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宽带低噪声放大器单片微波集成电路 被引量:5
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作者 戴剑 要志宏 +2 位作者 赵瑞华 宋学峰 刘帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期259-263,共5页
从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应... 从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5V工作电压下,能够在2~20GHz频率内实现小信号增益大于16dB,增益平坦度小于士0.5dB,输出P-1dB大于14dBm,噪声系数典型值为2.5dB,输入和输出回波损耗均小于-15dB,工作电流仅为63mA,低噪声放大器芯片面积为3.1mm×1.3mm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪 声放大器 宽带 行波
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可变增益的功率放大器单片微波集成电路
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作者 刁睿 赵瑞华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期264-267,共4页
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在... 根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9GHz频率范围内,1dB压缩点输出功率大于33dBm,当控制电压在-1~0V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5mm×2.3mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。 展开更多
关键词 功率放大器 可变增益 单片微波集成电路(MMIC) ADS软件 砷化镓
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科锐展示业界首款用于卫星通信的C波段GaN HEMT单片式微波集成电路(MMIC)高功率放大器 被引量:1
3
《电子技术应用》 北大核心 2011年第7期114-114,共1页
科锐公司日前在巴尔的摩举行的2011年IEEE国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)。与现有商用GaAs MESFET晶体管或基于行波管的放大器相比,该产品可大幅提高性能。
关键词 高功率放大器 微波集成电路 卫星通信 HEMT GaN C波段 单片式 MESFET
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单片微波集成电路放大器
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作者 吴腾奇 列光华 《电子质量》 2001年第11期59-63,共5页
介绍单片微波等成路的特性
关键词 MMID MICROWAVE 单片微波集成电路 放大器
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X波段单片集成电路低噪声放大器的应用研究 被引量:1
5
作者 戴永胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期406-406,共1页
据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用具有均匀性、重复性好的自对准多层金属栅结构超低噪声GaAs FE... 据《Semicon.NEWs》1989年第8期报道,日本三菱电机株式会社光微波器件研究所现已研制成在12GHz下噪声系数为1.58dB,增益29dB的世界最高性能的低噪声MMIC放大器.该放大器采用具有均匀性、重复性好的自对准多层金属栅结构超低噪声GaAs FET工艺,并使噪声和阻抗的匹配电路开始单片化.与以前采用凹槽型的GaAs FET放大器相比。 展开更多
关键词 Ф波段 单片集成电路 低噪声放大器
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
6
作者 蔚翠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期624-624,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有里程碑式的意义。 展开更多
关键词 石墨烯 低噪声放大器 单片集成电路 噪声系数 ELECTRON 电路工作 电路设计 国际领先地位
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
7
作者 蔚翠 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第11期835-835,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 单片集成电路 低噪声放大器 石墨 关键工艺 电路设计 IEEE KU波段
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ADI ADL8105砷化镓单片微波集成电路低噪声宽带放大器解决方案
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《世界电子元器件》 2022年第9期52-55,共4页
ADI公司的ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz.在12GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5dBm典型输出三阶交调... ADI公司的ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz.在12GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)以及高达20.5 dBm的饱和输出功率(PSAT),采用5 V电源电压时功耗仅为90 mA.可通过牺牲OIP3和输出功率(POUT)来降低功耗. 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 宽带放大器 工作频率范围 噪声系数 电源电压 砷化镓 饱和输出功率
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基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计 被引量:2
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作者 姚小江 李宾 +8 位作者 陈延湖 陈小娟 魏珂 李诚瞻 刘丹 刘果果 刘新宇 王晓亮 罗卫军 《电子器件》 CAS 2007年第4期1137-1139,共3页
我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE... 我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%. 展开更多
关键词 微波功率放大器 ALGAN/GAN HEMT 混合集成电路(MIC)
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X波段宽带高效率连续类功率放大器芯片设计
10
作者 刘涵潇 喻忠军 +1 位作者 范景鑫 张德生 《电子技术应用》 2025年第3期39-43,共5页
为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益... 为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益,输出级使用耗尽型晶体管实现高效率与瓦级的输出功率。仿真结果显示,该功率放大器在7.3~12.2 GHz的频带内实现了29~30.6 dBm的输出功率,功率增益为17~18.6 dB,功率附加效率大于50%,峰值效率为59%,输入回波损耗小于10 dB,芯片尺寸仅为2.1 mm×1.3 mm。 展开更多
关键词 功率放大器 高效率 X波段 连续类 单片微波集成电路
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220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器 被引量:2
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作者 孙岩 程伟 +4 位作者 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所开发了0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,击穿电压大干4V。基于该工艺,研制出220 GHz单片集成功率放大器,饱和输出功率20mW,功率增益大1:10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试... 南京电子器件研究所开发了0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,击穿电压大干4V。基于该工艺,研制出220 GHz单片集成功率放大器,饱和输出功率20mW,功率增益大1:10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试结果。 展开更多
