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微波化学气相沉积制备氧化铝薄膜及钝化性能研究 被引量:4
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作者 张健 巴德纯 +1 位作者 刘坤 杜广煜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期529-533,共5页
AlO_x薄膜作为高效太阳能电池中P层钝化薄膜引起了光伏龙头企业的关注。本文利用最新研发的微波等离子增强化学气相沉积(MW-PECVD)系统,在单晶硅基体上用不同微波功率和生长温度制备氧化铝膜层样品,并通过扫描电镜、SE800椭偏仪和WT200... AlO_x薄膜作为高效太阳能电池中P层钝化薄膜引起了光伏龙头企业的关注。本文利用最新研发的微波等离子增强化学气相沉积(MW-PECVD)系统,在单晶硅基体上用不同微波功率和生长温度制备氧化铝膜层样品,并通过扫描电镜、SE800椭偏仪和WT2000少子寿命测量仪对薄膜的成分、表面形貌、厚度、沉积速度、钝化性能进行分析。实验结果表明,LMW-PECVD制备的AlO_x薄膜沉积速度快且薄膜质量高,适用于大规模企业生产。此外,微波功率和生长温度都对AlO_x薄膜的钝化性能有着显著的影响。 展开更多
关键词 线性微波化学气相沉积 氧化铝薄膜 少子寿命 微波功率 温度
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微波等离子体化学气相沉积制备金刚石厚膜的研究及应用进展
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作者 刘富成 马莞杰 +3 位作者 黄江涛 张宗雁 韩培刚 何斌 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2025年第3期285-299,F0003,共16页
近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气... 近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气相沉积等。MPCVD技术因其生长的金刚石品质高,被认为是制备大面积、高质量金刚石厚膜的最佳方法。首先介绍MPCVD的基本原理和设备,比较几种主要MPCVD技术的优缺点,并对国内外的研究进展进行总结,包括金刚石生长工艺的研究,特别是国内外单晶/多晶金刚石厚膜的制备研究,然后总结近年来金刚石厚膜在电子、光学、热沉等高新技术领域的应用,最后对金刚石厚膜的发展前景进行展望。 展开更多
关键词 金刚石厚膜 微波等离子体化学沉积(MPCVD) CVD设备
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子体化学沉积 低温 镍基板
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WC-8.0%Co基底上微波等离子化学气相沉积金刚石膜 被引量:3
4
作者 刘泉 周健 +1 位作者 余卫华 刘桂珍 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期116-119,共4页
研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子化学气相沉积金刚石涂层WC 8.0 %Co刀具质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,激光Raman光谱分析了金刚石涂层质量 ,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况。... 研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子化学气相沉积金刚石涂层WC 8.0 %Co刀具质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,激光Raman光谱分析了金刚石涂层质量 ,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况。结果表明 ,在 1∶3的稀盐酸中酸洗 15min后用氨水浸泡 10min的基片处理方法能有效地抑制金属钴的溢出 ,从而提高金刚石涂层的质量 ,并且使刀具使用寿命提高 10倍以上。 展开更多
关键词 WC-CO刀具 金刚石膜 微波等离子化学沉积
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微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜 被引量:4
5
作者 江锦春 程文娟 +2 位作者 张阳 朱鹤孙 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期930-934,939,共6页
