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宽带低噪声放大器单片微波集成电路 被引量:5
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作者 戴剑 要志宏 +2 位作者 赵瑞华 宋学峰 刘帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期259-263,共5页
从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应... 从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5V工作电压下,能够在2~20GHz频率内实现小信号增益大于16dB,增益平坦度小于士0.5dB,输出P-1dB大于14dBm,噪声系数典型值为2.5dB,输入和输出回波损耗均小于-15dB,工作电流仅为63mA,低噪声放大器芯片面积为3.1mm×1.3mm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 微波集成电路(mmic) 低噪 声放大器 宽带 行波
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MMIC——单片式微波集成电路 被引量:1
2
作者 陈夏生 《电子器件》 CAS 1999年第1期64-67,共4页
本文简单介绍MMIC——单片式微波集成电路及其应用。
关键词 微波集成电路 mmic
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单片微波集成电路的快速电磁仿真技术 被引量:1
3
作者 戴居丰 张国祥 吴咏诗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期17-25,共9页
本文概述了单片微波集成电路(MMIC)电磁仿真的基本原理,提出了电路特性参量的直接摘取法,研究了两项矩阵降阶技术,从而建立了一套省时、实用的MMIC快速电磁仿真技术。两个仿真实例证明了该技术的有效性,仿真速度约可提高一个数量级。
关键词 微波 集成电路 电磁仿真
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MMIC-单片式微波集成电路 被引量:1
4
作者 陈夏生 《集成电路应用》 1998年第5期46-47,共2页
本文介绍MMIC-单片式微波集成电路及其应用。
关键词 微波集成电路 mmic
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微波单片集成电路常用结构的时域分析 被引量:1
5
作者 戚颂新 杨铨让 薛建辉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期112-114,共3页
本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法,其空间网格能沿任意轴向变化,而且具有高阶离散精度,从而节省了机时,提高了计算精度,并首次应用于微波单片集成电路(MMIC)常用结构的定模分析,具体研究了空气桥、... 本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法,其空间网格能沿任意轴向变化,而且具有高阶离散精度,从而节省了机时,提高了计算精度,并首次应用于微波单片集成电路(MMIC)常用结构的定模分析,具体研究了空气桥、通孔接地对电路性能的影响,其结果与有关文献相一致,验证了算法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 时域 集成电路 空气桥 非均匀网络 微波
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Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计 被引量:4
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作者 周守利 张景乐 +2 位作者 吴建敏 周赡成 程元飞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期30-34,共5页
基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用... 基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移。测试结果表明,在12~18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差(RMS)小于0.25 dB,附加相移为-0.5°^+9.5°,插入损耗小于4.9 dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。 展开更多
关键词 KU波段 砷化镓 数字衰减器 高衰减精度 微波集成电路
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砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究 被引量:2
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作者 王蕴辉 莫郁薇 +3 位作者 吴海东 张增照 古文刚 聂国健 《电子产品可靠性与环境试验》 2007年第2期43-48,共6页
在对微波单片集成电路(MMIC)的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT。在大量统计工艺数据和文献数据的... 在对微波单片集成电路(MMIC)的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT。在大量统计工艺数据和文献数据的基础上,获得了可靠性预计模型中的其它系数。 展开更多
关键词 微波集成电路 可靠性预计 寿命试验
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GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理 被引量:12
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作者 黄云 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第3期9-14,共6页
从可靠性物理的角度,深入分析了引起砷化镓微波单片集成电路(GaAsMMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了 GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件。
关键词 砷化镓 微波集成电路 失效模式 退化机理 有源器件
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微波单片集成电路的一种中心设计方法
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作者 戚颂新 杨铨让 过常宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期248-254,共7页
本文系统地提出了一种微波单片集成电路的中心设计方法,有效地提高了单片电路的成品率,改善了电路性能;同时,占机时少,收敛速度快。试用结果表明,该方法是有效和可靠的,具有应用前景。
关键词 设计 集成电路 微波集成电路
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微波单片集成电路的成品率优化
10
作者 吴洪江 薛勇健 《半导体情报》 1996年第2期30-33,共4页
采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化,并编制了软件,加入到GaAsICCAD系统中。应用该软件对X波段低噪声MMIC、超宽带MMIC放大器进行了设计,成品率有较大的提高,... 采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化,并编制了软件,加入到GaAsICCAD系统中。应用该软件对X波段低噪声MMIC、超宽带MMIC放大器进行了设计,成品率有较大的提高,电路性能有所改善。 展开更多
