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微波晶体管测试夹具技术的研究 被引量:3
1
作者 王弘英 王长河 +1 位作者 高建军 默立东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期635-638,共4页
微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上都是同轴传输系统,因此,就需要通过... 微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上都是同轴传输系统,因此,就需要通过测试夹具完成对测试器件固定、馈电以及信号同轴传输转微带传输的功能。微波器件测试是保证器件质量和发展的关键手段,夹具制作技术对测试结果影响巨大,对微波晶体管测试夹具制作进行了研究,并提出了解决方案。 展开更多
关键词 微波晶体管 测试夹具 校准 自激 可靠性
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微波晶体管参数的测量方法
2
作者 沈庭芝 方子文 《微波学报》 CSCD 北大核心 1998年第2期182-187,共6页
本文用信号流国和矩阵方法分析了测量激彼晶体管S参数的三种方法,分别给出了10个和8个误差参数信号流图新的显式解。为各种型号的矢量网络分析仪测量做液晶体管S参数,提供了精确测试方法。
关键词 信号流图 误差模型 校准方法 微波晶体管
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微波晶体管电流增益和基极电流非理想因子的温度特性
3
作者 郑茳 冯耀兰 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期179-185,共7页
本文研究了微波晶体管电流增益H_FE和基极电流非理想因子n随温度变化的机理,给出了电流增曾H_FE的温度模型,指出:(1)中电流时电流增益H_PE具有正温度系数,而在小电流时随温度上升迅速增大,在大电流时增大减缓,并会出现负增值,(2)基极电... 本文研究了微波晶体管电流增益H_FE和基极电流非理想因子n随温度变化的机理,给出了电流增曾H_FE的温度模型,指出:(1)中电流时电流增益H_PE具有正温度系数,而在小电流时随温度上升迅速增大,在大电流时增大减缓,并会出现负增值,(2)基极电流非理想因子n具有负温度系数.实验结果和理论分析一致. 展开更多
关键词 微波晶体管 电流增益 基极电流
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掺砷多晶硅在微波晶体管中的应用
4
作者 张树丹 陈统华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期241-245,共5页
报道了用低压化学汽相淀积生长掺砷多晶硅的实验结果。应用掺砷多晶硅作发射板材料,研制出C波段连续波输出功率大于3W的晶体管和L,P波段100W的脉冲功率晶体管。
关键词 掺砷多晶硅 双极晶体管 微波晶体管
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微波晶体管测试夹具空旷误差模型分析
5
作者 张淑娥 叶后裕 《微波与卫星通信》 1995年第4期52-54,共3页
在用微波网络分析仪测试微波晶体管时,往往夹具尺寸大而管子尺寸小。本文针对这种普遍存在的实际情况,建立了大具空旷误差模型,提出了一具多用的新方法,并在实际测试中得到了验证。
关键词 微波晶体管 测试 误差模型 夹具
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微波晶体管、场效应管管芯的不等波纹函数型阻抗匹配网络 被引量:2
6
作者 李壮 甘仲民 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期55-58,共4页
本文给出对RC串联型 ,并联型负载的不等波纹函数型阻抗匹配网络的综合方法 .以HFET 10 0 0管芯为例 ,用不等波纹函数型综合与补偿方法得到的 6 12GHz的输入输出阻抗匹配网络与传统的切比雪夫型相比 ,所用的L ,C元件数不足后者的一半且... 本文给出对RC串联型 ,并联型负载的不等波纹函数型阻抗匹配网络的综合方法 .以HFET 10 0 0管芯为例 ,用不等波纹函数型综合与补偿方法得到的 6 12GHz的输入输出阻抗匹配网络与传统的切比雪夫型相比 ,所用的L ,C元件数不足后者的一半且其增益。 展开更多
关键词 阻抗匹配网络 场效应管理管芯 微波晶体管
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全离子注入双极硅微波晶体管E-B结低、软特性浅析
7
作者 蔡克理 《半导体情报》 1993年第3期45-47,共3页
通过全离子注入双极硅微波晶体管研究中出现的E-B结特性软、低击穿和β变小等现象,从理论上给以浅析,同时,指出了设计和工艺上改进的措施。
关键词 离子注入 微波晶体管
