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题名TaN薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用
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作者
彭斌
蒋中东
王磊
张万里
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2014年第S1期154-157,共4页
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基金
教育部支撑项目(No.625010305)
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文摘
本文研究了Ta N薄膜在微波薄膜匹配负载器件中的应用。利用Ta N薄膜设计了工作频率为DC-18GHz,承受功率10W的匹配负载1,工作频率为DC-18GHz,承受功率60W的匹配负载2,以及工作频率为30-35GHz,承受功率为100W的高频高功率匹配负载3。采用磁控溅射制备了Ta N电阻膜,采用掩膜图形化技术制备了所设计的薄膜匹配负载器件。测试结果表明,三款器件的电压驻波比在各自工作频率范围内均小于1.3,和仿真结果基本一致。同时对器件3测试了其功率负载能力,在加载功率100W,加载时间60分钟后,器件表面最高温度为107°C,匹配负载的电阻值变化了1.4%,表明所制备的负载器件具有良好的功率承载能力。
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关键词
微波匹配负载
TA
N薄膜
电压驻波比
高频大功率
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Keywords
microwave matching load
TaN film
VSWR
high power and high frequency
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分类号
TN61
[电子电信—电路与系统]
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