010cm-3数量级。随气压的升高,电子和离子温度降低,而电子数密度先增大后减小。在低气压下等离子体数密度空间分布更均匀,优化的刻蚀气压为0.1 Pa。刻蚀过程中,离子的回旋运动特性得到了加强,有利于平行于金刚石膜表面的刻蚀,有效地保护了金刚石膜的晶界和缺陷。 展开更多

关键词 非对称磁镜场 电子回旋共振 氧等离子体 刻蚀 化学气相沉积

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多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺

4

作者 邓婉婷 吴爱民 +3 位作者 张广英 秦富文 董闯 姜辛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期436-440,共5页

采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)... 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向. 展开更多

关键词 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 低温生长

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微波功率和气压耦合作用对大面积金刚石膜沉积的影响 被引量：1

5

作者 孙祁 汪建华 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期43-48,共6页

使用新型多模MPCVD装置,通过耦合改变微波功率和沉积气压进行大面积金刚石膜均匀沉积研究。结果表明:微波功率一定时,电子密度随气压的上升先上升后下降;电子密度随气压和微波功率耦合上升而上升,其中微波功率起主导作用;当微波功率为5 ... 使用新型多模MPCVD装置,通过耦合改变微波功率和沉积气压进行大面积金刚石膜均匀沉积研究。结果表明:微波功率一定时,电子密度随气压的上升先上升后下降;电子密度随气压和微波功率耦合上升而上升,其中微波功率起主导作用;当微波功率为5 k W时,等离子体能量中心随着气压上升先靠近后远离沉积基底;当微波功率为5 k W、气压为15 k Pa时,在直径为75 mm的钼基片上实现了大面积金刚石膜的均匀沉积,中心和边缘区域的拉曼光谱FWHM值为4.69cm-1和4.83 cm-1。 展开更多

关键词 微波等离子体化学气相沉积 电子密度 金刚石膜 大面积

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MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜 被引量：2

6

作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 何斌 朱秀红 陈光华 贺德衍 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期43-46,共4页

介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置．该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导．应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm／s 以上．为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热... 介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置．该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导．应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm／s 以上．为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热丝辅助的 MWECR-CVD,这一改进可以大大降低薄膜的氢含量,改善薄膜的光照稳定性． 展开更多

关键词 微波电子回旋共振化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 磁场 微波 热丝

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新型微波ECR-PECVD装置的研制 被引量：2

7

作者 阴生毅 陈光华 +1 位作者 粟亦农 张永清 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期33-36,共4页

介绍一台新型的ECR PECVD装置。这一装置设计和采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场 ,使整个装置结构明显简化。为提高装置的微波转换效率 ,通过计算机仿真微波场在等离子体室的分布 ,选择和采用了一种新型的矩形耦合... 介绍一台新型的ECR PECVD装置。这一装置设计和采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场 ,使整个装置结构明显简化。为提高装置的微波转换效率 ,通过计算机仿真微波场在等离子体室的分布 ,选择和采用了一种新型的矩形耦合波导。应用这一装置分解H2 稀释的SiH4气体以沉积a Si:H薄膜 ,获得了 展开更多

关键词 电磁线圈 永磁体 微波转换 计算机仿真 微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 ECR-PECVD

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沉积时间对球状微米金刚石聚晶结构的生长及其场发射特性影响 被引量：3

8

作者 高金海 李桢 +1 位作者 张武勤 张兵临 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1253-1256,共4页

利用微波等离子体化学气相沉积法,在覆盖金属钛层的陶瓷衬底上,通过改变沉积时间制备出不同结构的类球状微米金刚石聚晶碳膜.通过扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线衍射谱对碳膜进行了分析测试,并研究了不同沉积时间下沉积的类球状微米... 利用微波等离子体化学气相沉积法,在覆盖金属钛层的陶瓷衬底上,通过改变沉积时间制备出不同结构的类球状微米金刚石聚晶碳膜.通过扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线衍射谱对碳膜进行了分析测试,并研究了不同沉积时间下沉积的类球状微米金刚石聚晶薄膜的场致电子发射特性.结果显示:不同的沉积时间所制备的碳膜形貌有很大变化,场致电子发射的效果也有很大不同,从而得出了场增强因子的降低和导电通道的增长是场发射效果变差的主要原因. 展开更多