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微波晶体管振荡器设计的最优化方法
8
作者 孟庆鼐 粟海华 《运筹与管理》 CSCD 1996年第2期58-62,共5页
本文在分析微波振荡器电路特性的基础上,建立了精确、可靠的数学模型,编写出最优化设计程序,从而提高了微波振荡器电路设计的效率和精度。
关键词 微波晶体管振荡器 S参数 计算机 优化设计
全文增补中
微波晶体管噪声参数CAT
9
作者 陈玲 侯露莹 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期382-386,共5页
介绍了一种测量微波晶体管噪声参数的方法,并用矢量网络分析仪和噪声系数测试仪组建了一套自动测试系统。在系统软件的控制下,该系统可对微波晶体管噪声参数进行快速、准确的测量;并给出了部分测试结果,还与厂家典型值进行了比较。
关键词 微波晶体管 噪声参数 自动测试系统
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微波晶体管放大器的图解设计法
10
作者 王保志 《成都气象学院学报》 1996年第43期285-290,共6页
在对线性两端口网络S参量分析的基础上,给出了利用史密斯圆图设计微波晶体管放大器的一般方法。
关键词 微波晶体管 放大器 图解 设计法
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硅微波晶体管亚微米全干法腐蚀技术
11
作者 曾庆明 冯国进 庞忠智 《半导体情报》 1990年第3期1-3,共3页
随着器件尺寸朝亚微米规模、超大规模方向发展,常规的湿法腐蚀技术已无法满足要求。这里的器件制作全部采用正性光致抗蚀剂、接触式曝光和反应离子刻蚀制作方法。容易重复获得约0.6μm的发射区条宽,4μm周期的发射极排列密度,条宽和条... 随着器件尺寸朝亚微米规模、超大规模方向发展,常规的湿法腐蚀技术已无法满足要求。这里的器件制作全部采用正性光致抗蚀剂、接触式曝光和反应离子刻蚀制作方法。容易重复获得约0.6μm的发射区条宽,4μm周期的发射极排列密度,条宽和条距均为1μm的梳状金属电极图形,而且该金属具有足够的W、Au厚度,保证器件在C、X波段有良好的高频特性及抗电冲击能力。 展开更多
关键词 微波晶体管 亚微米 全干法 腐蚀
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微波晶体管的开发动向
12
作者 张汉三 《半导体情报》 1990年第1期29-34,共6页
本文评论了近几年来微波晶体管的研究动向:FET进一步向短栅化发展,沟道材料由GaAs向In GaAs转变,f_T已超过200GHz,最高f_0达94GHz,30GHz下已能输出1W,12GHz下的NF已降到0.58dB。
关键词 晶体管 微波晶体管 FET 短栅化
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STS-LNP型微波晶体管前置放大器
13
作者 陈文青 《国外电子元器件》 2000年第12期28-30,共3页
介绍了STS -LNP型微波晶体管前置放大器的电路结构与功能 ,详细阐述了该放大器在获得低噪声系数、低电压驻波比、平坦的增益特性、较好的工作稳定性等方面所采用的特殊方法 ,微波器件的选择以及微波电路的组装工艺措施。并对其工作原理... 介绍了STS -LNP型微波晶体管前置放大器的电路结构与功能 ,详细阐述了该放大器在获得低噪声系数、低电压驻波比、平坦的增益特性、较好的工作稳定性等方面所采用的特殊方法 ,微波器件的选择以及微波电路的组装工艺措施。并对其工作原理和特性进行了说明。 展开更多
关键词 噪声系数 微波晶体管 电压驻波比 前置放大器
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提高微波晶体管振荡器输出功率的一种方法
14
作者 夏东河 《制导与引信》 1992年第1期46-49,共4页
对双管并联作为振荡器的振荡管作了分析;并以3DA89为实例详细研究了振荡器的制作过程并给出了实验数据,它为人们提供了一条在局部范围内提高微波信号源输出功率的方法。用3DA89单管作振荡器的微波输出功率可达2W,如想得到大于4W 的输出... 对双管并联作为振荡器的振荡管作了分析;并以3DA89为实例详细研究了振荡器的制作过程并给出了实验数据,它为人们提供了一条在局部范围内提高微波信号源输出功率的方法。用3DA89单管作振荡器的微波输出功率可达2W,如想得到大于4W 的输出功率,人们使用的一般方法是在振荡源后再加一级放大器,这样在制作中存在较大麻烦,即要解决振荡源与放大器的级间匹配问题。要想得到较大的微波功率输出,唯一重要的就是把匹配问题解决好,这在振荡器的制作中需用大力解决的问题,而用双管并联的方法就可避免如上所述的问题。 展开更多
关键词 微波晶体管 振荡器 微波技术
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微波晶体管的自动测试
15
作者 杨潞 《火控雷达技术》 1989年第2期9-13,共5页
