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Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验
被引量：
2
1
作者
陈效建
乔宝文
+3 位作者
戚友芹
郝西萍
刘军
王军贤
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第11期33-36,共4页
通过分析微波单片集成电路（MMIC）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径．着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件（有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件）电路模...
通过分析微波单片集成电路（MMIC）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径．着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件（有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ku波段两级AlGaAs／InGaAsPHEMT单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与CAD设计值十分相近的实验结果：在13．4～14．0GHz的频率范围内，噪声系数（NF）1．66±0．04dB，相关增益（Ga）13．3±0．05dB。
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关键词
MM
ic
HEMT
微波单片ic
设计
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职称材料
题名
Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验
被引量：
2
1
作者
陈效建
乔宝文
戚友芹
郝西萍
刘军
王军贤
机构
南京电子器件研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第11期33-36,共4页
文摘
通过分析微波单片集成电路（MMIC）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径．着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件（有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ku波段两级AlGaAs／InGaAsPHEMT单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与CAD设计值十分相近的实验结果：在13．4～14．0GHz的频率范围内，噪声系数（NF）1．66±0．04dB，相关增益（Ga）13．3±0．05dB。
关键词
MM
ic
HEMT
微波单片ic
设计
Keywords
Pseudomorph
ic
high-electron-mobility-transistor (PHEMT), MM
ic
, Low-noise CAD optimization.
分类号
TN454.02 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验
陈效建
乔宝文
戚友芹
郝西萍
刘军
王军贤
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
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