关键词 微波等离子体化学气相沉积 场致电子发射 类球状微米金刚石聚晶

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纳米金刚石薄膜的二次电子发射特性 被引量：2

9

作者 李凯 金晓 +2 位作者 甘孔银 王汉斌 胡和平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1744-1748,共5页

简要介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法在硅基底上制备纳米金刚石薄膜的过程,并对制备的薄膜进行了表面分析。在此基础上设计出了用来测定反射型二次电子发射系数的实验装置,得出了几种薄膜在不同入射能量下的发射系数,取得了... 简要介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法在硅基底上制备纳米金刚石薄膜的过程,并对制备的薄膜进行了表面分析。在此基础上设计出了用来测定反射型二次电子发射系数的实验装置,得出了几种薄膜在不同入射能量下的发射系数,取得了二次发射系数为15的满意结果,表明纳米金刚石薄膜作为二次电子发射材料具有很好的应用前景。 展开更多

关键词 高平均功率自由电子激光 纳米金刚石膜 微波等离子体化学气相沉积方法 二次电子发射特性

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热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究 被引量：1

10

作者 刘国汉 丁毅 +3 位作者 朱秀红 何斌 陈光华 贺德衍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期986-989,共4页

为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(Si... 为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。 展开更多

关键词 电子回旋共振 等离子体增强化学气相沉积 氢化非晶硅薄膜 热丝 光致衰退效应

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微波ECR等离子体特性及其对DLC膜性能的影响 被引量：3

11

作者 陈小锰 邓新绿 +3 位作者 张治国 刘天伟 丁万昱 徐军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期146-149,共4页

为了解并优化在微波ECR等离子体增强化学气相沉积制备类金刚石膜工艺研究中的等离子体特性,利用朗缪尔探针法系统地测量了等离子体密度(Ne)、电子温度(Te)随工作气压(p)变化的关系。DLC膜的结构和性能依赖于沉积条件,提高等离子体密度... 为了解并优化在微波ECR等离子体增强化学气相沉积制备类金刚石膜工艺研究中的等离子体特性,利用朗缪尔探针法系统地测量了等离子体密度(Ne)、电子温度(Te)随工作气压(p)变化的关系。DLC膜的结构和性能依赖于沉积条件,提高等离子体密度有利于DLC膜的生长。本文示出了不同的CH4流量时,DLC膜的拉曼光谱和表面均方根粗糙度Rrms变化曲线,阐述了等离子体密度Ne、电子温度Te对DLC膜结构和性能的影响。 展开更多

关键词 等离子体特性 ECR 等离子体增强化学气相沉积 微波 膜性能 等离子体密度 结构和性能 DLC膜 均方根粗糙度 电子温度 类金刚石膜 工艺研究 工作气压 沉积条件 变化曲线 拉曼光谱 探针法 CH4 表面

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纳米非晶碳薄膜的制备及其场致电子发射特性 被引量：1

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作者 袁泽明 张永强 +1 位作者 姚宁 张兵临 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1768-1771,共4页

采用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在涂有FeCl3的硅衬底上制备出了纳米非晶碳薄膜。通过SEM、XRD和拉曼光谱分析了薄膜材料的形貌和结构。并研究了薄膜材料的场发射特性。结果表明:薄膜的开启电场仅为0.39 V/μm;当电场强度... 采用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在涂有FeCl3的硅衬底上制备出了纳米非晶碳薄膜。通过SEM、XRD和拉曼光谱分析了薄膜材料的形貌和结构。并研究了薄膜材料的场发射特性。结果表明:薄膜的开启电场仅为0.39 V/μm;当电场强度为1.85 V/μm时,电流密度高达3.06 mA/cm2;且场发射点均匀、密集、稳定。迭代法计算表明薄膜材料的功函数为3.1 eV,发射点密度约为1.7×105个/cm2。这些均表明该薄膜是一种性能优良的场发射阴极材料。 展开更多