本文在 HP8409微波网络分析仪上完成了微波晶体管的自动测试。针对缺少微带标准件的情况,研究分析空气微带延时线,从理论上证明了用空气微带线作为标准件的可行性,并修正了测试系统的十二项误差和夹具误差。
关键词 微波晶体管 自动测试 网络分析仪
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微波晶体管可靠性研究
16
作者 Ronald N.Clarke 周焕文 《微纳电子技术》 1978年第3期18-33,共16页
用四种微波晶体管作了典型使用条件下的加速直流电徙动试验。获得了一个较低的激活能以及典型的电徒动方程的一个较大的指数项前的常数和较小的电流密度指数。三种晶体管也在2.0千兆赫下作了工作寿命试验。5000小时的试验后,直流和射频... 用四种微波晶体管作了典型使用条件下的加速直流电徙动试验。获得了一个较低的激活能以及典型的电徒动方程的一个较大的指数项前的常数和较小的电流密度指数。三种晶体管也在2.0千兆赫下作了工作寿命试验。5000小时的试验后,直流和射频试验之间开始呈现出相互有关。振荡器失效而放大器未失效。金引线的功率循环中没有出现引线或键合的失效损坏。温度步进应力试验表明,一个半导体器件不能在其易熔的温度之上使用。用一个计算机模型计算高管壳温度和大功率负荷下的工作温度,这时难于进行和解释实际测量。 展开更多
关键词 微波晶体管 耗散功率 管壳温度 放大器 热阻 电子设备 热传导 振荡器 电徙动 镇流电阻
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微波晶体管的进展
17
作者 为民 《微纳电子技术》 1976年第1期8-20,共13页
这里主要介绍三端的微波半导体器件。三端微波器件可分为双极晶体管和场效应晶体管两大类。在微波频率范围内,这两类器件都可用于微波低噪声放大和微波功率源。微波双极晶体管已有较长的发展史,早已得到普遍应用,但到目前为止,只能用于... 这里主要介绍三端的微波半导体器件。三端微波器件可分为双极晶体管和场效应晶体管两大类。在微波频率范围内,这两类器件都可用于微波低噪声放大和微波功率源。微波双极晶体管已有较长的发展史,早已得到普遍应用,但到目前为止,只能用于C波段以下,而场效应晶体管在C到Ku波段还保持良好的微波性能。从电路应用来说,一般用双极晶体管较为简单,在放大器中容易作到宽带匹配。 展开更多
关键词 双极晶体管 栅长 波段 杂质浓度 千兆赫 发射极 微波功率晶体管 基区 场效应管
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微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究 被引量:11
18
作者 杨洁 王长河 刘尚合 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期99-102,共4页
在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基... 在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极)。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。 展开更多
关键词 微波低噪声硅晶体管 静电放电 方波电磁脉冲 损伤电压 损伤机理
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1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制 被引量:4
19
作者 应贤炜 王建浩 +3 位作者 王佃利 刘洪军 严德圣 顾晓春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期207-212,共6页
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%... 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。 展开更多
关键词 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管
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微波功率晶体管的热失效分析 被引量:4
20
作者 刘红兵 许洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期807-809,共3页
微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)... 微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)上的多层金属化层存在质量缺陷,使管芯到BeO的热阻增大,因此出现了老化时部分器件失效现象。提出了预防措施,既可避免损失,也能保证微波功率晶体管在使用中的可靠性。 展开更多
关键词 微波功率晶体管 热失效 热阻 剪切力
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