利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ... 利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ,结晶质量较好。X射线能谱证明了碳氮是以C─N和CN共价键的形式存在 ,氮碳元素的原子比均为 1 .3。X射线衍射确定出在衬底温度为 90 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .4 0 0 2nm) ,而在 95 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .3 984nm)。喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α C3N4,β 展开更多
关键词 立方 晶体薄膜 衬底温度 微波等离子体化学沉积 原子 喇曼光谱 β-C3N4 结晶质量 X射线能谱
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微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列(英文) 被引量:2
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作者 程文娟 张阳 +1 位作者 江锦春 朱鹤孙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X... 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X射线衍射 (XRD)对样品的键合状态及结构进行表征 ,结果表明 ,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 制备 SiCN结晶膜 SiCN微米棒 CH4 H2 N2 氰化硅 甲烷
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微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石管及其表征
7
作者 高旭辉 魏俊俊 吕反修 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期383-383,共1页
关键词 微波等离子体化学沉积 金刚石 制备 表征 钨丝 焦点
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两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文)
8
作者 李世鸿 叶忠信 +2 位作者 张永平 汪岛军 黄柏仁 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期223-229,共7页
以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板... 以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜。典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段。研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长I阶段),第二阶段压力较高(成长II阶段)。结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质。可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致。实验发现在成长I阶段或成长II阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质。 展开更多
关键词 多晶金刚石薄膜 微波电浆辅助化学沉积(MPECVD) 两段成长 偏压增强成核(BEN)
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微波等离子体化学气相沉积系统谐振腔研究
9
作者 邱瑞 周长庚 罗勇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1119-1122,共4页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法是目前最有发展前景的高质量金刚石薄膜沉积方法之一,但由于谐振腔中微波与等离子体之间强烈的相互作用,人们很难根据经验对谐振腔进行改进,本文利用HFSS软件对不锈钢式MPCVD的谐振腔进行了模拟,通过... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法是目前最有发展前景的高质量金刚石薄膜沉积方法之一,但由于谐振腔中微波与等离子体之间强烈的相互作用,人们很难根据经验对谐振腔进行改进,本文利用HFSS软件对不锈钢式MPCVD的谐振腔进行了模拟,通过分析谐振腔内电场以及等离子体的分布,对谐振腔的主要参数进行了优化处理,并根据模拟结果设计出谐振腔系统,在一定条件下,沉积出了优质的金刚石膜,沉积速率可达到0.33μm/h。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 金刚石膜 谐振腔优化 HFSS
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微波等离子体化学气相沉积方法制备纳米金刚石薄膜 被引量:2
10
