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微波半导体晶体管静电放电损伤机理被引量：3: 1; 作者谭志良吴东岩刘进《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期904-909,共6页; 为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验。通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了... 展开更多; 关键词微波半导体晶体管静电放电电磁脉冲损伤机理敏感端对双极型硅器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

微波半导体器件国内外发展动态及应用(二): 2; 作者盛柏桢《电讯技术》北大核心 1990年第5期49-59,共11页; 本文主要介绍微波半导体器件的低噪声接收器件、微波发射器件、微波控制器件和新型微波器件等研究与应用状况,并对这些器件的发展作一概略展望.; 关键词微波半导体器件综述; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有TiN阻挡层的新型Au金属化系统在硅微波器件中的应用: 3; 作者郭伟玲李志国 +1 位作者程尧海孙英华《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期37-40,共4页; 将带有ＴｉＮ、Ｗ和Ｍｏ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频大功率三极管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的管子的寿命比用Ｗ作阻挡层的管子提高了两倍多：用ＴｉＮ作阻挡层的管子和用Ｗ作... 展开更多; 关键词金属化氮化钛硅微波器件微波半导体器件金; 在线阅读下载PDF 职称材料

微波高功率无源收发转换系统研究: 4; 作者钟少伟《现代雷达》 CSCD 北大核心 2010年第12期79-82,共4页; 微波高功率无源收发转换系统,集微波半导体器件应用技术、电路综合设计技术于一体,在本机发射脉冲期间对进入收发转换系统的功率实现闭环吸收,在接受回波期间呈现低耗通道,对弱小信号实现有效传输。微波高功率无源收发转换系统工作方式... 展开更多; 关键词微波半导体器件高功率大动态范围无源收发转换抗异步电磁波干扰; 在线阅读下载PDF 职称材料

实验性、集成化、积木化微波通讯系统: 5; 作者吴伯修庄昆杰 +1 位作者林福华何立权《南京工学院学报》 EI CAS 1981年第3期1-7,共7页; 本文介绍采用集总参数微膜技术和分布参数微带技术相结合的办法而研制成功的1GHz接力通信系统。该系统信道设备主要由8种通用组件和专用组件组合而成,而这些积木组件都是由11种通用和专用电路基片所组成。因此这种设备具有体积小、重量... 展开更多; 关键词通信系统性能分析积木化 DBM 天线接收转发器中继器电子设备方框图微波半导体器件比特误码率电波衰落终端站组件接力站中继站接力机门限载噪比发送天线发射天线双工器; 在线阅读下载PDF 职称材料

快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模被引量：2: 6; 作者王卓鹏杨卫平高国成《系统工程与电子技术》 EI CSCD 1999年第11期56-57,75,共3页; 对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃ... 展开更多; 关键词微波半导体器件模拟退火算法信号建模 MESFET; 在线阅读下载PDF 职称材料

S波段功率模块研制被引量：1: 7; 作者敦书波潘宏菽《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期24-25,29,共3页; 介绍了一种全部采用国产管芯、基片、材料研制的硅Ｓ波段功率模块。该模块具有带宽性能好、增益高、输出功率大、可靠性高、静态电流低、体积小、重量轻、输入输出为５０Ω及采用全芯片组装等特点。; 关键词功率模块芯片组装硅微波半导体器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