关键词 纳米非晶碳 场致电子发射 FECL3 微波等离子增强化学气相沉积

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SiCN薄膜在Si衬底上的沉积 被引量：1

13

作者 程文娟 张阳 +1 位作者 江锦春 朱鹤孙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期913-917,共5页

本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯CH4和N2 ,而Si源来自于Si衬底、SiH4和Si棒。用场发射扫描电镜 (SEM)、X射线光电子能谱 (XPS)和X射线衍射谱 (XRD)对样品进行了... 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯CH4和N2 ,而Si源来自于Si衬底、SiH4和Si棒。用场发射扫描电镜 (SEM)、X射线光电子能谱 (XPS)和X射线衍射谱 (XRD)对样品进行了表征与分析。结果表明 ,外加Si源、高的衬底温度、高流量N2 有助于提高样品的成膜质量。 展开更多

关键词 SI衬底 衬底温度 薄膜 X射线衍射谱 X射线光电子能谱(XPS) 三元化合物 MPCVD 场发射扫描电镜 微波等离子体化学气相沉积 CN

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微波功率对a-C:F薄膜结构和光学性质的影响

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作者 黄峰 程珊华 +3 位作者 宁兆元 杨慎东 叶超 甘肇强 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期32-36,共5页

用苯 (C6H6)和四氟甲烷 (CF4 )混合气体作源气体 ,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术制备了含氟非晶碳膜 (a C :F)。着重讨论了输入的微波功率对成膜结构和性质的影响。我们对沉积的膜作了膜厚、扫描电子显微表面形貌 (SEM)... 用苯 (C6H6)和四氟甲烷 (CF4 )混合气体作源气体 ,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术制备了含氟非晶碳膜 (a C :F)。着重讨论了输入的微波功率对成膜结构和性质的影响。我们对沉积的膜作了膜厚、扫描电子显微表面形貌 (SEM)、紫外 -可见光透射谱 (UV -VIS)、傅立叶红外变换 (FTIR)等的测量。结果表明随着微波功率的增加沉积速率一直在上升 ;同时膜中缺陷增多 ;从FTIR的结果我们发现膜中主要以C -F、CF2 和F -芳基成键 ;通过UV -VIS吸收谱的测量的结果我们求出了折射率和光学带隙 ;并且将光学带隙和膜中的sp2 展开更多

关键词 a-C:F膜 微波功率 结构 光学性质 含氟非晶碳膜 微波电子回旋光振等离子化学气相沉积

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白碳纳米晶薄膜及其场致电子发射特性

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作者 张兰 马会中 +1 位作者 姚宁 张兵临 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期599-603,共5页

利用微波等离子体化学气相沉积方法,以甲烷、氢混合气体为反应气体,具有钛镀层的玻璃作为衬底,制备了具有sp1杂化结构的白碳纳米晶薄膜。利用X射线衍射、俄歇电子能谱,以及扫描电子显微镜对薄膜结构进行了表征。以白碳纳米晶薄膜为阴极... 利用微波等离子体化学气相沉积方法,以甲烷、氢混合气体为反应气体,具有钛镀层的玻璃作为衬底,制备了具有sp1杂化结构的白碳纳米晶薄膜。利用X射线衍射、俄歇电子能谱,以及扫描电子显微镜对薄膜结构进行了表征。以白碳纳米晶薄膜为阴极,以镀有ITO透明导电薄膜玻璃为阳极,采用二极管结构,测试了白碳纳米晶薄膜的场致电子发射特性。开启电场为2.5 V/μm,在电场为5 V/μm时的电流密度为200μA/cm2。对白碳纳米晶薄膜生长机理,以及其场致电子发射机制进行了讨论。 展开更多

关键词 白碳 白碳纳米晶薄膜 微波等离子体化学气相沉积 场致电子发射

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氢气流量对金刚石膜生长的影响研究

16

作者 杨广亮 王立秋 +1 位作者 吕宪义 金曾孙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1735-1737,共3页