作者 林晨 李义锋 张锦文 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期7001-7005,7011,共6页
为了制备出大面积均匀连续的纳米金刚石薄膜,并探索温度、气氛等条件对最终生长出的纳米金刚石薄膜样品的影响,使用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,改变CH_(4)、H_(2)、Ar气体比例以及衬底温度,在不同生长条件下制备了5组金刚石... 为了制备出大面积均匀连续的纳米金刚石薄膜,并探索温度、气氛等条件对最终生长出的纳米金刚石薄膜样品的影响,使用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,改变CH_(4)、H_(2)、Ar气体比例以及衬底温度,在不同生长条件下制备了5组金刚石薄膜样品。5组样品分别使用ESEM和拉曼光谱进行成膜质量、形貌、结构以及组分的表征,分析了不同薄膜的成因和工艺参数的影响,并提出了进一步优化的方向。 展开更多
关键词 纳米金刚石薄膜 微波等离子体化学沉积 表面预处理
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微波等离子体化学气相沉积设备微波系统的仿真优化与验证 被引量:2
11
作者 王心洋 曹光宇 黄翀 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第10期1896-1903,1910,共9页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法产生的等离子体密度高,材料外延生长过程可控性好且洁净度高,是制备高质量金刚石膜的重要方法。基于谐振腔理论和三维全波电磁场仿真,对MPCVD设备微波系统中谐振腔、模式转换器、样品托等影响微波传... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法产生的等离子体密度高,材料外延生长过程可控性好且洁净度高,是制备高质量金刚石膜的重要方法。基于谐振腔理论和三维全波电磁场仿真,对MPCVD设备微波系统中谐振腔、模式转换器、样品托等影响微波传输效率及电场分布形态的部件进行设计和优化,并通过对微波传输系统关键参量的测试和监控,研究系统调试变量对金刚石外延生长的影响。基于自研的MPCVD设备,实现较高品质金刚石膜的合成,金刚石有效生长区域为50 mm圆面,外延生长速度10~25μm/h,单晶样品的表征结果显示合成的金刚石透光率接近理论值,材料的结晶程度良好,氮、硅等杂质含量较低。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 微波系统 谐振腔 金刚石膜 透光率 杂质含量
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微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石 被引量:1
12
作者 唐春玖 符连社 +4 位作者 A.J.S.Fernandes M.J.Soares Gil Cabral A.J.Neves J.Grácio 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期250-258,共9页
研究了衬底温度、核化密度、衬底表面预处理等工艺参数对微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石的影响。采用扫描电镜、X-射线衍射、喇曼光谱和红外光谱对样品进行了表征。结果表明:从高核化密度生长的金刚石膜中... 研究了衬底温度、核化密度、衬底表面预处理等工艺参数对微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石的影响。采用扫描电镜、X-射线衍射、喇曼光谱和红外光谱对样品进行了表征。结果表明:从高核化密度生长的金刚石膜中探测不到碳化硅;不论对硅衬底进行抛光预处理还是未抛光预处理,从低核化密度生长的金刚石厚膜中总能探测到碳化硅。碳化硅生长在硅衬底上未被金刚石覆盖的地方,或者是在金刚石晶核之间的空洞处。碳化硅形成和金刚石生长是同时发生的两个竞争过程。此研究结果为制备金刚石和碳化硅复合材料提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 碳化硅 金刚石厚膜 红外光谱 微波等离子体化学沉积
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高钴硬质合金基底上化学气相沉积金刚石膜的研究 被引量:4
13
作者 曾谊晖 刘忠 +1 位作者 罗飞霞 柏春旺 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2004年第1期31-33,共3页
通过采用二步浸蚀法对硬质合金(WC—Co12%)刀具进行预处理,应用微波等离子化学气相沉积装置,在经二步浸蚀法预处理过的硬质合金上沉积出高质量和结合力强的金刚石涂层。研究了提高涂层附着力的基体预处理方法,用SEM、XRD、激光Raman光... 通过采用二步浸蚀法对硬质合金(WC—Co12%)刀具进行预处理,应用微波等离子化学气相沉积装置,在经二步浸蚀法预处理过的硬质合金上沉积出高质量和结合力强的金刚石涂层。研究了提高涂层附着力的基体预处理方法,用SEM、XRD、激光Raman光谱分析了涂层质量,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况,结果表明二步浸蚀基体预处理方法能有效地降低基体表面金属钴的含量,消除沉积过程中Co的负面影响,从而提高金刚石涂层的附着力,使刀具使用寿命明显提高。 展开更多
