微波晶体管测试夹具技术的研究 被引量：3

1

作者 王弘英 王长河 +1 位作者 高建军 默立东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期635-638,共4页

微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上都是同轴传输系统,因此,就需要通过... 微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上都是同轴传输系统,因此,就需要通过测试夹具完成对测试器件固定、馈电以及信号同轴传输转微带传输的功能。微波器件测试是保证器件质量和发展的关键手段,夹具制作技术对测试结果影响巨大,对微波晶体管测试夹具制作进行了研究,并提出了解决方案。 展开更多

关键词 微波晶体管 测试夹具 校准 自激 可靠性

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微波晶体管参数的测量方法

2

作者 沈庭芝 方子文 《微波学报》 CSCD 北大核心 1998年第2期182-187,共6页

本文用信号流国和矩阵方法分析了测量激彼晶体管S参数的三种方法，分别给出了10个和8个误差参数信号流图新的显式解。为各种型号的矢量网络分析仪测量做液晶体管S参数，提供了精确测试方法。

关键词 信号流图 误差模型 校准方法 微波晶体管

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微波晶体管、场效应管管芯的不等波纹函数型阻抗匹配网络 被引量：2

3

作者 李壮 甘仲民 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期55-58,共4页

本文给出对RC串联型 ,并联型负载的不等波纹函数型阻抗匹配网络的综合方法 .以HFET 10 0 0管芯为例 ,用不等波纹函数型综合与补偿方法得到的 6 12GHz的输入输出阻抗匹配网络与传统的切比雪夫型相比 ,所用的L ,C元件数不足后者的一半且... 本文给出对RC串联型 ,并联型负载的不等波纹函数型阻抗匹配网络的综合方法 .以HFET 10 0 0管芯为例 ,用不等波纹函数型综合与补偿方法得到的 6 12GHz的输入输出阻抗匹配网络与传统的切比雪夫型相比 ,所用的L ,C元件数不足后者的一半且其增益。 展开更多

关键词 阻抗匹配网络 场效应管理管芯 微波晶体管

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微波晶体管振荡器设计的最优化方法

4

作者 孟庆鼐 粟海华 《运筹与管理》 CSCD 1996年第2期58-62,共5页

本文在分析微波振荡器电路特性的基础上，建立了精确、可靠的数学模型，编写出最优化设计程序，从而提高了微波振荡器电路设计的效率和精度。

关键词 微波晶体管振荡器 S参数 计算机 优化设计

全文增补中

微波晶体管噪声参数CAT

5

作者 陈玲 侯露莹 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期382-386,共5页

介绍了一种测量微波晶体管噪声参数的方法，并用矢量网络分析仪和噪声系数测试仪组建了一套自动测试系统。在系统软件的控制下，该系统可对微波晶体管噪声参数进行快速、准确的测量；并给出了部分测试结果，还与厂家典型值进行了比较。

关键词 微波晶体管 噪声参数 自动测试系统

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微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究 被引量：18

6

作者 杨洁 刘尚合 +1 位作者 原青云 武占成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期111-114,158,共5页

为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示... 为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形。将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程。根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布。经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿。 展开更多

关键词 微波低噪声硅晶体管 方波电磁脉冲 敏感端对 灵敏参数 损伤功率 统计分布 损伤机理

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微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究 被引量：11

7

作者 杨洁 王长河 刘尚合 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期99-102,共4页

在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基... 在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极)。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。 展开更多

关键词 微波低噪声硅晶体管 静电放电 方波电磁脉冲 损伤电压 损伤机理

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微波功率晶体管的热失效分析 被引量：4

8

作者 刘红兵 许洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期807-809,共3页

微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)... 微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)上的多层金属化层存在质量缺陷,使管芯到BeO的热阻增大,因此出现了老化时部分器件失效现象。提出了预防措施,既可避免损失,也能保证微波功率晶体管在使用中的可靠性。 展开更多

关键词 微波功率晶体管 热失效 热阻 剪切力

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L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验 被引量：4

9

作者 黄雒光 董四华 +1 位作者 刘英坤 郎秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期494-497,共4页

Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi... Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。 展开更多

关键词 硅微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型

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SiGe异质结微波功率晶体管 被引量：2

10

作者 王哲 亢宝位 +2 位作者 肖波 吴郁 程序 《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第4期84-89,共6页

本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。

关键词 SIGE 异质结双极晶体管 微波功率双极晶体管

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射频和微波功率晶体管的发展与建议 被引量：1

11

作者 白淑华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第5期9-12,共4页

本报告是在调查的基础上综合国内外发展的概况,提出我国发展功率管的建议和设想.