研究了电子辅助热灯丝法生长金刚石厚膜过程中氢气流量对沉积速度和膜品质的影响 .随氢气流量从 1 0 0增加到 75 0 cm3/min,金刚石膜的沉积速率单调上升 ,但金刚石膜品质不断下降 ,从 75 0到 1 0 0 0cm3/min,金刚石膜沉积速率下降 ,但... 研究了电子辅助热灯丝法生长金刚石厚膜过程中氢气流量对沉积速度和膜品质的影响 .随氢气流量从 1 0 0增加到 75 0 cm3/min,金刚石膜的沉积速率单调上升 ,但金刚石膜品质不断下降 ,从 75 0到 1 0 0 0cm3/min,金刚石膜沉积速率下降 ,但金刚石膜品质随氢气流量增加而提高 .拉曼光谱和电子顺磁共振谱研究发现 ,在所制备的金刚石膜中含有替代形式的氮 ,氮含量随氢气流量的增加而减小 ,1 0 0 0 cm3/min流量下沉积的金刚石膜的含氮量仅为 1 0 0 cm3/min流量下沉积的金刚石膜的 1 /4 0 . 展开更多

关键词 氢气流量 金刚石膜 顺磁氮 顺磁共振 薄膜生长 电子辅助热灯丝法 化学气相沉积

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热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜(英文) 被引量：3

17

作者 周怀恩 陈光华 +2 位作者 朱秀红 阴生毅 胡跃辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期471-474,共4页

氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用。本文采用热丝辅助MW ECRCVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜。实验表明,在衬底表面... 氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用。本文采用热丝辅助MW ECRCVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜。实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H稀释率,有利于薄膜光电特性的改善。 展开更多

关键词 氢化非晶硅 氢稀释率 电子回旋共振化学气相沉积 光敏性

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玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究 被引量：2

18

作者 王文彦 秦福文 +5 位作者 吴爱民 宋世巍 李瑞 姜辛 徐茵 顾彪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期880-884,共5页

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了... 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。 展开更多

关键词 电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 氮化镓 低温沉积 玻璃衬底

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微波高功率对生长金刚石膜影响的研究 被引量：1

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作者 余军火 汪建华 +1 位作者 罗凯 翁俊 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期390-395,共6页

在实验室自制的10 kW微波等离子体化学气相沉积装置中,系统分析提高功率对生长金刚石膜的影响。利用等离子体发射光谱诊断分析高功率微波等离子体放电环境的特征,同时采用扫描电镜及Raman光谱对不同功率条件下获得的金刚石膜的形貌和质... 在实验室自制的10 kW微波等离子体化学气相沉积装置中,系统分析提高功率对生长金刚石膜的影响。利用等离子体发射光谱诊断分析高功率微波等离子体放电环境的特征,同时采用扫描电镜及Raman光谱对不同功率条件下获得的金刚石膜的形貌和质量进行表征。结果表明:微波功率的提高可以获得面积更大的强场区域,为金刚石的大面积均匀成膜提供了有利条件;同时提高微波功率可以产生更高的电子密度,激发更多的活性氢原子和有利于金刚石生长的含碳基团;在气压为15 kPa,H2/CH4流量比为200∶6 mL/min的条件下,当功率由4000上升到5000 W时,金刚石膜的质量明显得到提高;当功率升高到5500 W时,金刚石质量开始下降,出现孪晶;但在升高功率的过程中,晶粒尺寸增大的趋势没有改变。因此,提高微波功率易于活性氢原子的产生并可更为充分的活化含碳大分子基团;在本实验条件下,当微波功率为5000 W时,所制备的金刚石膜可具有较高的质量。 展开更多

关键词 高微波功率 强场区域 电子密度 化学气相沉积

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升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜

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作者 崔洪涛 吴爱民 +3 位作者 秦福文 谭毅 闻立时 姜辛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期117-120,共4页

成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜。研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及... 成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜。研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及显微组织结构进行了表征。发现在恒定气压下,结晶质量随流量比增大先变好后变差,即存在最佳流量比,0.16Pa对应10∶5,而0.4 Pa对应10∶6.8。 展开更多

关键词 硅衬底 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜

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