自升温效应下的GaAs　MESFET大信号模型: 8; 作者王静邓先灿《微波学报》 CSCD 北大核心 1999年第1期63-67,共5页; 本文首先分析GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度，然后结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性，应用于GaAsMESFET功率MMICCAD中能进一... 展开更多; 关键词大信号模型自升温效应微波半导体器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs MESFET开关模型: 9; 作者陈新宇陈继义 +3 位作者郝西萍李拂晓邵凯杨乃彬《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第2期85-87,共3页; 本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。; 关键词开关模型金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波半导体晶体管静电放电损伤机理被引量：3: 1; 作者谭志良吴东岩刘进; 机构军械工程学院静电与电磁防护研究所; 出处《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期904-909,共6页; 基金国家自然科学基金(51277179)~~; 文摘为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验。通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了该模型的有效性。结果表明,该类器件对ESD最敏感的端对为集电结;ESD对该类器件的损伤模式主要为过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。当ESD电压较低时,PN结峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度577℃,使器件参数退化并发生潜在性失效;当ESD电压较高时,ESD电流造成器件局部过热,PN结峰值温度超过硅的熔融温度1 415℃,使器件发生击穿烧毁。; 关键词微波半导体晶体管静电放电电磁脉冲损伤机理敏感端对双极型硅器件; Keywords microwave semiconductor transistor electrostatic discharge electromagnetic pulse failure mechanism sensitive end bipolar silicon device; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波半导体器件国内外发展动态及应用(二): 2; 作者盛柏桢; 机构机电部第五十五研究所; 出处《电讯技术》北大核心 1990年第5期49-59,共11页; 文摘本文主要介绍微波半导体器件的低噪声接收器件、微波发射器件、微波控制器件和新型微波器件等研究与应用状况,并对这些器件的发展作一概略展望.; 关键词微波半导体器件综述; Keywords Microwave Semiconductor Devices Reviewing; 分类号 TN91 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有TiN阻挡层的新型Au金属化系统在硅微波器件中的应用: 3; 作者郭伟玲李志国程尧海孙英华; 机构北京工业大学电子工程学系; 出处《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期37-40,共4页; 文摘将带有ＴｉＮ、Ｗ和Ｍｏ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频大功率三极管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的管子的寿命比用Ｗ作阻挡层的管子提高了两倍多：用ＴｉＮ作阻挡层的管子和用Ｗ作阻挡层的管子具有较好的耐高温特性，与Ｍｏ作阻挡层的管子相比它们承受的温度更高。; 关键词金属化氮化钛硅微波器件微波半导体器件金; Keywords TiN barrier, a novel multi-layered Au metallization, silicon microwave devices; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波高功率无源收发转换系统研究: 4; 作者钟少伟; 机构南京电子技术研究所; 出处《现代雷达》 CSCD 北大核心 2010年第12期79-82,共4页; 文摘微波高功率无源收发转换系统,集微波半导体器件应用技术、电路综合设计技术于一体,在本机发射脉冲期间对进入收发转换系统的功率实现闭环吸收,在接受回波期间呈现低耗通道,对弱小信号实现有效传输。微波高功率无源收发转换系统工作方式无需外加同步控制信号,对来自临近雷达或电子设备的异步电磁波具有独特的抗干扰能力。; 关键词微波半导体器件高功率大动态范围无源收发转换抗异步电磁波干扰; Keywords microwave semiconductor device high power large dynamic range passive T/R conversion anti-asynchronous electromagnetic wave jamming; 分类号 TN957.5 [电子电信—信号与信息处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名实验性、集成化、积木化微波通讯系统: 5; 作者吴伯修庄昆杰林福华何立权; 出处《南京工学院学报》 EI CAS 1981年第3期1-7,共7页; 文摘本文介绍采用集总参数微膜技术和分布参数微带技术相结合的办法而研制成功的1GHz接力通信系统。该系统信道设备主要由8种通用组件和专用组件组合而成,而这些积木组件都是由11种通用和专用电路基片所组成。因此这种设备具有体积小、重量轻、互挟性能好、工作稳定、易于维修和低功耗等优点。本文给出了用上述积木组件组合而成的诸信道设备的方框图和有关设备的主要指标。关于如何用上达电路基片未组合成不同积木组件,以及定向滤波式双工器的性能分析则另有专文论述。; 关键词通信系统性能分析积木化 DBM 天线接收转发器中继器电子设备方框图微波半导体器件比特误码率电波衰落终端站组件接力站中继站接力机门限载噪比发送天线发射天线双工器; 分类号 G6 [文化科学—教育学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模被引量：2: 6; 作者王卓鹏杨卫平高国成; 机构山东矿业学院电气工程系山东矿业学院基础课部; 出处《系统工程与电子技术》 EI CSCD 1999年第11期56-57,75,共3页; 基金山东省自然科学基金; 文摘对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）大信号建模问题提供了一种新思路。; 关键词微波半导体器件模拟退火算法信号建模 MESFET; Keywords FastSim ulated annealing algorithm Microwave semiconductor Large Signal Convergence; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学] O242.1 [理学—计算数学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名S波段功率模块研制被引量：1: 7; 作者敦书波潘宏菽; 机构电子十三所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期24-25,29,共3页; 文摘介绍了一种全部采用国产管芯、基片、材料研制的硅Ｓ波段功率模块。该模块具有带宽性能好、增益高、输出功率大、可靠性高、静态电流低、体积小、重量轻、输入输出为５０Ω及采用全芯片组装等特点。; 关键词功率模块芯片组装硅微波半导体器件; Keywords Power moduleMicrowaveChips organizedSi; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学] TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名自升温效应下的GaAs　MESFET大信号模型: 8; 作者王静邓先灿; 机构杭州电子工业学院CAE所; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 1999年第1期63-67,共5页; 基金国家军事电子基金; 文摘本文首先分析GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度，然后结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性，应用于GaAsMESFET功率MMICCAD中能进一步提高电路的设计精度。; 关键词大信号模型自升温效应微波半导体器件; Keywords GaAs MESFET, Large-signal model, Self-heating effect; 分类号 TN385.02 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs MESFET开关模型: 9; 作者陈新宇陈继义郝西萍李拂晓邵凯杨乃彬; 机构南京电子器件研究所; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第2期85-87,共3页; 文摘本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。; 关键词开关模型金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路; Keywords Switch, Model, MESFET, MMIC; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	微波半导体晶体管静电放电损伤机理	谭志良吴东岩刘进	《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微波半导体器件国内外发展动态及应用(二)	盛柏桢	《电讯技术》北大核心	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	带有TiN阻挡层的新型Au金属化系统在硅微波器件中的应用	郭伟玲李志国程尧海孙英华	《北京工业大学学报》 CAS CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	微波高功率无源收发转换系统研究	钟少伟	《现代雷达》 CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	实验性、集成化、积木化微波通讯系统	吴伯修庄昆杰林福华何立权	《南京工学院学报》 EI CAS	1981	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模	王卓鹏杨卫平高国成	《系统工程与电子技术》 EI CSCD	1999	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	S波段功率模块研制	敦书波潘宏菽	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1999	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	自升温效应下的GaAs　MESFET大信号模型	王静邓先灿	《微波学报》 CSCD 北大核心	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	GaAs MESFET开关模型	陈新宇陈继义郝西萍李拂晓邵凯杨乃彬	《微波学报》 CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料