关键词 集成功率放大器 GHZ INP DHBT 南京电子器件研究所 单片 HBT工艺 饱和输出功率
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单片微波集成电路的快速电磁仿真技术 被引量:1
12
作者 戴居丰 张国祥 吴咏诗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期17-25,共9页
本文概述了单片微波集成电路(MMIC)电磁仿真的基本原理,提出了电路特性参量的直接摘取法,研究了两项矩阵降阶技术,从而建立了一套省时、实用的MMIC快速电磁仿真技术。两个仿真实例证明了该技术的有效性,仿真速度约可提高一个数量级。
关键词 单片 微波 集成电路 电磁仿真
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基于新型带宽拓展技术的Doherty功率放大器MMIC设计
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作者 杨琳 付星源 +5 位作者 刘世华 郭彦辰 高瑞龙 王保柱 张明 侯卫民 《微电子学与计算机》 2025年第2期77-85,共9页
为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MM... 为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)在保持高效率输出的同时,实现宽频带内充分的负载调制。为了验证所提出的设计方法,设计了一款应用于5G大规模MIMO(Multiple Input Multiple Output,多输入多输出)应用的新型高效率宽带非对称氮化镓DPA MMIC。测试结果表明,所设计的DPA芯片在4.5~5.5 GHz范围内可达到39.2~40.6 dBm的饱和输出功率(Saturation Output Power,记为P_(sat))。饱和时的功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE,记为P_(AE))为45.2%~51.1%,在输出功率回退6 dB时可实现40.1%~45.0%的P_(AE),小信号增益为12.7~13.9 dB。所提出的DPA在已发表的C波段宽带氮化镓DPA中展示了较高的饱和及6 dB回退P_(AE)。 展开更多
关键词 DOHERTY功率放大器 氮化镓 单片微波集成电路 宽带
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微波单片集成电路常用结构的时域分析 被引量:1
14
作者 戚颂新 杨铨让 薛建辉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期112-114,共3页
本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法,其空间网格能沿任意轴向变化,而且具有高阶离散精度,从而节省了机时,提高了计算精度,并首次应用于微波单片集成电路(MMIC)常用结构的定模分析,具体研究了空气桥、... 本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法,其空间网格能沿任意轴向变化,而且具有高阶离散精度,从而节省了机时,提高了计算精度,并首次应用于微波单片集成电路(MMIC)常用结构的定模分析,具体研究了空气桥、通孔接地对电路性能的影响,其结果与有关文献相一致,验证了算法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 时域 单片集成电路 空气桥 非均匀网络 微波
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Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计 被引量:4
15
作者 周守利 张景乐 +2 位作者 吴建敏 周赡成 程元飞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期30-34,共5页
基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用... 基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移。测试结果表明,在12~18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差(RMS)小于0.25 dB,附加相移为-0.5°^+9.5°,插入损耗小于4.9 dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。 展开更多
关键词 KU波段 砷化镓 数字衰减器 高衰减精度 微波单片集成电路
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砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究 被引量:2
16
作者 王蕴辉 莫郁薇 +3 位作者 吴海东 张增照 古文刚 聂国健 《电子产品可靠性与环境试验》 2007年第2期43-48,共6页
在对微波单片集成电路(MMIC)的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT。在大量统计工艺数据和文献数据的... 在对微波单片集成电路(MMIC)的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT。在大量统计工艺数据和文献数据的基础上,获得了可靠性预计模型中的其它系数。 展开更多
关键词 微波单片集成电路 可靠性预计 寿命试验
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GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理 被引量:12
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作者 黄云 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第3期9-14,共6页
从可靠性物理的角度,深入分析了引起砷化镓微波单片集成电路(GaAsMMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了 GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件。
关键词 砷化镓 微波单片集成电路 失效模式 退化机理 有源器件
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毫米波单片集成低噪声放大器电路
18
作者 王闯 钱蓉 孙晓玮 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期11-14,共4页
基于0.25μm PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)工艺,给出了一款毫米波MMIC(单片集成电路)低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声... 基于0.25μm PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)工艺,给出了一款毫米波MMIC(单片集成电路)低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声;采用直流偏置上加电阻电容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好:输入输出驻波比小于2.0,增益大于15dB,噪声系数小于3.0dB。1dB压缩点输出功率大于15dBm,芯片尺寸为lmm×2mm×0.1mm。这是国内报导的面积最小、性能最好的毫米波低噪声放大器。 展开更多
关键词 PHEMT 毫米波 微波单片集成电路 低噪声放大器
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X波段0.7W单片集成功率放大器
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作者 张斌 谢芬芳 +1 位作者 吕振中 龚邦瑞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期185-185,共1页
南京电子器件研究所在微波单片集成电路研制方面获得了新的进展。1991年研制成的两级功率放大器测试结果表明,最大增益11 dB,1 dB带宽600MHz,7GHz频率下P_(-1)>550mW,Pa_(sat)为770mW,与设计值基本吻合。
关键词 放大器 功率 集成电路 单片 X波段
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微波单片集成电路的一种中心设计方法
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作者 戚颂新 杨铨让 过常宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期248-254,共7页
本文系统地提出了一种微波单片集成电路的中心设计方法,有效地提高了单片电路的成品率,改善了电路性能;同时,占机时少,收敛速度快。试用结果表明,该方法是有效和可靠的,具有应用前景。
关键词 设计 单片集成电路 微波集成电路
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