关键词 微波 集成电路 灵敏度 成品率 优化
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单片微波集成电路放大器
11
作者 吴腾奇 列光华 《电子质量》 2001年第11期59-63,共5页
介绍单片微波等成路的特性
关键词 MMID MICROWAVE 微波集成电路 放大器
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国内外微波毫米波单片集成电路的现状和发展趋势 被引量:5
12
作者 刘自明 李淑芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期8-23,共16页
本文综述了美国、日本及西欧等国在微波、毫米波单片集成电路MMIC方面的研究现状及发展趋势;指出我国MMIC研制情况与差距,并提出了开发建议。
关键词 微波 集成电路 集成电路
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国产GaAs微波单片集成电路的氢中毒效应 被引量:1
13
作者 丁有源 黄杰 席善斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期976-981,共6页
对基于GaAs异质结外延材料、0.15μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积分数为2%、时间为100 h的氢气氛暴露试验。试验结果表明,低噪声放大器和驱... 对基于GaAs异质结外延材料、0.15μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积分数为2%、时间为100 h的氢气氛暴露试验。试验结果表明,低噪声放大器和驱动放大器对氢气氛较为敏感,试验后线性增益、1 dB压缩点输出功率和驱动电流均发生了不同程度的退化,表现出氢中毒效应。在试验过程中,一种型号的低噪声放大器的驱动电流表现出先小幅度波动后快速下降,最终稳定基本不再变化的趋势。对GaAs MMIC发生氢中毒的作用机理进行了详细地探讨和分析,认为H原子引起载流子浓度的减少和肖特基肖势垒高度的改变是导致参数退化的主要原因。最后,给出了几种降低电路因氢气氛暴露所引起的可靠性风险的方法。 展开更多
关键词 GaAs 微波集成电路(mmic) 低噪声放大器(LNA) 驱动放大器(DA) 氢中毒 可靠性
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微波单片集成电路(MMIC)
14
作者 张汉三 《半导体情报》 1990年第3期21-30,共10页
本文介绍了MMIC的结构和研究开发现状,还对未来的发展做了展望。
关键词 微波 集成电路 结构
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Si基微波单片集成电路的发展 被引量:1
15
作者 杨建军 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期205-208,281,共5页
随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽... 随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。 展开更多
关键词 硅基微波集成电路 三维 隔离槽 硅高阻硅衬底 锗硅
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微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展 被引量:9
16
作者 周德金 黄伟 宁仁霞 《电子与封装》 2021年第2期47-57,共11页
对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为代表的微波化合物固态器件和基于MMIC的异构异质集成新技术路径,并就今后发展的趋势... 对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为代表的微波化合物固态器件和基于MMIC的异构异质集成新技术路径,并就今后发展的趋势做出展望。 展开更多
关键词 微波集成电路 氮化镓 砷化镓 磷化铟 异质集成
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微波单片集成电路T/R组件 被引量:1
17
作者 陆懋权 刘自明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期241-248,共8页
简要述评用于有源阵列雷达微波单片集成电路T/R组件近两年来的进展,介绍由这些组件构成的反火炮雷达天线,并展望组件在军民两方面的应用前景。
关键词 微波 集成电路 T/R组件 有源阵列雷达 天线
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可变增益的功率放大器单片微波集成电路
18
作者 刁睿 赵瑞华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期264-267,共4页
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在... 根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9GHz频率范围内,1dB压缩点输出功率大于33dBm,当控制电压在-1~0V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5mm×2.3mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。 展开更多
关键词 功率放大器 可变增益 微波集成电路(mmic) ADS软件 砷化镓
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SiGe/Si HBT及其单片微波集成电路的研究
19
作者 魏欢 陈建新 +6 位作者 邹德恕 徐晨 杜金玉 韩金茹 董欣 周静 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期31-35,共5页
SiGe/SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件,在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作,对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。
关键词 异质结双极晶体管 微波集成电路 锗化硅
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高性能GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器
20
作者 田彤 罗晋生 吴顺君 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期46-50,共5页
在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术 .该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器 ,在输入端设计π型宽带匹配电... 在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术 .该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器 ,在输入端设计π型宽带匹配电路 ,并采用经实验验证和优化设计的平面压控变容管 .模拟结果表明 ,该压控带通滤波器性能优越 ,有 1 0dB以上插入增益 ,通带宽度约 30MHz ,调频范围宽约 4 0 0MHz ,工作于 1 .4 4~ 1 .82GHz. 展开更多
关键词 负阻 压控 有源滤波器 微波集成电路 砷化镓
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