关键词 二步浸蚀法 金刚石膜 微波等离子化学沉积 硬质合金 刀具
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ECR-RF双功率源等离子体化学气相沉积制备类金刚石薄膜的研究 被引量:5
14
作者 桑利军 陈强 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期25-27,共3页
利用微波ECR加射频功率源等离子体化学气相沉积技术,以CH4为碳源气体,Ar气为稀释气体,在硅片(100)上制备了类金刚石薄膜。Raman光谱证实了薄膜的类金刚石特性;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在明显的C—H键结构。采用AFM观察了表面形貌... 利用微波ECR加射频功率源等离子体化学气相沉积技术,以CH4为碳源气体,Ar气为稀释气体,在硅片(100)上制备了类金刚石薄膜。Raman光谱证实了薄膜的类金刚石特性;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在明显的C—H键结构。采用AFM观察了表面形貌,均方根粗糙度大约为1.489nm,表明薄膜表面比较光滑。最后对其进行了摩擦性能测试,薄膜的平均摩擦系数为0.102。 展开更多
关键词 微波ECR等离子体化学沉积 类金刚石薄膜 平均摩擦系数
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微喇曼和红外光谱法研究化学气相沉积金刚石多晶膜结晶质量特性 被引量:1
15
作者 顾利萍 唐春玖 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1509-1513,共5页
研究了化学气相沉积多晶膜的宏观性能(颜色和透光性)与微观性能(结晶质量、相纯度和氢杂质含量)之间的关系,喇曼谱与金刚石膜中氢杂质含量(红外光谱测得)的关联性.给出了根据颜色和透明度来区分样本膜质量的实验依据,颜色较深的膜的结... 研究了化学气相沉积多晶膜的宏观性能(颜色和透光性)与微观性能(结晶质量、相纯度和氢杂质含量)之间的关系,喇曼谱与金刚石膜中氢杂质含量(红外光谱测得)的关联性.给出了根据颜色和透明度来区分样本膜质量的实验依据,颜色较深的膜的结晶质量差、相纯度低、氢杂质含量高,1 332cm-1金刚石特征喇曼峰强度低,半峰宽大.由于多晶膜生长不均匀性、多晶以及粗糙度的影响,生长面的微喇曼光谱随采样点变化会产生较大的偏差,而光滑生长界面的喇曼光谱随采样点的变化偏差较小,因此生长界面的喇曼光谱更能反映化学气相沉积法制备金刚石膜的整体质量. 展开更多
关键词 结晶质量 多晶金刚石膜 傅里叶变换红外光谱 微喇曼 微波等离子体化学沉积
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高钴硬质合金基底化学气相沉积金刚石膜的研究
16
作者 曾谊晖 刘忠 +1 位作者 罗飞霞 柏春旺 《制造技术与机床》 CSCD 北大核心 2004年第8期99-101,共3页
通过采用二步浸蚀法对硬质合金 (WC— 12 %Co)刀具进行预处理 ,应用微波等离子化学气相沉积装置 ,在经二步浸蚀法预处理过的硬质合金上沉积出高质量和结合力强的金刚石涂层。研究了提高涂层附着力的基体预处理方法 ,用SEM、XRD、激光Ra... 通过采用二步浸蚀法对硬质合金 (WC— 12 %Co)刀具进行预处理 ,应用微波等离子化学气相沉积装置 ,在经二步浸蚀法预处理过的硬质合金上沉积出高质量和结合力强的金刚石涂层。研究了提高涂层附着力的基体预处理方法 ,用SEM、XRD、激光Raman光谱分析了涂层质量 ,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况 ,结果表明二步浸蚀基体预处理方法能有效地降低基体表面金属钴的含量 ,消除沉积过程中Co的负面影响 ,从而提高金刚石涂层的附着力 ,使刀具使用寿命明显提高。 展开更多
关键词 高钴硬质合金 微波等离子化学沉积 金刚石膜 刀具 二步浸蚀法
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化学气相沉积过程中Si的引入对硬质合金金刚石涂层附着力的影响 被引量:3
17
作者 樊凤玲 唐伟忠 +2 位作者 黑立富 吕反修 刘素田 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2005年第1期31-35,共5页
利用微波等离子体化学气相沉积方法,以H2、CH4和八甲基环四硅氧烷(D4)为原料,在硬质合金基体上沉积了金刚石涂层。与一般只使用H2、 CH4为原料时的情况相比,金刚石涂层与硬质合金基体间的附着力有了一定程度的提高。对涂层断面的成分分... 利用微波等离子体化学气相沉积方法,以H2、CH4和八甲基环四硅氧烷(D4)为原料,在硬质合金基体上沉积了金刚石涂层。与一般只使用H2、 CH4为原料时的情况相比,金刚石涂层与硬质合金基体间的附着力有了一定程度的提高。对涂层断面的成分分析表明,Si在涂层与基体间的界面处有富集的倾向,而这将有助于抑制Co对涂层附着力的不利影响,提高金刚石涂层的附着力。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 八甲基环四硅氧烷 金刚石涂层 附着力 硬质合金