关键词 功率晶体管 微波晶体管 射频

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S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验

12

作者 童亮 彭浩 +1 位作者 高金环 黄杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期321-325,共5页

为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根... 为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。 展开更多

关键词 硅微波功率晶体管 加速寿命试验 阿列尼乌斯模型 可靠性 S波段

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微波功率晶体管的金属气密封装

13

作者 张德骏 苗庆海 +2 位作者 曹红 张兴华 刘汝军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期86-88,共3页

提出了晶体管自身组态与电路组态匹配的思想,介绍了一种微波功率晶体管的金属气密封装——选极F型封装技术。还介绍了1.5GHz和2.0GHz选极F型封装微波功率晶体管的技术指标和功能特征。

关键词 微波功率晶体管 金属气密封装 组态匹配 选极F型封装技术 技术指标 功能特征

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高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制

14

作者 邓建国 刘英坤 +5 位作者 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期477-479,共3页

采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc... 采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc=36 V时，宽带输出功率大于64 W，增益大于8.5 dB，效率大于36%，抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁，表现出了良好的微波性能和高的可靠性。 展开更多

关键词 硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管

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“七专”微波功率晶体管筛选条件的选择

15

作者 樊兆光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第5期54-55,共2页

本文对“七专”微波功率晶体管在工艺筛选中碰到的具体问题及如何选择合理的筛选条件,确保筛选质量,提出了应注意的事项.

关键词 功率晶体管 微波晶体管 筛选 选择

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微波功率晶体管放大器匹配电路的设计 被引量：4

16

作者 郭潇菲 刘凤莲 王传敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2009年第5期67-69,共3页

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制... 对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值。 展开更多

关键词 微波功率晶体管放大器 匹配 多节并联导纳匹配法

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千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究

17

作者 黄乐旭 应贤炜 +3 位作者 梅海 丁晓明 杨建 王佃利 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2019年第9期76-82,共7页

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并... 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W。在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100μs、占空比为20%、输入功率为6 W的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23.5 dB,漏极效率74.4%,电压驻波比10∶1。该晶体管已实现工程应用。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管

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干法腐蚀在硅微波功率晶体管研制中的应用

18

作者 张大立 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期75-77,共3页

干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术。本文对目前干法腐蚀在硅微波大功率晶体管中的应用进行了分析... 干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术。本文对目前干法腐蚀在硅微波大功率晶体管中的应用进行了分析,指出随着硅微波功率晶体管工作频率的不断提高,对高性能各向异性的干法腐蚀技术要求也更加迫切。 展开更多

关键词 干法腐蚀 硅 微波功率晶体管 各向异性 工作频率 半导体工艺

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基于HEMT的单片微波集成放大器设计 被引量：2

19

作者 杨学斌 吕善伟 +1 位作者 苏东林 王良臣 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期290-292,共3页

介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法 ,电路核心为高电子迁移率晶体管 (HighElectronMobilityTransistor,HEMT) .针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑 ,在HEMT的输入端并联一个 2 0 0... 介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法 ,电路核心为高电子迁移率晶体管 (HighElectronMobilityTransistor,HEMT) .针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑 ,在HEMT的输入端并联一个 2 0 0Ω电阻 ,用HP EESOF公司的Libra 2 .1软件进行了小信号电路仿真与设计 .仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的 ,在 2～ 3GHz频带内增益为1 4.2dB ,纹波小于 0 .4dB ,噪声系数约 2 .7dB ,满足实用要求 . 展开更多

关键词 微波晶体管放大器 微波集成电路 仿真 HEMT

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微波测量实验改革的尝试 被引量：3

20

作者 安同一 《中国大学教学》 1985年第1期10-11,共2页

华东师范大学物理系无线电物理专业的微波实验分基础实验和专业实验,每种各约10个实验。信息组学生只做基础实验,微波组学生两种都做。原来的实验主要是配合“微波技术”、“微波电路”和“微波测量”等几门课程进行的。

关键词 微波测量 微波电路 微波晶体管 阻抗圆图 复介电常数 微波应用 计算机辅助测量 物理专业 自动测量 模/数转换器

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