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微波功率和气压耦合作用对大面积金刚石膜沉积的影响 被引量:1
18
作者 孙祁 汪建华 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期43-48,共6页
使用新型多模MPCVD装置,通过耦合改变微波功率和沉积气压进行大面积金刚石膜均匀沉积研究。结果表明:微波功率一定时,电子密度随气压的上升先上升后下降;电子密度随气压和微波功率耦合上升而上升,其中微波功率起主导作用;当微波功率为5 ... 使用新型多模MPCVD装置,通过耦合改变微波功率和沉积气压进行大面积金刚石膜均匀沉积研究。结果表明:微波功率一定时,电子密度随气压的上升先上升后下降;电子密度随气压和微波功率耦合上升而上升,其中微波功率起主导作用;当微波功率为5 k W时,等离子体能量中心随着气压上升先靠近后远离沉积基底;当微波功率为5 k W、气压为15 k Pa时,在直径为75 mm的钼基片上实现了大面积金刚石膜的均匀沉积,中心和边缘区域的拉曼光谱FWHM值为4.69cm-1和4.83 cm-1。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 电子密度 金刚石膜 大面积
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制备温度对热解炭包覆磷酸铁锂/气相生长炭纤维复合正极材料的影响 被引量:1
19
作者 邓飞 曾燮榕 +1 位作者 邹继兆 黎晓华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1141-1146,共6页
采用微波化学气相沉积法一步合成了热解炭包覆磷酸铁锂/气相生长炭纤维复合正极材料.借助X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电镜和电化学测试仪等测试手段研究了不同制备温度对材料晶体结构、显微形貌和电化学性能的影响.... 采用微波化学气相沉积法一步合成了热解炭包覆磷酸铁锂/气相生长炭纤维复合正极材料.借助X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电镜和电化学测试仪等测试手段研究了不同制备温度对材料晶体结构、显微形貌和电化学性能的影响.结果表明,当制备温度由500℃升至600℃时,磷酸铁锂主晶相的颗粒尺寸没有发生明显变化,而原位VGCF的网络程度却明显增加,材料的放电比容量随之提高;当制备温度进一步升高到700℃时,磷酸铁锂颗粒异常生长现象加剧,VGCF直径较大且粗细不均,材料的电化学性能变差.研究发现,当温度为600℃时,材料表现出较优的电化学性能,25℃在0.2C、0.5C、1C和3C倍率下的放电比容量分别可达163、159、153和143mAh/g. 展开更多
关键词 磷酸铁锂 热解炭 生长炭纤维 微波化学气相沉积 锂离子电池
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氢气流量对大面积金刚石膜沉积的影响 被引量:6
20
作者 孙祁 汪建华 +1 位作者 刘繁 翁俊 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期75-84,共10页
为了实现大面积金刚石膜的高速均匀沉积,在新型多模微波等离子体装置中,利用微波等离子体(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)技术,对大面积金刚石膜沉积过程中气体流场、电子密度和温度、基团分布及金刚石膜质量进行... 为了实现大面积金刚石膜的高速均匀沉积,在新型多模微波等离子体装置中,利用微波等离子体(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)技术,对大面积金刚石膜沉积过程中气体流场、电子密度和温度、基团分布及金刚石膜质量进行研究。流场模拟结果表明,多模MPCVD装置在高气体流量下依旧保持良好的流场稳定性。等离子体光谱结果表明,随着氢气流量的上升活性基团的强度上升。氢气流量在400 cm^3/min以内时,活性基团可在基底表面对称均匀分布。电子密度和电子温度随着氢气流量的上升先上升后下降,在500 cm3/min达到最大,分别为2.3×1019/m^3和1.65 eV。在氢气流量为300 cm^3/min时可在直径为100 mm的钼基底上实现大面积金刚石膜的均匀沉积,金刚石膜中心和边缘处拉曼光谱FWHM值为4.39 cm^(-1)和4.51 cm^(-1),生长速率为5.8μm/h。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 等离子体光谱 金刚石膜 大面积 均匀沉积
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